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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Condition de test	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
2N336T2	65.1035	RFQ	4892	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif					2N336						-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1
2N3498	-	RFQ	1557	Technologie des micropuces	-	En gros	Abandonné à sic		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut					1 W	To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																				100 V	500 mA							10µA (ICBO)	NPN	600 mV @ 30mA, 300mA	40 @ 150mA, 10V	-
Apt12080jvfr	50 5300	RFQ	8078	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif			Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	APT12080			MOSFET (Oxyde Métallique)		Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						1200 V	15A (TC)		800mohm @ 7,5a, 10v	4V @ 2,5mA	485 NC @ 10 V		7800 pf @ 25 V	-
APTM50Hm65ftg	187.6014	RFQ	4185	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP4	APTM50			MOSFET (Oxyde Métallique)	390W	SP4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	4 N-Canal (Demi-pont)							500 V	51a		78MOHM @ 25,5A, 10V	5V @ 2,5mA	140nc @ 10v		7000pf @ 25v	-
2N5323	17.6757	RFQ	7402	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut					10 W	To-5	-			Atteindre non affecté	2N5323MS	EAR99	8541.29.0095	1																				50 V	2 A							-	Pnp	-	-	-
Jantxv2n3499ub / tr	21.6657	RFQ	5033	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/366	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb					1 W	Ub	-			Atteindre non affecté	150-Jantxv2n3499UB / TR			100																				100 V	500 mA							10µA (ICBO)	NPN	600 mV @ 30mA, 300mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jan2N1890	-	RFQ	7963	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/225	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut					800 MW	To-5	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																				80 V	500 mA							10NA (ICBO)	NPN	5V @ 15mA, 150mA	100 @ 150mA, 10V	-
1011GN-125EP	-	RFQ	5957	Technologie des micropuces	EP	En gros	Actif	125 V			Module			1,03 GHz ~ 1,09 GHz	Ourlet		-	télécharger			Atteindre non affecté	150-1011GN-125EP	EAR99	8541.29.0095	1			-		60 mA	150W	18,75 dB											-									50 V
APT31M100L	17.9000	RFQ	4	Technologie des micropuces	Power MOS 8 ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	APT31M100			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 264	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						1000 V	32A (TC)	10V	400mohm @ 16a, 10v	5V @ 2,5mA	260 NC @ 10 V	± 30V	8500 pf @ 25 V	-	1040W (TC)
2N1484	44.3555	RFQ	3668	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 233aa, à 8-3	2N1484				1,75 W	To-8	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																				55 V	3 A							15 µA	NPN	1,20 V @ 75mA, 750A	20 @ 750mA, 4V	-
Apt66m60b2	19.5400	RFQ	9759	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	Variante à 247-3	Apt66m60			MOSFET (Oxyde Métallique)		T-MAX ™ [B2]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						600 V	70A (TC)	10V	100MOHM @ 33A, 10V	5V @ 2,5mA	330 NC @ 10 V	± 30V	13190 pf @ 25 V	-	1135W (TC)
APT18M100B	9.5200	RFQ	53	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	APT18M100			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						1000 V	18A (TC)	10V	700MOHM @ 9A, 10V	5V @ 1MA	150 NC @ 10 V	± 30V	4845 PF @ 25 V	-	625W (TC)
APT1001RBN	-	RFQ	5436	Technologie des micropuces	Power MOS IV®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3				MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247ad	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	30		Canal n						1000 V	11a (TC)	10V	1OHM @ 5.5A, 10V	4V @ 1MA	130 NC @ 10 V	± 30V	2950 pf @ 25 V	-	310W (TC)
APTM50AM17FG	355.3300	RFQ	9695	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6	APTM50			MOSFET (Oxyde Métallique)	1250W	SP6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Canal (Demi-pont)							500 V	180a		20MOHM @ 90A, 10V	5V @ 10mA	560nc @ 10v		28000pf @ 25v	-
Jan2N3740U4	-	RFQ	7926	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/441	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb					25 W	U4	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																				60 V	10 µA							10 µA	Pnp	600 mV à 1,25mA, 1A	30 @ 250mA, 1V	-
APTMC120AM09CT3AG	-	RFQ	9212	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP3	APTMC120			Carbure de silicium (sic)	1250W	SP3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	2 n canal (phase de la jambe de)							1200V (1,2 kV)	295A (TC)		9MOHM @ 200A, 20V	2,4 V @ 40mA (TYP)	644nc @ 20v		11000pf @ 1000v	-
APT34F100L	23.5000	RFQ	5607	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Apt34f100			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 264 [l]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						1000 V	35A (TC)	10V	400MOHM @ 18A, 10V	5V @ 2,5mA	305 NC @ 10 V	± 30V	9835 PF @ 25 V	-	1135W (TC)
Apt6013jll	38.7000	RFQ	5511	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Apt6013			MOSFET (Oxyde Métallique)		Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						600 V	39a (TC)	10V	130MOHM @ 19,5A, 10V	5V @ 2,5mA	130 NC @ 10 V	± 30V	5630 pf @ 25 V	-	460W (TC)
2N5241	37.5858	RFQ	8324	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif					2N5241						-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1
APT100F50J	64.3100	RFQ	9927	Technologie des micropuces	Power MOS 8 ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	APT100			MOSFET (Oxyde Métallique)		Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						500 V	103a (TC)	10V	36MOHM @ 75A, 10V	5V @ 5mA	620 NC @ 10 V	± 30V	24600 PF @ 25 V	-	960W (TC)
Jantx2n3501ub / tr	21.5992	RFQ	3581	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/366	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb					500 MW	Ub	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-Jantx2N3501UB / TR	EAR99	8541.21.0095	1																				150 V	300 mA							10µA (ICBO)	NPN	400 mV @ 15mA, 150mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jantx2n3763	-	RFQ	5109	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/396	En gros	Actif		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N3763				1 W	To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																				60 V	1,5 A							10µA (ICBO)	Pnp	900 MV à 100MA, 1A	20 @ 1A, 1,5 V	-
Jantx2n3420	-	RFQ	3616	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/393	En gros	Abandonné à sic		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut	2N3420				1 W	To-5	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																				60 V	3 A							5µA	NPN	500 MV @ 200mA, 2A	40 @ 1A, 2V	-
Apt30gt60brg	-	RFQ	4848	Technologie des micropuces	Thunderbolt igbt®	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Apt30gt60	Standard			250 W	À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1				400 V, 30A, 10OHM, 15V															NPT	600 V	64 A	110 A	2,5 V @ 15V, 30A	525 µJ (ON), 600 µJ (OFF)	145 NC	12ns / 225ns
Jan2N3019	8.7115	RFQ	4681	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/391	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N3019				800 MW	To-39	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																				80 V	1 a							10µA (ICBO)	NPN	500 mV à 50ma, 500mA	50 @ 500mA, 10V	-
Jantx2n6675	154.0672	RFQ	4256	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/537	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3					6 W	To-3	-			Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																				400 V	1 mA							1 mA	NPN	5V @ 5A, 15A	8 @ 10a, 2v	-
APTM120DA30T1G	69.4500	RFQ	1046	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP1	APTM120			MOSFET (Oxyde Métallique)		SP1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						1200 V	31A (TC)	10V	360mohm @ 25a, 10v	5V @ 2,5mA	560 NC @ 10 V	± 30V	14560 pf @ 25 V	-	657W (TC)
Jan2N6211	-	RFQ	9265	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/461	En gros	Actif		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2					3 W	To-66 (à 213aa)	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																				225 V	2 A							5ma	Pnp	1,4 V @ 125mA, 1A	30 @ 1A, 5V	-
Jantx2N5581	9.0174	RFQ	4866	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/423	En gros	Actif		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206ab, to-46-3 Métal peut	2N5581				500 MW	To-46 (to-206ab)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																				50 V	800 mA							10µA (ICBO)	NPN	1V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
Apt20m18b2vfrg	26.4900	RFQ	8481	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif			Par le trou	Variante à 247-3	APT20M18			MOSFET (Oxyde Métallique)		T-MAX ™ [B2]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	Q8747305	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						200 V	100A (TC)		18MOHM @ 50A, 10V	4V @ 2,5mA	330 NC @ 10 V		9880 PF @ 25 V	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Transistors (5714)

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