RFQ
Nager
Contactez-nous

Tél: + 86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Se connecter

Français

Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Jans2n3636ub	-	RFQ	5752	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance			1,5 w		Ub	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50														175 V	10 µA		10 µA			Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	50 @ 50mA, 10V	-
Jansg2n2222a	98.4404	RFQ	2023	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN			500 MW		À 18 (à 206aa)	-			Atteindre non affecté	150-Jansg2n2222a			1														50 V	800 mA		50na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jan2N4931	-	RFQ	8076	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/397	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			1 W		To-39 (to-205ad)	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														250 V	200 mA		250NA (ICBO)			Pnp	1,2 V @ 3MA, 30mA	50 @ 30mA, 10V	-
APTC90AM60T1G	-	RFQ	6910	Technologie des micropuces	CoolMos ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP1	Aptc90	MOSFET (Oxyde Métallique)	462W		SP1	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	100	2 N-Canal (Demi-pont)		900 V	59a		60mohm @ 52a, 10v	3,5 V @ 6mA	540nc @ 10v		13600pf @ 100v	Super jonction
Jansm2n3501ub	94.3500	RFQ	4609	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif									-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-Jansm2n3501UB			1
Jansl2n3057a	127.0302	RFQ	8890	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/391	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206ab, to-46-3 Métal peut			500 MW		To-46	-			Atteindre non affecté	150-Jansl2n3057a			1														80 V	1 a		10na			NPN	500 mV à 50ma, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N3057	9.9150	RFQ	6842	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif									-			Atteindre non affecté	150-2n3057			1
Jansm2n3439u4	413.4420	RFQ	3738	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			800 MW		U4	-			Atteindre non affecté	150-JANSM2N3439U4			1														350 V	1 a		2µA			NPN	500 mV @ 4ma, 50mA	40 @ 20mA, 10V	-
Jantx2n2222aubp	12.4222	RFQ	1220	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			500 MW		Ub	-			Atteindre non affecté	150-Jantx2N2222AUBP			1														50 V	800 mA		50na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jantxv2n3902	64.7311	RFQ	7954	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/371	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3	2N3902		5 W		To-204aa (to-3)	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														400 V	3,5 A		250 µA			NPN	2,5 V @ 700mA, 3.5A	30 @ 1A, 5V	-
Jantx2n2222aub	5.7000	RFQ	1270	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/255	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb	2N2222		500 MW		Ub	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1														50 V	800 mA		50na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
APTGT200SK120G	174.0714	RFQ	4998	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6	APTGT200		890 W	Standard	SP6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire												Arête du Champ de Tranché	1200 V	280 A	2.1V @ 15V, 200A	350 µA	Non	14 nf @ 25 V
Jantx2N4930U4	-	RFQ	7688	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/397	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			1 W		U4	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														200 V	200 mA					Pnp	1,2 V @ 3MA, 30mA	50 @ 30mA, 10V	-
Jantx2n2432aub	226.4724	RFQ	4014	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance					Ub	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté			0000.00.0000	1														30 V	100 mA		-			NPN	-	-	-
MSCSM70AM10T3AG	206.3200	RFQ	4240	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MSCSM70	Carbure de silicium (sic)	690W (TC)		-	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-MSCSM70AM10T3AG	EAR99	8541.29.0095	1	2 n canal (phase de la jambe de)		700 V	241a (TC)		9.5MOHM @ 80A, 20V	2,4 V @ 8mA	430nc @ 20v		9000pf @ 700v	-
Jan2N3739	-	RFQ	9380	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/402	En gros	Actif	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2			20 W		To-66 (à 213aa)	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														300 V	1 a		100 µA (ICBO)			NPN	2,5 V @ 25mA, 250mA	25 @ 250mA, 10V	-
HS2907A	8.1529	RFQ	9022	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif				HS2907					-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1
Jans2n7372	-	RFQ	2330	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/612	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 254-3, à 254aa (Tête Droite)			4 W		À 254aa	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														80 V	5 a		50 µA			Pnp	1,5 V @ 500mA, 5A	70 @ 2,5a, 5v	-
AptGT100DU120TG	127.2500	RFQ	5587	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP4	APTGT100		480 W	Standard	SP4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Source communal double												Arête du Champ de Tranché	1200 V	140 a	2.1V @ 15V, 100A	250 µA	Oui	7.2 NF @ 25 V
Jantx2n2219al	15.1886	RFQ	3614	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/251	En gros	Actif	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N2219		800 MW		To-39	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1														50 V	800 mA		10na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N2219AE3	7.2884	RFQ	6398	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N2219		800 MW		To-39	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-2n2219ae3	EAR99	8541.21.0095	1														50 V	800 mA		10na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Mscsm70am025cd3ag	880.2500	RFQ	4	Technologie des micropuces	-	Boîte	Actif	-	Soutenir de châssis	Module	MSCSM70	Carbure de silicium (sic)	-		D3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-MSCSM70AM025CD3AG	EAR99	8541.29.0095	1	-		700 V	538A (TC)		-	-	-		-	-
Apt6029bllg	13.0700	RFQ	7195	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Apt6029	MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	600 V	21A (TC)		290MOHM @ 10.5A, 10V	5V @ 1MA	65 NC @ 10 V		2615 PF @ 25 V	-	300W (TC)
MSCSM120DUM16T3AG	224.5200	RFQ	3353	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MSCSM120	Carbure de silicium (sic)	745W (TC)		SP3F	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-MSCSM120DUM16T3AG	EAR99	8541.29.0095	1	2 Canaux N (double) couronne source		1200V (1,2 kV)	173a (TC)		16MOHM @ 80A, 20V	2,8 V @ 2MA	464nc @ 20v		6040pf @ 1000v	-
Apt56f50l	13.1000	RFQ	9320	Technologie des micropuces	Power MOS 8 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Apt56f50	MOSFET (Oxyde Métallique)			À 264 [l]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	500 V	56a (TC)	10V	100MOHM @ 28A, 10V	5V @ 2,5mA	220 NC @ 10 V	± 30V	8800 pf @ 25 V	-	780W (TC)
2N7376	324.9000	RFQ	6394	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 254-3, à 254aa			58 W		À 254aa	-			Atteindre non affecté	150-2n7376	EAR99	8541.29.0095	1														200 V	5 a		-			Pnp	-	-	-
Jansm2n2221aub	150.3406	RFQ	7723	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/255	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			500 MW		Ub	-			Atteindre non affecté	150-Jansm2n2221aub			1														50 V	800 mA		50na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
Jantxv2n5003	499.2608	RFQ	2212	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/535	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Châssis, montage	À 210aa, à 59-4, Étalon	2N5003		2 W		To-59	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														80 V	5 a		50 µA			Pnp	1,5 V @ 500mA, 5A	30 @ 2,5a, 5v	-
Jantx2N4238	40.5517	RFQ	4486	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/581	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N4238		1 W		To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														60 V	1 a		100NA (ICBO)			NPN	600 MV à 100MA, 1A	30 @ 250mA, 1V	-
2N5286	287.8650	RFQ	4839	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Soutien	À 210aa, à 59-4, Étalon			50 W		To-59	-			Atteindre non affecté	150-2n5286	EAR99	8541.29.0095	1														100 V	5 a		-			Pnp	1,5 V @ 1MA, 5MA	-	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Transistors (5714)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²