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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Jantxv2n5663u3	240.4640	RFQ	7708	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb						U3 (SMD-0.5)	-			Atteindre non affecté	150-Jantxv2N5663U3			1																			300 V	2 A			-			NPN	-	-	-
Jan2N3635UB / TR	13.6990	RFQ	8337	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb				1,5 w		3 md	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-JAN2N3635UB / TR	EAR99	8541.29.0095	1																			140 V	1 a			10 µA			Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	100 @ 50mA, 10V	-
APL602J	89.2900	RFQ	9975	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	AP602		MOSFET (Oxyde Métallique)			Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					600 V	43A (TC)	12V	125mohm @ 21,5a, 12v	4V @ 2,5mA		± 30V	9000 pf @ 25 V	-	565W (TC)
Aptc60ddam24t3g	129.7000	RFQ	1094	Technologie des micropuces	CoolMos ™	Plateau	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP3	Aptc60		MOSFET (Oxyde Métallique)	462W		SP3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	2 Canaux N (hachoir à double masse)						600 V	95a		24MOHM @ 47,5A, 10V	3,9 V @ 5mA	300nc @ 10v		14400pf @ 25v	Super jonction
Jansl2n3501l	41.5800	RFQ	9926	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/366	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut				1 W		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-Jansl2n3501l			1																			150 V	300 mA			10µA (ICBO)			NPN	400 mV @ 15mA, 150mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jantxv2n2906aub	-	RFQ	9142	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/291	En gros	Abandonné à sic		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb	2N2906			500 MW		Ub	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																			60 V	600 mA			50na			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
2C6341-MSCL	172.3800	RFQ	4087	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif											-			Atteindre non affecté	150-2c6341-mscl			1
2N2975	33.4200	RFQ	5445	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif					2N297						-			Atteindre non affecté	150-2n2975			1
MCP87090T-U / MF	0,5000	RFQ	1	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	MCP87090		MOSFET (Oxyde Métallique)			8-pdfn (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 300		Canal n					25 V	64a (TC)	4,5 V, 10V	10,5 mohm @ 10v	1,7 V @ 250µA	10 NC @ 4,5 V	+ 10v, -8V	580 pf @ 12,5 V	-	2.2W (TA)
2N5238	13.8453	RFQ	5357	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut	2N5238			1 W		To-5aa	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																			170 V	10 a			10 µA			NPN	2,5 V @ 1A, 10A	50 @ 1A, 5V	-
Jantx2n5794auc	160.3806	RFQ	5741	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/495	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	6 MD, Pas de plomb	2N5794			600mw		6 mm	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																			40V	600mA			10µA (ICBO)			2 npn (double)	900 mV @ 30mA, 300mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jansh2n2218a	283.9200	RFQ	6140	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/251	En gros	Actif		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut				800 MW		To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	150-Jansh2n2218a			1																			50 V	800 mA			10na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
SG2821J	-	RFQ	7033	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	Par le trou	18-CDIP (0,300 ", 7,62 mm)	SG2821			-		18-CERDIP	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-SG2821J	EAR99	8541.29.0095	21																			95V	500mA			-			8 npn darlington	1,6 V @ 500µA, 350mA	1000 @ 350mA, 2V	-
Aptm10dskm09t3g	97.6400	RFQ	6470	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP3	APTM10		MOSFET (Oxyde Métallique)	390W		SP3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	2 Canaux N (double)						100V	139a		10MOHM @ 69.5A, 10V	4V @ 2,5mA	350nc @ 10v		9875pf @ 25v	-
2N2813	117.9178	RFQ	1464	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif					2N2813						-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1
Mscsm70tlm44c3ag	141.3800	RFQ	4397	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MSCSM70		Carbure de silicium (sic)	176W (TC)		SP3F	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-MSCSM70TLM44C3AG	EAR99	8541.29.0095	1	4-CANAUX (Onduleur à Trois Niveaux)						700 V	58A (TC)		44MOHM @ 30A, 20V	2,7 V @ 2MA	99nc @ 20v		2010pf @ 700V	-
2N3868S	10.9459	RFQ	5214	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou		2N3868			1 W		To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																			60 V	3 mA			100 µA (ICBO)			Pnp	1,5 V @ 250mA, 2,5A	30 @ 1.5a, 2v	-
SG2803L-883B	-	RFQ	9216	Technologie des micropuces	-	Plateau	Actif		-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	20-CLCC	SG2803			-		20-CLCC (8.89x8.89)	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-SG2803L-883B	EAR99	8541.29.0095	50																			50v	500mA			-			8 npn darlington	1,6 V @ 500µA, 350mA	-	-
Apt8030jvfr	41.0500	RFQ	20	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif			Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	APT8030		MOSFET (Oxyde Métallique)			Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					800 V	25a (TC)		300mohm @ 500mA, 10v	4V @ 2,5mA	510 NC @ 10 V		7900 pf @ 25 V	-
2N4311	14.6400	RFQ	7630	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut				1 W		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-2n4311	EAR99	8541.29.0095	1																			60 V	5 a			-			Pnp	-	-	-
APTM50DAM19G	200 7200	RFQ	1400	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6	APTM50		MOSFET (Oxyde Métallique)			SP6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					500 V	163a (TC)	10V	22,5MOHM @ 81,5A, 10V	5V @ 10mA	492 NC @ 10 V	± 30V	22400 pf @ 25 V	-	1136W (TC)
Jansr2n5151u3	229.9812	RFQ	7770	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb				1,16 W		U3	-			Atteindre non affecté	150-Jansr2n5151u3			1																			80 V	2 A			50 µA			Pnp	1,5 V @ 500mA, 5A	30 @ 2,5a, 5v	-
Apt20m18lvfrg	33.5800	RFQ	1315	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif			Par le trou	À 264-3, à 264aa	APT20M18		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 264 [l]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					200 V	100A (TC)		18MOHM @ 50A, 10V	4V @ 2,5mA	330 NC @ 10 V		9880 PF @ 25 V	-
Arf476fl	158.3900	RFQ	10	Technologie des micropuces	-	Plateau	Actif	500 V			-	ARF476	128 MHz	Mosfet			-	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	2 Canaux N (double) couronne source		10A	15 mA	900W	16 dB											-					150 V
TN0610N3-G-P013	1.0500	RFQ	2151	Technologie des micropuces	-	Tape & Box (TB)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	TN0610		MOSFET (Oxyde Métallique)			To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n					100 V	500mA (TJ)	3V, 10V	1,5 ohm @ 750mA, 10V	2v @ 1MA		± 20V	150 pf @ 25 V	-	1W (TC)
2N4959UB	82.5000	RFQ	7655	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif											-			Atteindre non affecté	150-2n4959UB			1
Jans2n5794u / tr	299.6420	RFQ	6670	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/495	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	6 MD, Pas de plomb	2N5794			600mw		U	-			Atteindre non affecté	150-Jans2N5794U / TR			50																			40V	600mA			10µA (ICBO)			2 npn (double)	900 mV @ 30mA, 300mA	100 @ 150mA, 10V	-
Aptgt400da60d3g	171.4013	RFQ	5701	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module d-3	Aptgt400			1250 W	Standard	D3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire																	Arête du Champ de Tranché	600 V	500 A	1,9 V @ 15V, 400A		500 µA	Non	24 nf @ 25 V
Jantx2n3421p	19.5510	RFQ	5251	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/393	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut				1 W		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-Jantx2n3421p			1																			80 V	3 A			5µA			NPN	500 MV @ 200mA, 2A	40 @ 1A, 2V	-
Apt5014bfllg	14.2000	RFQ	4106	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif			Par le trou	À 247-3	Apt5014		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					500 V	35A (TC)		140mohm @ 17,5a, 10v	5V @ 1MA	72 NC @ 10 V		3261 PF @ 25 V	-

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
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