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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Tension - Dépression (V (br) GSS)	Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0)	Tension - coupure (VGS off) @ id	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	RÉSISTANCE - RDS (ON)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Jansp2n3635ub	147.1604	RFQ	7353	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance			1,5 w	Ub	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1												140 V	10 µA				10 µA		Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	100 @ 10mA, 10V	-
Jantxv2n1711	76.0760	RFQ	8177	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/225	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			800 MW	To-39 (to-205ad)	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1												30 V	500 mA				10NA (ICBO)		NPN	1,5 V @ 15mA, 150mA	100 @ 150mA, 10V	-
MX2N4093	69.2531	RFQ	4978	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/431	En gros	Actif	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN			360 MW	À 18 (à 206aa)	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1	Canal n	40 V							16pf @ 20V					40 V	8 ma @ 20 V			80 ohms
SG2813L	-	RFQ	8399	Technologie des micropuces	-	Plateau	Actif	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	20-CLCC	SG2813		-	20-CLCC (8.89x8.89)	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-SG2813L	EAR99	8541.29.0095	50												50v	600mA				-		8 npn darlington	1,9 V @ 600µA, 500mA	-	-
MSR2N2907AL	-	RFQ	3796	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/291	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN			500 MW	À 18 (à 206aa)	-			Atteindre non affecté	150-MSR2N2907AL			100												60 V	600 mA				50na		Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N6546T1	349.2000	RFQ	4788	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3			175 W	To-204Ad (to-3)	-			Atteindre non affecté	150-2n6546t1	EAR99	8541.29.0095	1												300 V	15 A				-		NPN	5V @ 3A, 15A	12 @ 5A, 2V	-
Jantx2n2920u / tr	52.4552	RFQ	8444	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/355	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	6 MD, Pas de plomb	2N2920		350mw	U	-			Atteindre non affecté	150-Jantx2N2920U / TR			100												60V	30m				10µA (ICBO)		2 npn (double)	300 mV à 100 µA, 1MA	300 @ 1MA, 5V	-
2N2920L	35.7371	RFQ	6355	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	200 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N2920		350mw	To-78-6	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1												60V	30m				10µA (ICBO)		2 npn (double)	300 mV à 100 µA, 1MA	300 @ 1MA, 5V	-
2C6191-MSCL	24.3450	RFQ	3981	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif								-			Atteindre non affecté	150-2c6191-mscl			1
MQ2N4860UB / TR	80.9438	RFQ	1555	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/385	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			360 MW	Ub	-			Atteindre non affecté	150 MQ2N4860UB / TR			100	Canal n	30 V							18pf @ 10v					30 V	20 mA @ 15 V	2 V @ 500 PA		40 ohms
Jansh2n3439u4	473.2000	RFQ	6883	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			800 MW	U4	-			Atteindre non affecté	150-Jansh2n3439u4			1												350 V	1 a				2µA		NPN	500 mV @ 4ma, 50mA	40 @ 20mA, 10V	-
Janhcd2n5152	-	RFQ	3290	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/544	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			1 W	To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-Janhcd2n5152	EAR99	8541.29.0095	1												80 V	2 A				50 µA		NPN	1,5 V @ 500mA, 5A	30 @ 2,5a, 5v	-
2N2985	27.6600	RFQ	7703	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut			5 W	To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-2n2985	EAR99	8541.29.0095	1												80 V	3 A				-		NPN	-	-	-
APT42F50S	11.1900	RFQ	1036	Technologie des micropuces	Power MOS 8 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Apt42f50	MOSFET (Oxyde Métallique)		D3pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Canal n	500 V	42A (TC)	10V	130MOHM @ 21A, 10V	5V @ 1MA	170 NC @ 10 V	± 30V	6810 PF @ 25 V	-	625W (TC)
Tp2640lg-g	2.4900	RFQ	1	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	TP2640	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 300	Canal p	400 V	86mA (TJ)	2,5 V, 10V	15OHM @ 300mA, 10V	2v @ 1MA		± 20V	300 pf @ 25 V	-	740mw (TA)
Jantxv2n335a	-	RFQ	7797	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	175 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut				To-5	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté			0000.00.0000	1												45 V	10 mA				-		NPN	-	-	-
MNS2N3501UBP	15.5500	RFQ	2594	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/366	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			500 MW	Ub	-			Atteindre non affecté	150-MNS2N3501UBP	EAR99	8541.21.0095	1												150 V	300 mA				10µA (ICBO)		NPN	400 mV @ 15mA, 150mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jantxv2n2222ap	15.7738	RFQ	9255	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN			500 MW	À 18 (à 206aa)	-			Atteindre non affecté	150-Jantxv2n2222ap			1												50 V	800 mA				50na		NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jantx2n3764l	-	RFQ	4057	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif								-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté			0000.00.0000	1
2N3498UB	27.9450	RFQ	7189	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			1 W	Ub	-			Atteindre non affecté	150-2n3498ub	EAR99	8541.29.0095	1												100 V	500 mA				10µA (ICBO)		NPN	600 mV @ 30mA, 300mA	40 @ 150mA, 10V	-
Apt60m75l2llg	50.6400	RFQ	1545	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	APT60M75	MOSFET (Oxyde Métallique)		264 Max ™ [L2]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Canal n	600 V	73A (TC)	10V	75MOHM @ 36,5A, 10V	5V @ 5mA	195 NC @ 10 V	± 30V	8930 pf @ 25 V	-	893W (TC)
2N6191	11.9833	RFQ	8117	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif				2N6191				-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1
Jans2n3740	745.4720	RFQ	5864	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/441	En gros	Actif	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2			25 W	To-66 (à 213aa)	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1												60 V	10 µA				10 µA		Pnp	600 mV à 1,25mA, 1A	30 @ 250mA, 1V	-
Jans2n2904	94.6406	RFQ	3930	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/290	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			800 MW	To-39 (to-205ad)	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1												60 V	1 µA				1 µA		Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
Jantx2N3737	-	RFQ	9942	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/395	En gros	Abandonné à sic	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-46-3			500 MW	To-46 (to-206ab)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1												40 V	1,5 A				10µA (ICBO)		NPN	900 MV à 100MA, 1A	20 @ 1A, 1,5 V	-
Jansf2n2369au	165.6808	RFQ	3882	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/317	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	6-clcc	2N2369A		500 MW	6 LCC	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1												15 V					400NA		NPN	450 MV @ 10mA, 100mA	20 @ 100mA, 1V	-
2N3506	12.8877	RFQ	2041	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			1 W	To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1												40 V	500 mA				-		NPN	500 mV à 50ma, 500mA	40 @ 1.5a, 2v	-
2N2906AUA	27.0788	RFQ	2821	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance	2N2906		500 MW	4 md	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1												60 V	600 mA				50na		Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
Apt20m11jvr	72.3300	RFQ	8308	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Apt20m11	MOSFET (Oxyde Métallique)		Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Canal n	200 V	175a (TC)	10V	11MOHM @ 500mA, 10V	4V @ 5mA	180 NC @ 10 V	± 30V	21600 pf @ 25 V	-	700W (TC)
Jan2N2369AUB	17.1570	RFQ	5447	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/317	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb	2N2369		360 MW	Ub	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1												20 V					400NA		NPN	450 MV @ 10mA, 100mA	20 @ 100mA, 1V	-

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