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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Jansl2n2369aua / tr	166.8512	RFQ	1274	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/317	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C	Support de surface	4-md, pas d'Avance	2N2369A		360 MW		Ua	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-Jansl2n2369aua / tr	EAR99	8541.21.0095	1														15 V			400NA			NPN	450 MV @ 10mA, 100mA	20 @ 100mA, 1V	-
Jan2N2604UB / TR	-	RFQ	7872	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/354	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance	2N2604		400 MW		Ub	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-JAN2N2604UB / TR	EAR99	8541.21.0095	1														60 V	30 mA		10na			Pnp	300 mV à 500 µA, 10mA	60 @ 500µA, 5V	-
Jansd2n3500l	41.5800	RFQ	6222	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/366	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut			1 W		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-jansd2n3500l			1														150 V	300 mA		10µA (ICBO)			NPN	400 mV @ 15mA, 150mA	40 @ 150mA, 10V	-
2N5076	287.8650	RFQ	5905	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Soutien	À 210aa, à 59-4, Étalon			40 W		To-59	-			Atteindre non affecté	150-2n5076	EAR99	8541.29.0095	1														250 V	3 A		-			NPN	2V à 300µA, 500 µA	-	-
APT20M45BVFRG	12.2300	RFQ	8440	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	APT20M45	MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	200 V	56a (TC)	10V	45MOHM @ 500mA, 10V	4V @ 1MA	195 NC @ 10 V	± 30V	4860 pf @ 25 V	-	300W (TC)
Jansm2n2907aubc	305.9206	RFQ	2103	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/291	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			500 MW		UBC	-			Atteindre non affecté	150-Jansm2n2907aubc			1														60 V	600 mA		50na			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
MSR2N3501UB	98.5929	RFQ	8851	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif									-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-MSR2N3501UB			1
Jansd2n2907aub / tr	101.4500	RFQ	3019	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/291	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C	Support de surface	3 mm, pas de plomb	2N2907		500 MW		Ub	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-Jansd2n2907AUB / TR	EAR99	8541.21.0095	1														60 V	600 mA		50na			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jantxv2n2219ap	16.7447	RFQ	7074	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/251	En gros	Actif	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			800 MW		To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	150-Jantxv2n2219ap			1														50 V	800 mA		10na			NPN	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N5147	19.4400	RFQ	1223	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut			7 W		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-2n5147	EAR99	8541.29.0095	1														80 V	2 A		-			Pnp	-	-	-
2N4931U4	82.5000	RFQ	2664	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			1 W		U4	-			Atteindre non affecté	150-2n4931u4	EAR99	8541.29.0095	1														250 V	200 mA		250NA (ICBO)			Pnp	1,2 V @ 3MA, 30mA	50 @ 30mA, 10V	-
2N3467	10.5868	RFQ	6176	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N3467		1 W		To-39	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté	2N3467ms	EAR99	8541.21.0075	1														40 V	1 a		100NA			Pnp	1,2 V @ 100mA, 1A	40 @ 1A, 5V	500 MHz
Aptgt50dh170tg	135.5111	RFQ	9269	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP4	Aptgt50		312 W	Standard	SP4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Pont asymétrique												Arête du Champ de Tranché	1700 V	75 A	2,4 V @ 15V, 50A	250 µA	Oui	4.4 NF @ 25 V
Jansm2n2222aub / tr	101.2804	RFQ	5582	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/255	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C	Support de surface	3 mm, pas de plomb			500 MW		Ub	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-Jansm2n2222AUB / TR	EAR99	8541.21.0095	1														50 V	800 mA		50na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jankccm2n3498	-	RFQ	4136	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/366	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			1 W		To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	150-JANKCCM2N3498			100														100 V	500 mA		10µA (ICBO)			NPN	600 mV @ 30mA, 300mA	40 @ 150mA, 10V	-
Jantxv2n2484ub / tr	21.4130	RFQ	3575	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/376	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb	2N2484		360 MW		-	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-jantxv2n2484ub / tr	EAR99	8541.21.0095	1														60 V	50 mA		2NA			NPN	300 mV à 100 µA, 1MA	225 @ 10mA, 5V	-
Jankcbf2n2907a	-	RFQ	6693	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/291	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2N2907		500 MW		À 18	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-JANKCBF2N2907A	EAR99	8541.21.0095	1														60 V	600 mA		50na			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
MVR2N2222AUBC	-	RFQ	3970	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			500 MW		UBC	-			Atteindre non affecté	150-MVR2N2222AUBC			100														50 V	800 mA		50na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N5469	40.8150	RFQ	7834	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-	Par le trou	À 213aa, à 66-2			70 W		To-66 (à 213aa)	-			Atteindre non affecté	150-2n5469	EAR99	8541.29.0095	1														400 V	3 A		-			NPN	-	-	-
MSC025SMA330B4	-	RFQ	1044	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-4	MSC025	Sicfet (carbure de silicium)			À 247-4	-			Atteindre non affecté	150-MSC025SMA330B4	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	3300 V	104A (TC)	20V	31MOHM @ 40A, 20V	2,7 V @ 7mA	410 NC @ 20 V	+ 23v, -10V	8720 PF @ 2640 V	-	-
Apt8020jfll	42.6200	RFQ	8842	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Apt8020	MOSFET (Oxyde Métallique)			Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	800 V	33A (TC)		220 mOhm @ 16,5a, 10v	5V @ 2,5mA	195 NC @ 10 V		5200 pf @ 25 V	-
2N6561	148.1850	RFQ	3530	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-	Par le trou	To-204aa, to-3			125 W		To-204Ad (to-3)	-			Atteindre non affecté	150-2n6561	EAR99	8541.29.0095	1														300 V	10 a		-			NPN	-	-	-
2N6510	78.7200	RFQ	3086	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-	Par le trou	To-204aa, to-3			120 W		To-204Ad (to-3)	-			Atteindre non affecté	150-2n6510	EAR99	8541.29.0095	1														200 V	7 A		-			NPN	-	-	-
Jankccr2n3499	-	RFQ	3622	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/366	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			1 W		To-39 (to-205ad)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-JANKCCR2N3499	EAR99	8541.29.0095	1														100 V	500 mA		10µA (ICBO)			NPN	600 mV @ 30mA, 300mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jansm2n2221aua	150.2006	RFQ	7627	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/255	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance			650 MW		Ua	-			Atteindre non affecté	150-JANSM2N221AUA			1														50 V	800 mA		50na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
2N3636UB / TR	15.4200	RFQ	6475	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			1 W		Ub	-			Atteindre non affecté	150-2n3636UB / TR	EAR99	8541.29.0095	100														175 V	1 a		10 µA			Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	50 @ 50mA, 10V	-
APTC80H15T3G	83.6600	RFQ	1643	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP3	Aptc80	MOSFET (Oxyde Métallique)	277W		SP3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	4 N-Canal (Demi-pont)		800 V	28a		150 mohm @ 14a, 10v	3,9 V @ 2MA	180nc @ 10v		4507pf @ 25v	-
2N930UB	21.5859	RFQ	1379	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif				2n930					-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1
Jans2n5003	-	RFQ	6575	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/535	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Châssis, montage	À 210aa, à 59-4, Étalon			2 W		To-59 / i	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														80 V	50 µA		50 µA			Pnp	1,5 V @ 500mA, 5A	30 @ 2,5a, 5v	-
Jan2N3772	-	RFQ	7263	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/518	En gros	Abandonné à sic	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3			6 W		To-3 (to-204aa)	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1														60 V	20 a		5ma			NPN	4V @ 4A, 20A	15 @ 10A, 4V	-

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Unité de produit standard
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