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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Tension - Dépression (V (br) GSS)	Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0)	Tension - coupure (VGS off) @ id	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	RÉSISTANCE - RDS (ON)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Jan2n3867p	32.4919	RFQ	2924	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/350	En gros	Actif	-55 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut			1 W	To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-JAN2N3867P	EAR99	8541.29.0095	1												40 V	3 A				1 µA		Pnp	1,5 V @ 250mA, 2,5A	50 @ 500mA, 1V	-
Jantxv2n5416u4 / tr	-	RFQ	5956	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/485	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			1 W	U4	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-Jantxv2N5416U4 / TR	EAR99	8541.29.0095	1												300 V	1 a				1 mA		Pnp	2v @ 5mA, 50mA	30 @ 50mA, 10V	-
Jantxv2n4033ua	110.1905	RFQ	4965	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/512	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance			500 MW	Ua	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1												80 V	1 a				10µA (ICBO)		Pnp	1V @ 100mA, 1A	100 @ 100mA, 5V	-
MNS2N2222AUBP	12.3700	RFQ	2244	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/255	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			500 MW	Ub	-			Atteindre non affecté	150-MNS2N2222AUBP	EAR99	8541.21.0095	1												50 V	800 mA				50na		NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jan2N3724L	-	RFQ	9720	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut				To-5	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté			0000.00.0000	1												30 V	500 mA				-		NPN	-	-	-
2N3773	179.3250	RFQ	5351	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif								-			Atteindre non affecté	150-2n3773			1
Apt5010llg	17.0200	RFQ	6384	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Apt5010	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 264 [l]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Canal n	500 V	46A (TC)	10V	100MOHM @ 23A, 10V	5V @ 2,5mA	95 NC @ 10 V	± 30V	4360 PF @ 25 V	-	520W (TC)
Jan2n6299p	36.8144	RFQ	5590	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2			64 W	To-66 (à 213aa)	-			Atteindre non affecté	150-Jan2n6299p	EAR99	8541.29.0095	1												80 V	8 A				500 µA		PNP - Darlington	2V @ 80mA, 8A	750 @ 4A, 3V	-
2N2976	33.4200	RFQ	8254	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif				2N297				-			Atteindre non affecté	150-2n2976			1
2N6187	287.8650	RFQ	4924	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-	Soutien	À 210aa, à 59-4, Étalon			60 W	To-59	-			Atteindre non affecté	150-2n6187	EAR99	8541.29.0095	1												80 V	10 a				-		Pnp	-	-	-
Jansl2n3810l	198.9608	RFQ	7220	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/336	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N3810		350mw	To-78-6	-			Atteindre non affecté	150-Jansl2n3810l			1												60V	50m				10µA (ICBO)		2 pnp (double)	250 mV à 100 µA, 1MA	150 @ 1MA, 5V	-
Jankcbd2n2222a	-	RFQ	2676	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN			500 MW	À 18 (à 206aa)	-			Atteindre non affecté	150-JANKCBD2N2222A			100												50 V	800 mA				50na		NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Apt50m85jvfr	46.0700	RFQ	6166	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif		Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	APT50M85	MOSFET (Oxyde Métallique)		Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Canal n	500 V	50A (TC)		85MOHM @ 500mA, 10V	4V @ 1MA	535 NC @ 10 V		10800 pf @ 25 V	-
Jans2n3764	-	RFQ	7866	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/396	En gros	Actif	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206ab, to-46-3 Métal peut			500 MW	To-46 (to-206ab)	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1												40 V	1,5 A				10µA (ICBO)		Pnp	900 MV à 100MA, 1A	30 @ 1A, 1,5 V	-
2N5660	33.1702	RFQ	6879	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2	2N5660		2 W	To-66 (à 213aa)	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1												200 V	2 A				200na		NPN	800mV @ 400mA, 2A	40 @ 500mA, 5V	-
Jantx2n2919	35.1918	RFQ	6962	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/355	En gros	Actif	200 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can				To-78-6	-			Atteindre non affecté			0000.00.0000	1												60 V	30 mA				-		NPN	-	-	-
Apt20m11jvr	72.3300	RFQ	8308	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Apt20m11	MOSFET (Oxyde Métallique)		Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Canal n	200 V	175a (TC)	10V	11MOHM @ 500mA, 10V	4V @ 5mA	180 NC @ 10 V	± 30V	21600 pf @ 25 V	-	700W (TC)
2N3499UB / TR	28.1250	RFQ	2187	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			1 W	Ub	-			Atteindre non affecté	150-2n3499UB / TR	EAR99	8541.29.0095	100												100 V	500 mA				10µA (ICBO)		NPN	600 mV @ 30mA, 300mA	100 @ 150mA, 10V	-
MSCGLQ200A65TG	103.5400	RFQ	1362	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif				MscgLQ				-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-MSCGLQ200A65TG	EAR99	8541.29.0095	1
Jansr2n3634ub	-	RFQ	1869	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance			1 W	Ub	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50												140 V	10 µA				10 µA		Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	50 @ 50mA, 10V	-
Jantx2N5339	10.2942	RFQ	6572	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N5339		1 W	To-39	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté	Jantx2N5339ms	EAR99	8541.29.0095	1												100 V	5 a				100 µA		NPN	1,2 V @ 500mA, 5A	60 @ 2A, 2V	-
2N5346	287.8650	RFQ	7094	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-	Soutien	À 210aa, à 59-4, Étalon			60 W	To-59	-			Atteindre non affecté	150-2n5346	EAR99	8541.29.0095	1												80 V	7 A				-		Pnp	-	-	-
Jan2N2219A	7.8470	RFQ	9491	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/251	En gros	Actif	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N2219		800 MW	To-39	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1												50 V	800 mA				10na		NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N3420	17.7422	RFQ	4325	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N3420		1 W	To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1												60 V	3 A				5µA		NPN	500 MV @ 200mA, 2A	40 @ 1A, 2V	-
MQ2N4859	54.6231	RFQ	5386	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/385	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN			360 MW	À 18 (à 206aa)	-			Atteindre non affecté	150 MQ2N4859			1	Canal n	30 V							18pf @ 10v					30 V	50 ma @ 15 V	4 V @ 500 PA		25 ohms
Apt42f50b	10.1400	RFQ	2515	Technologie des micropuces	Power MOS 8 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Apt42f50	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Canal n	500 V	42A (TC)	10V	130MOHM @ 21A, 10V	5V @ 1MA	170 NC @ 10 V	± 30V	6810 PF @ 25 V	-	625W (TC)
2N3013	31.9050	RFQ	9348	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif								-			Atteindre non affecté	150-2n3013			1
LND150N8-G	0,7900	RFQ	4221	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 243aa	LND150	MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-89-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000	Canal n	500 V	30mA (TJ)	0v	1000 ohm @ 500µA, 0V	-		± 20V	10 pf @ 25 V	Mode d'Épuiment	1.6W (TA)
R2N2920A	61.5923	RFQ	1501	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N2920		350mw	To-78-6	-			Atteindre non affecté	150-R2N2920A	EAR99	8541.21.0095	1												60V	30m				10µA (ICBO)		2 npn (double)	300 mV à 100 µA, 1MA	300 @ 1MA, 5V	-
Jantxv2n1714s	-	RFQ	4232	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	175 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut				To-39 (to-205ad)	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté			0000.00.0000	1												60 V	750 mA				-		NPN	-	-	-

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
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