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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Jantx2N5685	-	RFQ	6902	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/464	En gros	Abandonné à sic		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3				300 W		To-3 (to-204aa)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																			60 V	50 a			500 µA			NPN	5V @ 10A, 50A	15 @ 25a, 2v	-
1011GN-2200VP	-	RFQ	8858	Technologie des micropuces	Vice-président	En gros	Actif	150 V			Module		1,03 GHz ~ 1,09 GHz	Ourlet			-	télécharger			Atteindre non affecté	150-1011GN-2200VP	EAR99	8541.29.0095	1			-	300 mA	2200W	19,4 dB											-					50 V
2N4863	15.6541	RFQ	6752	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut				7 W		To-5	-			Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																			120 V	2 A			-			Pnp	-	-	-
AptGl90dsk120t3g	84.9500	RFQ	1136	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP3	Aptgl90			385 W	Standard	SP3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Hopper à double mâle																	Arête du Champ de Tranché	1200 V	110 A	2.25V @ 15V, 75A		250 µA	Oui	4.4 NF @ 25 V
VN3205N3-G	1.6700	RFQ	381	Technologie des micropuces	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	VN3205		MOSFET (Oxyde Métallique)			To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n					50 V	1.2A (TJ)	4,5 V, 10V	300mohm @ 3a, 10v	2,4 V @ 10mA		± 20V	300 pf @ 25 V	-	1W (TC)
2N5545	36.4200	RFQ	5376	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif											-			Atteindre non affecté	150-2n5545			1
2N5794UC	82.9050	RFQ	1661	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	6 MD, Pas de plomb	2N5794			600mw		UC	-			Atteindre non affecté	150-2n5794uc	EAR99	8541.21.0095	1																			40V	600mA			10µA (ICBO)			2 npn (double)	900 mV @ 30mA, 300mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jankcbp2n2907a	-	RFQ	2456	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/291	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN				500 MW		À 18 (à 206aa)	-			Atteindre non affecté	150-JANKCBP2N2907A			100																			60 V	600 mA			50na			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
MSR2N2222AUA	-	RFQ	4228	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/255	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance				500 MW		Ua	-			Atteindre non affecté	150 MSR2N2222AUA			100																			50 V	800 mA			50na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jantx2n2369a	4.6200	RFQ	49	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/317	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2N2369			360 MW		À 18 (à 206aa)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																			15 V				400NA			NPN	450 MV @ 10mA, 100mA	20 @ 100mA, 1V	-
2N3782	33.0450	RFQ	7178	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut				5 W		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-2n3782	EAR99	8541.29.0095	1																			40 V	3 A			-			Pnp	750 mV à 200µA, 1MA	-	-
Jansh2n3439u4 / tr	473.2000	RFQ	2878	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb				800 MW		U4	-			Atteindre non affecté	150-Jansh2n3439U4 / TR			50																			350 V	1 a			2µA			NPN	500 mV @ 4ma, 50mA	40 @ 20mA, 10V	-
Nsc1162	-	RFQ	5135	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif											-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-NSC1162			1
2N4033UB	-	RFQ	1331	Technologie des micropuces	-	En gros	Abandonné à sic		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb				500 MW		Ub	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																			80 V	1 a			10µA (ICBO)			Pnp	1V @ 100mA, 1A	100 @ 100mA, 5V	-
2N2903A	40.8750	RFQ	9843	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif					2N2903						-			Atteindre non affecté	150-2n2903a			1
Jantx2n2222aua / tr	22.3440	RFQ	3420	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/255	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance	2N2222			650 MW		Ub	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	100																			50 V	800 mA			50na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jansd2n3501ub	94.3500	RFQ	1452	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif											-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-Jansd2n3501UB			1
90024-05TX	-	RFQ	5347	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-	Par le trou	To-204aa, to-3						To-3	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté			0000.00.0000	1																							-			-	-	-	-
2N5317	519.0900	RFQ	2781	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Soutien	À 211MA, à 210AC, à 61-4, Étalon				87 W		To-61	-			Atteindre non affecté	150-2n5317	EAR99	8541.29.0095	1																			80 V	10 a			-			Pnp	-	-	-
Jantx2N5415U4	-	RFQ	2523	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/485	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb				1 W		U4	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																			200 V	50 µA			50 µA			Pnp	2v @ 5mA, 50mA	30 @ 50mA, 10V	-
APT28M120L	23.3200	RFQ	6000	Technologie des micropuces	Power MOS 8 ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	APT28M120		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 264 [l]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					1200 V	29A (TC)	10V	530MOHM @ 14A, 10V	5V @ 2,5mA	300 NC @ 10 V	± 30V	9670 PF @ 25 V	-	1135W (TC)
2N3739	39.5010	RFQ	2340	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2				20 W		To-66 (à 213aa)	-			Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																			300 V	1 a			100 µA (ICBO)			NPN	2,5 V @ 25mA, 250mA	25 @ 250mA, 10V	-
Jan2N5153L	12.3158	RFQ	6618	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/545	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut	2N5153			1 W		To-5	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																			80 V	2 A			50 µA			Pnp	1,5 V @ 500mA, 5A	70 @ 2,5a, 5v	-
Jantxv2n5153l	15.8403	RFQ	5227	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/545	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut	2N5153			1 W		To-5	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																			80 V	2 A			50 µA			Pnp	1,5 V @ 500mA, 5A	70 @ 2,5a, 5v	-
Jans2n5152u3	269.3620	RFQ	7017	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/544	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb				1 W		U3 (SMD-0.5)	-			Atteindre non affecté	150-Jans2N5152U3			1																			80 V	2 A			50 µA			NPN	1,5 V @ 500mA, 5A	30 @ 2,5a, 5v	-
APT30F60J	28.7500	RFQ	8138	Technologie des micropuces	Power MOS 8 ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Apt30f60		MOSFET (Oxyde Métallique)			Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					600 V	31A (TC)	10V	150 MOHM @ 21A, 10V	5V @ 2,5mA	215 NC @ 10 V	± 30V	8590 pf @ 25 V	-	355W (TC)
APTGL40H120T1G	75.1207	RFQ	3800	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP1	Aptgl40			220 W	Standard	SP1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Achèvement Pont																	Arête du Champ de Tranché	1200 V	65 A	2.25V @ 15V, 35A		250 µA	Oui	1,95 nf @ 25 V
Jan2N1724	-	RFQ	4048	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/262	En gros	Actif		175 ° C	Soutien	À 211MA, à 210AC, à 61-4, Étalon				3 W		To-61	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																			80 V	300 µA			300 µA			NPN	600mV @ 200mA, 2A	30 @ 2a, 15v	-
MNSKC2N2222A	8.6051	RFQ	8187	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif											-			Atteindre non affecté	150-MNSKC2N2222A			1
Jans2n2219al	68.1750	RFQ	7768	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/251	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut	2N2219			800 MW		To-5	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																			50 V	800 mA			10na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	75 @ 1MA, 10V	-

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
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