SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tension - note Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Fréquence Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Évaluation Actullelle (AMPS) Current - Test Puisance - Sortie Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Silhouette Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) Vce (on) (max) @ vge, ic Tension - test COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
1011GN-2200VP Microchip Technology 1011GN-2200VP -
RFQ
ECAD 8858 0,00000000 Technologie des micropuces Vice-président En gros Actif 150 V Module 1,03 GHz ~ 1,09 GHz Ourlet - télécharger Atteindre non affecté 150-1011GN-2200VP EAR99 8541.29.0095 1 - 300 mA 2200W 19,4 dB - 50 V
0912GN-650V Microchip Technology 0912GN-650V -
RFQ
ECAD 1594 0,00000000 Technologie des micropuces V En gros Actif 150 V Support de surface 55 kilomés 960 MHz ~ 1 215 GHz Ourlet 55 kilomés télécharger Atteindre non affecté 150-0912GN-650V EAR99 8541.29.0095 1 - 100 mA 650W 18 dB - 50 V
1214GN-400LV Microchip Technology 1214GN-400LV -
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ECAD 6732 0,00000000 Technologie des micropuces LV En gros Actif 150 V Support de surface 55 kilomés 1,2 GHz ~ 1,4 GHz Ourlet 55 kilomés télécharger Atteindre non affecté 150-1214GN-400LV EAR99 8541.29.0095 1 - 200 mA 400W 16,8 dB - 50 V
0912GN-50LE Microchip Technology 0912GN-50LE -
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ECAD 7718 0,00000000 Technologie des micropuces E En gros Actif 150 V Support de surface 55-QQP 960 MHz ~ 1 215 GHz - 55-QQP télécharger Atteindre non affecté 150-0912GN-50LE EAR99 8541.29.0095 1 - - 30 mA 58W 15,9 dB - 50 V
1214GN-1200VG Microchip Technology 1214GN-1200VG -
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ECAD 3129 0,00000000 Technologie des micropuces Vg En gros Actif 65 V Support de surface 55-Q11A 1,2 GHz ~ 1,4 GHz Ourlet 55-Q11A télécharger Atteindre non affecté 150-1214GN-1200VG EAR99 8541.29.0095 1 - 280 mA 1200W 17 dB - 50 V
MSCSM70AM07T3AG Microchip Technology MSCSM70AM07T3AG 283.3800
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ECAD 2599 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module MSCSM70 Carbure de silicium (sic) 988W (TC) - télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-MSCSM70AM07T3AG EAR99 8541.29.0095 1 2 n canal (phase de la jambe de) 700 V 353A (TC) 6,4MOHM @ 120A, 20V 2,4 V @ 12mA 645nc @ 20v 13500pf @ 700v -
MSCSM120AM03T6LIAG Microchip Technology MSCSM120AM03T6LIAG 1 0000
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ECAD 5001 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module MSCSM120 Carbure de silicium (sic) 3.215KW (TC) - télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-MSCSM120AM03T6LIAG EAR99 8541.29.0095 1 2 n canal (phase de la jambe de) 1200V (1,2 kV) 805a (TC) 3,1MOHM @ 400A, 20V 2,8 V @ 30mA 2320NC @ 20V 30200pf @ 1000v -
MSCSM120AM02T6LIAG Microchip Technology MSCSM120AM02T6LIAG 1 0000
RFQ
ECAD 9695 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module MSCSM120 Carbure de silicium (sic) 3,75 kW (TC) - télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-MSCSM120AM02T6LIAG EAR99 8541.29.0095 1 2 n canal (phase de la jambe de) 1200V (1,2 kV) 947a (TC) 2,6MOHM @ 480A, 20V 2,8 V @ 36mA 2784nc @ 20v 36200pf @ 1000v -
MSCSM70AM19T1AG Microchip Technology Mscsm70am19t1ag 100 9200
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ECAD 10 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module MSCSM70 Carbure de silicium (sic) 365W (TC) - télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-MSCSM70AM19T1AG EAR99 8541.29.0095 1 2 n canal (phase de la jambe de) 700 V 124A (TC) 19MOHM @ 40A, 20V 2,4 V @ 4MA 215nc @ 20v 4500pf @ 700v -
MSCSM70AM025T6AG Microchip Technology MSCSM70AM025T6AG 630.0600
RFQ
ECAD 2214 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module MSCSM70 Carbure de silicium (sic) 1 882 kW (TC) - télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-MSCSM70AM025T6AG EAR99 8541.29.0095 1 2 n canal (phase de la jambe de) 700 V 689a (TC) 3,2MOHM @ 240A, 20V 2,4 V @ 24mA 1290nc @ 20v 27000pf @ 700v -
MSCSM120TAM16TPAG Microchip Technology MSCSM120TAM16TPAG 679.4800
RFQ
ECAD 6026 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module MSCSM120 Carbure de silicium (sic) 728W (TC) - télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-MSCSM120TAM16TPAG EAR99 8541.29.0095 1 6 Canaux N (phase Jambe de) 1200V (1,2 kV) 171a (TC) 16MOHM @ 80A, 20V 2,8 V @ 6mA 464nc @ 20v 6040pf @ 1000v -
SG2813L Microchip Technology SG2813L -
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ECAD 8399 0,00000000 Technologie des micropuces - Plateau Actif -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Support de surface 20-CLCC SG2813 - 20-CLCC (8.89x8.89) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 150-SG2813L EAR99 8541.29.0095 50 50v 600mA - 8 npn darlington 1,9 V @ 600µA, 500mA - -
SG2024J-883B Microchip Technology SG2024J-883B -
RFQ
ECAD 5841 0,00000000 Technologie des micropuces - Plateau Actif -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Par le trou 16 CDIP (0,300 ", 7,62 mm) SG2024 - 16-CERDIP télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 150-SG2024J-883B EAR99 8541.29.0095 1 95V 500mA - 7 npn darlington 1,6 V @ 500µA, 350mA 1000 @ 350mA, 2V -
SG2821J-DESC Microchip Technology SG2821J-DESC -
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ECAD 7302 0,00000000 Technologie des micropuces - Plateau Actif -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Par le trou 18-CDIP (0,300 ", 7,62 mm) SG2821 - 18-CERDIP télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 150-SG2821J-DESC EAR99 8541.29.0095 21 95V 500mA - 8 npn darlington 1,6 V @ 500µA, 350mA 1000 @ 350mA, 2V -
SG2024J Microchip Technology SG2024J -
RFQ
ECAD 9659 0,00000000 Technologie des micropuces - Plateau Actif -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Par le trou 16 CDIP (0,300 ", 7,62 mm) SG2024 - 16-CERDIP télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 150-SG2024J EAR99 8541.29.0095 25 95V 500mA - 7 npn darlington 1,6 V @ 500µA, 350mA 1000 @ 350mA, 2V -
SG2823L-DESC Microchip Technology SG2823L-DESC -
RFQ
ECAD 7343 0,00000000 Technologie des micropuces - Plateau Actif -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Support de surface 20-CLCC SG2823 - 20-CLCC (8.89x8.89) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 150-SG2823L-DESC EAR99 8541.29.0095 50 95V 500mA - 8 npn darlington 1,6 V @ 500µA, 350mA - -
SG2813J Microchip Technology SG2813J -
RFQ
ECAD 7623 0,00000000 Technologie des micropuces - Plateau Actif -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Par le trou 18-CDIP (0,300 ", 7,62 mm) SG2813 - 18-CERDIP télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 150-SG2813J EAR99 8541.29.0095 21 50v 600mA - 8 npn darlington 1,9 V @ 600µA, 500mA - -
SG2023L Microchip Technology SG2023L -
RFQ
ECAD 5733 0,00000000 Technologie des micropuces - Plateau Actif -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Support de surface 20-CLCC SG2023 - 20-CLCC (8.89x8.89) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 150-SG2023L EAR99 8541.29.0095 50 95V 500mA - 7 npn darlington 1,6 V @ 500µA, 350mA 1000 @ 350mA, 2V -
SG2803L-883B Microchip Technology SG2803L-883B -
RFQ
ECAD 9216 0,00000000 Technologie des micropuces - Plateau Actif -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Support de surface 20-CLCC SG2803 - 20-CLCC (8.89x8.89) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 150-SG2803L-883B EAR99 8541.29.0095 50 50v 500mA - 8 npn darlington 1,6 V @ 500µA, 350mA - -
SG2821J Microchip Technology SG2821J -
RFQ
ECAD 7033 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Par le trou 18-CDIP (0,300 ", 7,62 mm) SG2821 - 18-CERDIP télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 150-SG2821J EAR99 8541.29.0095 21 95V 500mA - 8 npn darlington 1,6 V @ 500µA, 350mA 1000 @ 350mA, 2V -
SG2821J-883B Microchip Technology SG2821J-883B -
RFQ
ECAD 1561 0,00000000 Technologie des micropuces - Plateau Actif -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Par le trou 18-CDIP (0,300 ", 7,62 mm) SG2821 - 18-CERDIP télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 150-SG2821J-883B EAR99 8541.29.0095 21 95V 500mA - 8 npn darlington 1,6 V @ 500µA, 350mA 1000 @ 350mA, 2V -
APL602L-1 Microchip Technology APL602L-1 -
RFQ
ECAD 3025 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa MOSFET (Oxyde Métallique) À 264 [l] - Atteindre non affecté 150-APL602L-1 EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 600 V 49a (TC) 12V 125 mohm @ 24,5a, 12v 4V @ 2,5mA ± 30V 9000 pf @ 25 V - 730W (TC)
MIC94030YM4TR Microchip Technology Mic94030ym4tr -
RFQ
ECAD 5977 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 253-4, à 253aa MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-143 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal p 16 V 1a (ta) 450mohm @ 100mA, 10V 1,4 V @ 250µA ± 16V 100 pf @ 12 V - 568mw (TA)
MSC090SMA070S Microchip Technology MSC090SMA070S 8.5300
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa MSC090 Sicfet (carbure de silicium) D3pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 691-MSC090SMA070S EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 700 V 25a (TC) - - - - - -
MSC090SMA070B Microchip Technology MSC090SMA070B 7.6000
RFQ
ECAD 41 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 MSC090 Sicfet (carbure de silicium) À 247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 691-MSC090SMA070B EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 700 V - - - - - - -
MSC080SMA120J Microchip Technology MSC080SMA120J 28.8000
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc MSC080 Sicfet (carbure de silicium) SOT-227 (ISOTOP®) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 691-MSC080SMA120J EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 1200 V 37a (TC) - - - - - -
MSC025SMA120S Microchip Technology MSC025SMA120 41.0600
RFQ
ECAD 634 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa MSC025 Sicfet (carbure de silicium) D3pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 691-MSC025SMA120 EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1200 V 89a (TC) - - - - - -
MSC025SMA120J Microchip Technology MSC025SMA120J 57.1800
RFQ
ECAD 9319 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc MSC025 Sicfet (carbure de silicium) SOT-227 (ISOTOP®) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 691-MSC025SMA120J EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 1200 V 77a (TC) 20V 31MOHM @ 40A, 20V 2,8 V @ 1MA 232 NC @ 20 V + 25V, -10V 3020 pf @ 1000 V - 278W (TC)
APT50GF120JRD Microchip Technology Apt50gf120jrd 48.8200
RFQ
ECAD 4610 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Apt50 460 W Standard SOT-227 (ISOTOP®) - 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-APT50GF120JRD EAR99 8541.29.0095 1 Célibataire - 1200 V 75 A 3,4 V @ 15V, 50A 750 µA Non 3,45 nf @ 25 V
MSC750SMA170B4 Microchip Technology MSC750SMA170B4 5.6100
RFQ
ECAD 137 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-4 Sicfet (carbure de silicium) À 247-4 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-MSC750SMA170B4 EAR99 8541.29.0095 90 Canal n 1700 V 7a (TC) 20V 940mohm @ 2,5a, 20v 3,25 V @ 100µA (TYP) 11 NC @ 20 V + 23v, -10V 184 PF @ 1360 V - 68W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock