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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Tension - Dépression (V (br) GSS)	Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0)	Tension - coupure (VGS off) @ id	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	RÉSISTANCE - RDS (ON)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Vn0606l-g	1 5000	RFQ	964	Technologie des micropuces	-	Sac	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	VN0606	MOSFET (Oxyde Métallique)			To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	60 V	330mA (TJ)	10V	3OHM @ 1A, 10V	2v @ 1MA		± 30V	50 pf @ 25 V	-	1W (TC)
APTM100UM65SCAVG	447.7533	RFQ	2690	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	APTM100	MOSFET (Oxyde Métallique)			SP6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	1000 V	145a (TC)	10V	78MOHM @ 72.5A, 10V	5V @ 20mA	1068 NC @ 10 V	± 30V	28500 pf @ 25 V	-	3250W (TC)
Aptm10tam09fpg	272.8700	RFQ	1900	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6	APTM10	MOSFET (Oxyde Métallique)	390W		SP6-P	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	6 Canaux N (phases Pont 3)		100V	139a		10MOHM @ 69.5A, 10V	4V @ 2,5mA	350nc @ 10v		9875pf @ 25v	-
Apt60ga60jd60	32.6600	RFQ	5012	Technologie des micropuces	Power MOS 8 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Apt60ga60		356 W	Standard	Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire												Pt	600 V	112 A	2,5 V @ 15V, 62A				275 µA	Non	8.01 NF @ 25 V
Aptgt75x60t3g	107.9100	RFQ	4562	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP3	Aptgt75		250 W	Standard	SP3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Onduleur Triphasé												Arête du Champ de Tranché	600 V	100 A	1,9 V @ 15V, 75A				250 µA	Oui	4,62 nf @ 25 V
APTGT100DA120T1G	61.8000	RFQ	1046	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP1	APTGT100		480 W	Standard	SP1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire												Arête du Champ de Tranché	1200 V	140 a	2.1V @ 15V, 100A				250 µA	Oui	7.2 NF @ 25 V
Aptgt150da60t1g	54.7605	RFQ	4585	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP1	APTGT150		480 W	Standard	SP1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire												Arête du Champ de Tranché	600 V	225 A	1,9 V @ 15V, 150A				250 µA	Oui	9.2 NF @ 25 V
2N3824	41.7900	RFQ	2398	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif									-			Atteindre non affecté	150-2n3824			1
Mic94052bc6tr	0 2200	RFQ	9930	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363		MOSFET (Oxyde Métallique)			SC-70-6	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.21.0095	1		Canal p	6 V	2a (ta)	1,8 V, 4,5 V	84MOHM @ 100mA, 4,5 V	1,2 V à 250µA		6V		-	270MW (TA)
2N2779	490.7700	RFQ	9713	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Soutien	À 211 MO, à 63-4, Étalon			200 W		To-63	-			Atteindre non affecté	150-2n2779	EAR99	8541.29.0095	1														250 V	30 A					-				Pnp	-	-	-
Jansf2n2369aua / tr	166.8008	RFQ	9183	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/317	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C	Support de surface	4-md, pas d'Avance			500 MW		Ua	-			Atteindre non affecté	150-jansf2n2369aua / tr			50														15 V						400NA				NPN	450 MV @ 10mA, 100mA	40 @ 10mA, 1v	-
MSCSM120TAM16CTPAG	807.8750	RFQ	5719	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MSCSM120	Carbure de silicium (sic)	728W (TC)		SP6-P	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-MSCSM120TAM16CTPAG	EAR99	8541.29.0095	1	6 Canaux N (phases Pont 3)		1200V (1,2 kV)	171a (TC)		16MOHM @ 80A, 20V	2,8 V @ 2MA	464nc @ 20v		6040pf @ 1000v	-
APTM20TAM16FPG	268.0300	RFQ	3146	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6	APTM20	MOSFET (Oxyde Métallique)	390W		SP6-P	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	6 Canaux N (phases Pont 3)		200 V	104A		19MOHM @ 52A, 10V	5V @ 2,5mA	140nc @ 10v		7220pf @ 25v	-
Jantxv2n2369aua	39.6074	RFQ	4771	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/317	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance	2N2369		360 MW		Ua	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1														15 V						400NA				NPN	450 MV @ 10mA, 100mA	20 @ 100mA, 1V	-
Apt5015svfrg	14.4200	RFQ	8304	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Apt5015	MOSFET (Oxyde Métallique)			D3pak	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-APT5015SVFRG	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	500 V	32A (TC)	10V	150 mohm @ 16a, 10v	4V @ 1MA	300 NC @ 10 V	± 30V	5280 pf @ 25 V	-	370W (TC)
Apt6015lvfrg	22.6600	RFQ	8218	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif		Par le trou	À 264-3, à 264aa	Apt6015	MOSFET (Oxyde Métallique)			À 264 [l]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	600 V	38A (TC)		150 mOhm @ 500mA, 10V	4V @ 2,5mA	475 NC @ 10 V		9000 pf @ 25 V	-
APTGLQ300A120G	271.7120	RFQ	5323	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	AptGlq300		1500 W	Standard	SP6	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Demi-pont												Arête du Champ de Tranché	1200 V	500 A	2.42V @ 15V, 300A				200 µA	Non	17,6 nf @ 25 V
2N3744	273.7050	RFQ	1889	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-	Soutien	À 111-4, Goujon			30 W		À 111	-			Atteindre non affecté	150-2n3744	EAR99	8541.29.0095	1														40 V	5 a					-				Pnp	-	-	-
2N5630	74.1300	RFQ	1085	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3			200 W		To-204Ad (to-3)	-			Atteindre non affecté	150-2n5630	EAR99	8541.29.0095	1														120 V	16 A					-				Pnp	-	-	-
MSCSM170AM45CT1AG	147.4400	RFQ	18	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MSCSM170	Carbure de silicium (sic)	319W (TC)		-	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-MSCSM170AM45CT1AG	EAR99	8541.29.0095	1	2 n canal (phase de la jambe de)		1700v (1,7 kV)	64a (TC)		45MOHM @ 30A, 20V	3,2 V @ 2,5mA	178nc @ 20v		3300pf @ 1000v	-
MV2N4093UB / TR	92.4882	RFQ	5763	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/431	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			360 MW		3-UB (3.09x2.45)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-MV2N4093UB / TR			1		Canal n	40 V							16pf @ 20V							40 V	8 ma @ 20 V					80 ohms
Jansl2n3439l	270.2400	RFQ	9751	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/368	En gros	Actif	-55 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut			800 MW		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-Jansl2n3439l			1														350 V	1 a					2µA				NPN	500 mV @ 4ma, 50mA	40 @ 20mA, 10V	-
2C5154	8.7381	RFQ	7491	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif									-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-2c5154			1
Jansm2n5152l	98.9702	RFQ	5424	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/544	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut			1 W		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-JANSM2N5152L			1														80 V	2 A					50 µA				NPN	1,5 V @ 500mA, 5A	30 @ 2,5a, 5v	-
APTM20HM20FTG	149.1000	RFQ	5139	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP4	APTM20	MOSFET (Oxyde Métallique)	357W		SP4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	4 N-Canal (Demi-pont)		200 V	89a		24MOHM @ 44.5A, 10V	5V @ 2,5mA	112nc @ 10v		6850pf @ 25v	-
Jans2n5796u / tr	457.0408	RFQ	3610	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/496	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	6 MD, Pas de plomb	2N5796		600mw		U	-			Atteindre non affecté	150-jans2n5796u / tr			50														60V	600mA					10µA (ICBO)				2 pnp (double)	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N5601	43.0350	RFQ	6678	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2			20 W		To-66 (à 213aa)	-			Atteindre non affecté	150-2n5601	EAR99	8541.29.0095	1														80 V	2 A					-				Pnp	850 mV à 200µA, 1MA	-	-
Jantx2n2484ua / tr	20.6150	RFQ	4168	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/376	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance	2N2484		360 MW		Ua	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-Jantx2N2484UA / TR	EAR99	8541.21.0095	1														60 V	50 mA					2NA				NPN	300 mV à 100 µA, 1MA	225 @ 10mA, 5V	-
2N3421U4	31.6274	RFQ	9337	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb	2N3421		1 W		U4	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														80 V	3 A					300NA				NPN	500 MV @ 200mA, 2A	40 @ 1A, 2V	-
MV2N4857	57.2964	RFQ	8505	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	MV2N4857		360 MW		À 18 (à 206aa)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1		Canal n	40 V							18pf @ 10v							40 V	100 mA @ 15 V	6 V @ 500 PA				40 ohms

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Unité de produit standard
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