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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Jantxv2n6338	131.1247	RFQ	6300	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/509	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3			200 W		To-3	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														100 V	50 µA		50 µA			NPN	1,8 V @ 2,5A, 25A	30 @ 10a, 2v	-
Jansl2n2369aubc / tr	252.7000	RFQ	4437	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			360 MW		UBC	-			Atteindre non affecté	150-Jansl2n2369aubc / tr			50														15 V			400NA			NPN	450 MV @ 10mA, 100mA	20 @ 100mA, 1V	-
2N6033	129.5850	RFQ	3432	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	To-204aa, to-3			140 W		To-204Ad (to-3)	-			Atteindre non affecté	150-2n6033	EAR99	8541.29.0095	1														120 V	40 A		10m			NPN	1V @ 4A, 40A	10 @ 40a, 2v	-
2C3421	4.8545	RFQ	8517	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif									-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-2c3421			1
Jantx2n2222ap	15.0290	RFQ	6039	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN			500 MW		À 18 (à 206aa)	-			Atteindre non affecté	150-Jantx2n2222ap			1														50 V	800 mA		50na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
MSC025SMA120J	57.1800	RFQ	9319	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	MSC025	Sicfet (carbure de silicium)			SOT-227 (ISOTOP®)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	691-MSC025SMA120J	EAR99	8541.29.0095	10		Canal n	1200 V	77a (TC)	20V	31MOHM @ 40A, 20V	2,8 V @ 1MA	232 NC @ 20 V	+ 25V, -10V	3020 pf @ 1000 V	-	278W (TC)
Jansr2n3439ua	-	RFQ	7969	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/368	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance			800 MW		Ua	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	50														350 V	2 µA		2µA			NPN	500 mV @ 4ma, 50mA	40 @ 20mA, 10V	-
Jantx2N3810U	34.5534	RFQ	5355	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/336	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N3810		350mw		To-78-6	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1														60V	50m		10µA (ICBO)			2 pnp (double)	250 mV à 100 µA, 1MA	150 @ 1MA, 5V	-
Jansd2n3700Ub	40.1900	RFQ	3118	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/391	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			500 MW		Ub	-			Atteindre non affecté	150-Jansd2n3700UB			1														80 V	1 a		10na			NPN	500 mV à 50ma, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jansr2n2219a	114.6304	RFQ	2411	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/251	En gros	Actif	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N2219		800 W		To-39 (to-205ad)	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														50 V	800 mA		10na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Apt5016bllg	11.1800	RFQ	2954	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Apt5016	MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	500 V	30a (TC)	10V	160MOHM @ 15A, 10V	5V @ 1MA	72 NC @ 10 V	± 30V	2833 PF @ 25 V	-	329W (TC)
Jantx2N6341	114.3800	RFQ	2653	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/509	En gros	Actif	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3	2N6341		200 W		To-3 (to-204aa)	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														150 V	25 A		10 µA			NPN	1,8 V @ 2,5A, 25A	30 @ 10a, 2v	-
2N2991	27.6600	RFQ	8395	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut			5 W		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-2n2991	EAR99	8541.29.0095	1														80 V	1 a		-			NPN	3V @ 50µA, 200µA	-	-
APTGL475U120DAG	246.7920	RFQ	5233	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6	APTGL475		2307 W	Standard	SP6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire												Arête du Champ de Tranché	1200 V	610 A	2.2 V @ 15V, 400A	4 mA	Non	24,6 nf @ 25 V
Jan2N1613L	103.7400	RFQ	4389	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/181	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut			800 MW		To-5	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1														30 V	500 mA		10µA (ICBO)			NPN	1,5 V @ 15mA, 150mA	40 @ 150mA, 10V	-
2N5666U3	163.0846	RFQ	6680	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	À 276aa	2N5666		1,2 W		U-3 (à 276aa)	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														200 V	5 a		200na			NPN	1V @ 1A, 5A	40 @ 1A, 5V	-
Apt1003rbllg	8.8800	RFQ	3326	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	APT1003	MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	Q12300171	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	1000 V	4A (TC)	10V	3OHM @ 2A, 10V	5V @ 1MA	34 NC @ 10 V	± 30V	694 PF @ 25 V	-	139W (TC)
2N6380	836.8360	RFQ	5550	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-	Soutien	À 211 MO, à 63-4, Étalon			250 W		To-63	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														80 V	50 a		-			Pnp	-	-	-
APT50GLQ65JU2	-	RFQ	9144	Technologie des micropuces	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc			220 W	Standard	Isotop®	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	100	Hachoir de booster												Arête du Champ de Tranché	650 V	80 A	2.3V @ 15V, 50A	50 µA	Non	3.1 NF @ 25 V
Jantxv2n3439l	12.6616	RFQ	9026	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/368	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut	2N3439		800 MW		To-5	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1														350 V	1 a		2µA			NPN	500 mV @ 4ma, 50mA	40 @ 20mA, 10V	-
2N6031	129.5850	RFQ	5524	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-	Par le trou	To-204aa, to-3			200 W		To-204Ad (to-3)	-			Atteindre non affecté	150-2n6031	EAR99	8541.29.0095	1														140 V	16 A		-			Pnp	-	-	-
89100-02TXV	-	RFQ	6225	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-	Par le trou	À 213aa, à 66-2					To-66 (à 213aa)	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté			0000.00.0000	1																	-			-	-	-	-
Jantxv2n3506au4	-	RFQ	9508	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/349	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			1 W		U4	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														40 V	1 µA		1 µA			NPN	1,5 V @ 250mA, 2,5A	50 @ 500mA, 1V	-
2N1613L	19.3382	RFQ	7456	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N1613		800 MW		To-39	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1														30 V	500 mA		10µA (ICBO)			NPN	1,5 V @ 15mA, 150mA	40 @ 150mA, 10V	-
Jans2n3498u4	-	RFQ	2050	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/366	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			1 W		U4	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														100 V	500 mA		50NA (ICBO)			NPN	600 mV @ 30mA, 300mA	40 @ 150mA, 10V	-
Jans2n2222aubc / tr	185.6106	RFQ	8852	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/255	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			500 MW		3 md	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-Jans2N2222AUBC / TR	EAR99	8541.21.0095	1														50 V	800 mA		50na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
APTGLQ100A120T3AG	115.1509	RFQ	4063	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	SP3	APTGLQ100		650 W	Standard	SP3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Demi-pont												Arête du Champ de Tranché	1200 V	185 A	2,4 V @ 15V, 100A	50 µA	Oui	6.15 NF @ 25 V
Jansl2n2369aua	166.7004	RFQ	9800	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/317	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C	Support de surface	4-md, pas d'Avance			500 MW		Ua	-			Atteindre non affecté	150-Jansl2n2369aua			1														15 V			400NA			NPN	450 MV @ 10mA, 100mA	40 @ 10mA, 1v	-
Jan2N657	-	RFQ	6030	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut	2N657				To-5	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														100 V	20 mA		-			NPN	-	-	-
APTGLQ200H120G	378.5700	RFQ	3108	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6	APTGLQ200		1000 W	Standard	SP6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Achèvement Pont												Arête du Champ de Tranché	1200 V	350 A	2,4 V @ 15V, 200A	100 µA	Non	12.3 NF @ 25 V

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