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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Jantx2n5237s	21.7588	RFQ	1697	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/394	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N5237			1 W	To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																	120 V	10 a		10 µA	NPN	2,5 V @ 1A, 10A	40 @ 5A, 5V	-
Apt1201r6svfrg	20.0300	RFQ	6754	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif			Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Apt1201		MOSFET (Oxyde Métallique)		D3 [s]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n				1200 V	8A (TC)		1,6 ohm @ 4a, 10v	4V @ 1MA	230 NC @ 10 V		3660 PF @ 25 V	-
Apt23f60b	6.0100	RFQ	5952	Technologie des micropuces	Power MOS 8 ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Apt23f60		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n				600 V	24a (TC)	10V	290MOHM @ 11A, 10V	5V @ 1MA	110 NC @ 10 V	± 30V	4415 PF @ 25 V	-	415W (TC)
Apt20m18lvrg	21.5900	RFQ	1786	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif			Par le trou	À 264-3, à 264aa	APT20M18		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 264 [l]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n				200 V	100A (TC)		18MOHM @ 50A, 10V	4V @ 2,5mA	330 NC @ 10 V		9880 PF @ 25 V	-
APTM120U10SAG	334.2900	RFQ	5529	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6	APTM120		MOSFET (Oxyde Métallique)		SP6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n				1200 V	116a (TC)	10V	120 MOHM @ 58A, 10V	5V @ 20mA	1100 NC @ 10 V	± 30V	28900 pf @ 25 V	-	3290W (TC)
Jan2N3635UB	13.5527	RFQ	5180	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb	2N3635			1,5 w	3 md	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																	140 V	1 a		10 µA	Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	100 @ 50mA, 10V	-
Jantx2N4261UB	-	RFQ	7069	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/511	En gros	Abandonné à sic		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb				200 MW	Ub	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																	15 V	30 mA		10µA (ICBO)	Pnp	350 MV @ 1MA, 10MA	30 @ 10mA, 1V	-
Arf463ap1g	45.0300	RFQ	103	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	500 V			À 247-3	ARF463	81,36 MHz	Mosfet		À 247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Canal n		9A	100W	15 dB											-			125 V
VN0606L-G-P003	1.2200	RFQ	4652	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	VN0606		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n				60 V	330mA (TJ)	10V	3OHM @ 1A, 10V	2v @ 1MA		± 30V	50 pf @ 25 V	-	1W (TC)
Apt50m38jfll	91.5000	RFQ	5847	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif			Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	APT50M38		MOSFET (Oxyde Métallique)		Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n				500 V	88A (TC)		38MOHM @ 44A, 10V	5V @ 5mA	270 NC @ 10 V		12000 pf @ 25 V	-
Jansp2n3634ub / tr	-	RFQ	6199	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance				1 W	Ub	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50																	140 V	10 µA		10 µA	Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	50 @ 50mA, 10V	-
Apt1201r6bvfrg	18.9800	RFQ	3717	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif			Par le trou	À 247-3	Apt1201		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n				1200 V	8A (TC)		1,6 ohm @ 4a, 10v	4V @ 1MA	230 NC @ 10 V		3660 PF @ 25 V	-
2N5758	77.3850	RFQ	1082	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-	Par le trou	To-204aa, to-3				150 W	To-204Ad (to-3)	-			Atteindre non affecté	150-2n5758	EAR99	8541.29.0095	1																	100 V	6 A		-	NPN	-	-	-
Jan2N6211	-	RFQ	9265	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/461	En gros	Actif		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2				3 W	To-66 (à 213aa)	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																	225 V	2 A		5ma	Pnp	1,4 V @ 125mA, 1A	30 @ 1A, 5V	-
Jantxv2n6385	69.1068	RFQ	1126	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/523	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3	2N6385			6 W	To-204aa (to-3)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																	80 V	10 a		1 mA	Npn - darlington	3V @ 100mA, 10A	1000 @ 5A, 3V	-
Jan2N3810U	32.3722	RFQ	5000	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/336	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N3810			350mw	To-78-6	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																	60V	50m		10µA (ICBO)	2 pnp (double)	250 mV à 100 µA, 1MA	150 @ 1MA, 5V	-
Jansg2n2222aubc	305.8602	RFQ	9640	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/255	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb				500 MW	UBC	-			Atteindre non affecté	150-Jansg2N2222AUBC			1																	50 V	800 mA		50na	NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Apt6013jll	38.7000	RFQ	5511	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Apt6013		MOSFET (Oxyde Métallique)		Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n				600 V	39a (TC)	10V	130MOHM @ 19,5A, 10V	5V @ 2,5mA	130 NC @ 10 V	± 30V	5630 pf @ 25 V	-	460W (TC)
TN0104N3-G-P014	0,9800	RFQ	8233	Technologie des micropuces	-	Tape & Box (TB)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	TN0104		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n				40 V	450mA (TA)	3V, 10V	1,8 ohm @ 1a, 10v	1,6 V @ 500µA		± 20V	70 pf @ 20 V	-	1W (TC)
Jan2N6338	101.2529	RFQ	1483	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/509	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3				200 W	To-3	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																	100 V	50 µA		50 µA	NPN	1,8 V @ 2,5A, 25A	30 @ 10a, 2v	-
Apt30m36llg	28.9400	RFQ	2757	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif			Par le trou	À 264-3, à 264aa	APT30M36		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 264 [l]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n				300 V	84a (TC)		36MOHM @ 42A, 10V	5V @ 2,5mA	115 NC @ 10 V		6480 pf @ 25 V	-
2N6297	27.2384	RFQ	6361	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif					2N6297					-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté			0000.00.0000	1
APT1001RBN	-	RFQ	5436	Technologie des micropuces	Power MOS IV®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247ad	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	30		Canal n				1000 V	11a (TC)	10V	1OHM @ 5.5A, 10V	4V @ 1MA	130 NC @ 10 V	± 30V	2950 pf @ 25 V	-	310W (TC)
Aptm20skm08tg	124.1813	RFQ	5590	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP4	APTM20		MOSFET (Oxyde Métallique)		SP4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n				200 V	208a (TC)	10V	10MOHM @ 104A, 10V	5V @ 5mA	280 NC @ 10 V	± 30V	14400 PF @ 25 V	-	781W (TC)
LND250K1-G	0,5300	RFQ	4457	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	LND250		MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23 (à 236ab)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal n				500 V	13MA (TJ)	0v	1000 ohm @ 500µA, 0V	-		± 20V	10 pf @ 25 V	Mode d'Épuiment	360MW (TA)
90025-05TXV	-	RFQ	6121	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-	Par le trou	À 213aa, à 66-2					To-66 (à 213aa)	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté			0000.00.0000	1																				-	-	-	-	-
Jantx2N3250AUB	-	RFQ	5407	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/323	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance	2N3250			360 MW	Ub	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																	60 V	200 mA		10µA (ICBO)	Pnp	500 mV @ 5mA, 50mA	50 @ 10mA, 1V	-
2C3440	9.0307	RFQ	5315	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif										-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-2c3440			1
2N6330	124.7939	RFQ	8703	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif					2N6330					-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1
Jantx2N3439U4	-	RFQ	1353	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif					2N3439					-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1

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