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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Jantx2N5660	-	RFQ	7186	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/454	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	À 213aa, à 66-2	2N5660		2 W		To-66 (à 213aa)	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														200 V	2 A		200na			NPN	800mV @ 400mA, 2A	40 @ 500mA, 5V	-
2N5007	537.9600	RFQ	5622	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Soutien	À 211MA, à 210AC, à 61-4, Étalon			100 W		To-61	-			Atteindre non affecté	150-2n5007	EAR99	8541.29.0095	1														80 V	10 a		-			Pnp	1,5 V @ 1MA, 5MA	-	-
Apt10045jll	46.0900	RFQ	22	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	APT10045	MOSFET (Oxyde Métallique)			Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	Apt10045jllq	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	1000 V	21A (TC)	10V	450mohm @ 11,5a, 10v	5V @ 2,5mA	154 NC @ 10 V	± 30V	4350 pf @ 25 V	-	460W (TC)
Jan2N6987U	57.6821	RFQ	4589	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/558	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	6 MD, Pas de plomb	2N6987		1W		6 mm	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														60V	600mA		10µA (ICBO)			4 pnp (quad)	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jan2N5154U3	134.4763	RFQ	2743	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/544	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			1 W		U3	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														80 V	1 mA		1 mA			NPN	1,5 V @ 500mA, 5A	70 @ 2,5a, 5v	-
Jans2n6988	185.0406	RFQ	2158	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/558	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	14-Dip (0,300 ", 7,62 mm)	2N6988		400mw		TO-116	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1														60V	600mA		10µA (ICBO)			4 pnp (quad)	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N3810U	38.2700	RFQ	100	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N3810		350mw		To-78-6	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1														60V	50m		10µA (ICBO)			2 pnp (double)	250 mV à 100 µA, 1MA	150 @ 1MA, 5V	-
Jan2N6350	-	RFQ	1300	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/472	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ac, to-33-4 Metal Can			1 W		TO-33	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														80 V	5 a		-			Npn - darlington	1,5 V @ 5MA, 5A	2000 @ 5A, 5V	-
DN2535N3-G-P013	0,7500	RFQ	8681	Technologie des micropuces	-	Tape & Box (TB)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	DN2535	MOSFET (Oxyde Métallique)			À 92 (à 226)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	350 V	120mA (TJ)	0v	25OHM @ 120mA, 0V	-		± 20V	300 pf @ 25 V	Mode d'Épuiment	1W (TC)
Jantxv2n6675	177.2092	RFQ	1979	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif				2N6675					-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1
Apt77n60bc6	13.3800	RFQ	3	Technologie des micropuces	CoolMos ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Apt77n60	MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	600 V	77a (TC)	10V	41mohm @ 44.4a, 10v	3,6 V @ 2,96mA	260 NC @ 10 V	± 20V	13600 pf @ 25 V	-	481W (TC)
APTGLQ75H65T1G	84.0900	RFQ	7647	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	SP1	AptGlq75		250 W	Standard	SP1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Achèvement Pont												Arête du Champ de Tranché	650 V	150 A	2.3V @ 15V, 75A	100 µA	Oui	4,62 nf @ 25 V
APTM10DUM02G	305.8400	RFQ	6538	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6	APTM10	MOSFET (Oxyde Métallique)	1250W		SP6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	2 Canaux N (double)		100V	495a		2,5 mohm @ 200a, 10v	4V @ 10mA	1360nc @ 10v		40000pf @ 25v	-
Jantxv2n335	-	RFQ	1020	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	175 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut					To-5	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté			0000.00.0000	1														45 V			-			NPN	-	-	-
Jantxv2n2907al	6.7830	RFQ	4003	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/291	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2N2907		500 MW		À 18	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1														60 V	600 mA		50na			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N4901	45.1535	RFQ	8075	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif				2N4901					-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1
Jans2n2907al	67.8402	RFQ	3033	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/291	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2N2907		500 MW		À 18 (à 206aa)	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1														60 V	600 mA		50na			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jantxv2n3468l	-	RFQ	3374	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/348	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut			1 W		To-5	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	1														50 V	1 a		100 µA (ICBO)			Pnp	1,2 V @ 100mA, 1A	25 @ 500mA, 1V	150 MHz
Jans2n5415u4	-	RFQ	5302	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/485	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			1 W		U4	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														200 V	50 µA		50 µA			Pnp	2v @ 5mA, 50mA	30 @ 50mA, 10V	-
Jan2N2432	-	RFQ	6497	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/313	En gros	Actif	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN			360 MW		À 18 (à 206aa)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1														30 V	100 mA		10na			NPN	150 mV à 500 µA, 10mA	80 @ 1MA, 5V	-
Jans2n3501ub	35.2902	RFQ	4037	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/366	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance			500 MW		Ub	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1														150 V	300 mA		10µA (ICBO)			NPN	400 mV @ 15mA, 150mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N2906AUB	8.5386	RFQ	8926	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb	2N2906		500 MW		Ub	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1														60 V	600 mA		50na			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
Jansg2n2221aubc / tr	276.2402	RFQ	8327	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/255	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			500 MW		UBC	-			Atteindre non affecté	150-Jansg2n2221aubc / tr			50														50 V	800 mA		50na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
APTC60HM70T1G	78.2600	RFQ	9433	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP1	Aptc60	MOSFET (Oxyde Métallique)	250W		SP1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	4 N-Canal (Demi-pont)		600 V	39a		70MOHM @ 39A, 10V	3,9 V @ 2,7mA	259nc @ 10v		7000pf @ 25v	-
Jans2n3737ub	157.2104	RFQ	8701	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/395	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance			500 MW		Ub	-			Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1														40 V	1,5 A		10µA (ICBO)			NPN	900 MV à 100MA, 1A	20 @ 1A, 1,5 V	-
Jansp2n3700	32.9802	RFQ	8935	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/391	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN			500 MW		À 18 (à 206aa)	-			Atteindre non affecté	150-Jansp2n3700			1														80 V	1 a		10na			NPN	500 mV à 50ma, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
APT100GLQ65JU2	28.2300	RFQ	8882	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	APT100		430 W	Standard	Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Hachoir de booster												Arête du Champ de Tranché	650 V	165 A	2.3V @ 15V, 100A	50 µA	Non	6.1 NF @ 25 V
2N2102S	27.0522	RFQ	5066	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif				2N2102					-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1
APTC80H29T3G	59.7800	RFQ	6572	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP3	Aptc80	MOSFET (Oxyde Métallique)	156W		SP3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	4 N-Canal (Demi-pont)		800 V	15A		290MOHM @ 7.5A, 10V	3,9 V @ 1MA	90nc @ 10v		2254pf @ 25v	-
2N5682E3	20.8012	RFQ	9543	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut			1 W		To-5	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	1														120 V	10 µA		10 µA			NPN		40 @ 250mA, 2V	30 MHz

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