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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Aptgt300a60d3g	217.9400	RFQ	5607	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module d-3	Aptgt300			940 W	Standard	D3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Demi-pont																	Arête du Champ de Tranché	600 V	400 A	1,9 V @ 15V, 300A		500 µA	Non	18,5 nf @ 25 V
2N6579	174.6150	RFQ	9865	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3				125 W		To-204Ad (to-3)	-			Atteindre non affecté	150-2n6579	EAR99	8541.29.0095	1																			350 V	12 A			-			NPN	1,5 V @ 500µA, 3MA	-	-
Jantxv2n3762	-	RFQ	9883	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/396	En gros	Actif		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut				1 W		To-39 (to-205ad)	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																			40 V	1,5 A			10µA (ICBO)			Pnp	900 MV à 100MA, 1A	30 @ 1A, 1,5 V	-
Jans2n3634ub / tr	-	RFQ	5375	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance				1 W		Ub	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50																			140 V	10 µA			10 µA			Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	50 @ 50mA, 10V	-
Jansf2n3700ub / tr	49.5902	RFQ	7381	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/391	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 LCC	2N3700			500 MW		Ub	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-Jansf2n3700UB / TR	EAR99	8541.21.0095	1																			80 V	1 a			10na			NPN	500 mV à 50ma, 500mA	50 @ 500mA, 10V	-
Apt8056bvrg	15.8300	RFQ	5558	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif			Par le trou	À 247-3	APT8056		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	2266-APT8056BVRG	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					800 V	16A (TC)		560mohm @ 500mA, 10V	4V @ 1MA	275 NC @ 10 V		4440 PF @ 25 V	-
Jantx2n3635l	11.9700	RFQ	3312	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut	2N3635			1 W		To-5	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																			140 V	1 a			10 µA			Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	100 @ 50mA, 10V	-
MSCSM120DUM08T3AG	395.6500	RFQ	1707	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MSCSM120		Carbure de silicium (sic)	1409W (TC)		SP3F	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-MSCSM120DUM08T3AG	EAR99	8541.29.0095	1	2 Canaux N (double) couronne source						1200V (1,2 kV)	337a (TC)		7,8MOHM @ 80A, 20V	2,8 V @ 4MA	928nc @ 20v		12100pf @ 1000v	-
Apt30gf60ju2	-	RFQ	6554	Technologie des micropuces	-	En gros	Obsolète		-	Soutenir de châssis	Isotop				192 W	Standard	SOT-227	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire																	NPT	600 V	58 A	2,5 V @ 15V, 30A		40 µA	Non	1,85 nf @ 25 V
Jans2n5416	-	RFQ	9929	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif			-	-						-	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1
2N4930	9.5494	RFQ	8174	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N4930			1 W		To-39	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																			200 V	200 mA			250NA (ICBO)			Pnp	1,2 V @ 3MA, 30mA	50 @ 30mA, 10V	-
APTGT200DA120G	174.0714	RFQ	4898	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6	APTGT200			890 W	Standard	SP6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire																	Arête du Champ de Tranché	1200 V	280 A	2.1V @ 15V, 200A		350 µA	Non	14 nf @ 25 V
2N5303	58.2407	RFQ	6780	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3	2N5303			5 W		To-204Ad (to-3)	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté	2N5303M	EAR99	8541.29.0095	1																			80 V	20 a			10 µA			NPN	2V @ 4A, 20A	15 @ 10a, 2v	-
Jantxv2n3724ub	-	RFQ	8721	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance						Ub	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté			0000.00.0000	1																			30 V	500 mA			-			NPN	-	-	-
Aptgt150tl60g	203.2317	RFQ	6012	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6	APTGT150			480 W	Standard	SP6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Onduleur à trois niveaux																	Arête du Champ de Tranché	600 V	200 A	1,9 V @ 15V, 150A		250 µA	Non	9.2 NF @ 25 V
APTGL40X120T3G	112.0000	RFQ	4242	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP3	Aptgl40			220 W	Standard	SP3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Onduleur Triphasé																	Arête du Champ de Tranché	1200 V	65 A	2.25V @ 15V, 35A		250 µA	Oui	1,95 nf @ 25 V
Aptgt200du60tg	118.2500	RFQ	2405	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP4	APTGT200			625 W	Standard	SP4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Source communal double																	Arête du Champ de Tranché	600 V	290 A	1,9 V @ 15V, 200A		250 µA	Oui	12.3 NF @ 25 V
89100-04TXV	-	RFQ	8761	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-	Par le trou	À 213aa, à 66-2						To-66 (à 213aa)	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté			0000.00.0000	1																							-			-	-	-	-
2N336T2	65.1035	RFQ	4892	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif					2N336						-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1
2N3498	-	RFQ	1557	Technologie des micropuces	-	En gros	Abandonné à sic		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut				1 W		To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																			100 V	500 mA			10µA (ICBO)			NPN	600 mV @ 30mA, 300mA	40 @ 150mA, 10V	-
Apt12080jvfr	50 5300	RFQ	8078	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif			Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	APT12080		MOSFET (Oxyde Métallique)			Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					1200 V	15A (TC)		800mohm @ 7,5a, 10v	4V @ 2,5mA	485 NC @ 10 V		7800 pf @ 25 V	-
2N5323	17.6757	RFQ	7402	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut				10 W		To-5	-			Atteindre non affecté	2N5323MS	EAR99	8541.29.0095	1																			50 V	2 A			-			Pnp	-	-	-
Jantxv2n3499ub / tr	21.6657	RFQ	5033	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/366	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb				1 W		Ub	-			Atteindre non affecté	150-Jantxv2n3499UB / TR			100																			100 V	500 mA			10µA (ICBO)			NPN	600 mV @ 30mA, 300mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jan2N1890	-	RFQ	7963	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/225	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut				800 MW		To-5	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																			80 V	500 mA			10NA (ICBO)			NPN	5V @ 15mA, 150mA	100 @ 150mA, 10V	-
1011GN-125EP	-	RFQ	5957	Technologie des micropuces	EP	En gros	Actif	125 V			Module		1,03 GHz ~ 1,09 GHz	Ourlet			-	télécharger			Atteindre non affecté	150-1011GN-125EP	EAR99	8541.29.0095	1			-	60 mA	150W	18,75 dB											-					50 V
APT31M100L	17.9000	RFQ	4	Technologie des micropuces	Power MOS 8 ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	APT31M100		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 264	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					1000 V	32A (TC)	10V	400mohm @ 16a, 10v	5V @ 2,5mA	260 NC @ 10 V	± 30V	8500 pf @ 25 V	-	1040W (TC)
2N1484	44.3555	RFQ	3668	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 233aa, à 8-3	2N1484			1,75 W		To-8	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																			55 V	3 A			15 µA			NPN	1,20 V @ 75mA, 750A	20 @ 750mA, 4V	-
Apt66m60b2	19.5400	RFQ	9759	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	Variante à 247-3	Apt66m60		MOSFET (Oxyde Métallique)			T-MAX ™ [B2]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					600 V	70A (TC)	10V	100MOHM @ 33A, 10V	5V @ 2,5mA	330 NC @ 10 V	± 30V	13190 pf @ 25 V	-	1135W (TC)
APT18M100B	9.5200	RFQ	53	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	APT18M100		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					1000 V	18A (TC)	10V	700MOHM @ 9A, 10V	5V @ 1MA	150 NC @ 10 V	± 30V	4845 PF @ 25 V	-	625W (TC)
APT1001RBN	-	RFQ	5436	Technologie des micropuces	Power MOS IV®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247ad	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	30		Canal n					1000 V	11a (TC)	10V	1OHM @ 5.5A, 10V	4V @ 1MA	130 NC @ 10 V	± 30V	2950 pf @ 25 V	-	310W (TC)

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