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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Jantxv2n3739	-	RFQ	8904	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/402	En gros	Actif	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2	2N3739		20 W	To-66	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1													300 V	1 a	100 µA (ICBO)	NPN	2,5 V @ 25mA, 250mA	25 @ 250mA, 10V	-
SG2803J-DESC	-	RFQ	2197	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	Par le trou	-	SG2803		-	18-CDI	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	21													50v	500mA	-	8 npn darlington	1,6 V @ 500µA, 350mA	1000 @ 350mA, 2V	-
APTM50UM09FAG	429.7033	RFQ	1447	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6	APTM50	MOSFET (Oxyde Métallique)		SP6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	500 V	497a (TC)	10V	10MOHM @ 248.5A, 10V	5V @ 30mA	1200 NC @ 10 V	± 30V	63300 pf @ 25 V	-	5000W (TC)
Jantx2n5796a	120.3406	RFQ	9483	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/496	En gros	Actif	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N5796		600mw	To-78-6	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1													60V	600mA	10µA (ICBO)	2 pnp (double)	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Tn0104n3-g	1.1600	RFQ	7069	Technologie des micropuces	-	Sac	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	TN0104	MOSFET (Oxyde Métallique)		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	40 V	450mA (TA)	3V, 10V	1,8 ohm @ 1a, 10v	1,6 V @ 500µA		± 20V	70 pf @ 20 V	-	1W (TC)
Jantx2N6283	57.5358	RFQ	2040	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/504	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3			175 W	To-204aa (to-3)	-			Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1													80 V	1 mA	1 mA	Npn - darlington	3V @ 200mA, 20A	1500 @ 1A, 3V	-
Apt38f80l	18.1000	RFQ	10	Technologie des micropuces	Power MOS 8 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Apt38f80	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 264 [l]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	800 V	41A (TC)	10V	240mohm @ 20a, 10v	5V @ 2,5mA	260 NC @ 10 V	± 30V	8070 PF @ 25 V	-	1040W (TC)
Jantxv2n7370	-	RFQ	4350	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/624	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 254-3, à 254aa (Tête Droite)			100 W	À 254aa	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1													100 V	12 A	1 mA	Npn - darlington	3V @ 120mA, 12A	1000 @ 6A, 3V	-
Jans2n2484	52.7104	RFQ	2651	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/376	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2N2484		360 MW	À 18 (à 206aa)	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1													60 V	50 mA	2NA	NPN	300 mV à 100 µA, 1MA	225 @ 10mA, 5V	-
Jantxv2n2605ub / tr	-	RFQ	2339	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/354	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			400 MW	Ub	-			Atteindre non affecté	150-jantxv2n2605ub / tr			50													60 V	30 mA	10na	Pnp	300 mV à 500 µA, 10mA	150 @ 500µA, 5V	-
Jantx2n2904	-	RFQ	6818	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/290	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			800 MW	To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	100													40 V	600 mA	1 µA	Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
2N6989U	59.3712	RFQ	2691	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C	Support de surface	20-CLCC	2N6989		1W	20-CLCC (8.89x8.89)	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté	2N6989UM	EAR99	8541.29.0095	1													50v	800mA	10µA (ICBO)	4 npn (quad)	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
APTM100TA35SCTPG	417.0600	RFQ	4810	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	APTM100	MOSFET (Oxyde Métallique)	390W	SP6-P	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	6 Canaux N (phases Pont 3)		1000v (1kV)	22a		420mohm @ 11a, 10v	5V @ 2,5mA	186nc @ 10v		5200pf @ 25v	-
Jantxv2n3421	17.1171	RFQ	1921	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/393	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut	2N3421		1 W	To-5	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1													80 V	3 A	5µA	NPN	500 MV @ 200mA, 2A	40 @ 1A, 2V	-
Apt43f60l	12.9200	RFQ	4091	Technologie des micropuces	Power MOS 8 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Apt43f60	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 264 [l]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	600 V	45A (TC)	10V	150 MOHM @ 21A, 10V	5V @ 2,5mA	215 NC @ 10 V	± 30V	8590 pf @ 25 V	-	780W (TC)
Jansf2n6987	180 2500	RFQ	2960	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/558	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	14-Dip (0,300 ", 7,62 mm)	2N6987		1,5 w	TO-116	-			Atteindre non affecté	150-Jansf2n6987			1													60V	600mA	10µA (ICBO)	4 pnp (quad)	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Apt77n60sc6	14.4500	RFQ	8181	Technologie des micropuces	CoolMos ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Apt77n60	MOSFET (Oxyde Métallique)		D3pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	600 V	77a (TC)	10V	41mohm @ 44.4a, 10v	3,6 V @ 2,96mA	260 NC @ 10 V	± 20V	13600 pf @ 25 V	-	481W (TC)
Vp2110k1-g	0,8300	RFQ	4564	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	VP2110	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 236ab (SOT23)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal p	100 V	120mA (TJ)	5v, 10v	12OHM @ 500mA, 10V	3,5 V @ 1MA		± 20V	60 pf @ 25 V	-	360MW (TA)
APTM50HM35FG	362.8025	RFQ	4122	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6	APTM50	MOSFET (Oxyde Métallique)	781w	SP6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	4 N-Canal (Demi-pont)		500 V	99a		39MOHM @ 49.5A, 10V	5V @ 5mA	280nc @ 10v		14000pf @ 25v	-
APTM100A13DG	280.3700	RFQ	6924	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6	APTM100	MOSFET (Oxyde Métallique)	1250W	SP6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Canal (Demi-pont)		1000v (1kV)	65a		156MOHM @ 32,5A, 10V	5v @ 6mA	562nc @ 10v		15200pf @ 25v	-
2N3917	78.7200	RFQ	6340	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3			20 W	To-204Ad (to-3)	-			Atteindre non affecté	150-2n3917	EAR99	8541.29.0095	1													40 V	2 A	-	Pnp	-	-	-
Jantx2n6059	70.3969	RFQ	6977	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/502	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3	2N6059		150 W	To-204aa (to-3)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1													100 V	12 A	1 mA	Npn - darlington	3V @ 120mA, 12A	1000 @ 6A, 3V	-
2N3738	39.5010	RFQ	7271	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-	Par le trou	À 213aa, à 66-2			20 W	To-66 (à 213aa)	-			Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1													225 V	1 a	-	Pnp	-	-	-
VN0550N3-G-P013	1.9400	RFQ	354	Technologie des micropuces	-	Ruban de Coupé (CT)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	VN0550	MOSFET (Oxyde Métallique)		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	500 V	50mA (TJ)	5v, 10v	60OHM @ 50mA, 10V	4V @ 1MA		± 20V	55 pf @ 25 V	-	1W (TC)
APT20M120JCU2	39.7700	RFQ	6177	Technologie des micropuces	Power MOS 8 ™	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	APT20M120	MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-227	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	1200 V	20A (TC)	10V	672MOHM @ 14A, 10V	5V @ 2,5mA	300 NC @ 10 V	± 30V	7736 PF @ 25 V	-	543W (TC)
Apt6038sllg	11.3800	RFQ	2727	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif		Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Apt6038	MOSFET (Oxyde Métallique)		D3 [s]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	600 V	17A (TC)		380mohm @ 8,5a, 10v	5V @ 1MA	43 NC @ 10 V		1850 pf @ 25 V	-
MSCMC120AM02CT6LIAG	-	RFQ	8444	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MSCMC120	Carbure de silicium (sic)	3200W (TC)	Sp6c Li	télécharger			Atteindre non affecté	150-MSCMC120AM02CT6LIAG	EAR99	8541.29.0095	1	2 n canal (phase de la jambe de)		1200V (1,2 kV)	742A (TC)		2 85 mohm @ 600a, 20v	4V @ 180mA	1932nc @ 20v		33500pf @ 1000v	-
Apt20m18b2vfrg	26.4900	RFQ	8481	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif		Par le trou	Variante à 247-3	APT20M18	MOSFET (Oxyde Métallique)		T-MAX ™ [B2]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	Q8747305	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	200 V	100A (TC)		18MOHM @ 50A, 10V	4V @ 2,5mA	330 NC @ 10 V		9880 PF @ 25 V	-
APTC60HM45SCTG	210.6100	RFQ	2298	Technologie des micropuces	CoolMos ™	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP4	Aptc60	MOSFET (Oxyde Métallique)	250W	SP4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	4 N-Canal (Demi-pont)		600 V	49a		45MOHM @ 22,5A, 10V	3,9 V @ 3MA	150nc @ 10v		7200pf @ 25v	Super jonction
Jantx2n5004	-	RFQ	9479	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/534	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Châssis, montage	À 210aa, à 59-4, Étalon			2 W	To-59	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1													80 V	5 a	50 µA	NPN	1,5 V @ 500mA, 5A	70 @ 2,5a, 5v	-

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