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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Jantxv2n930ub / tr	-	RFQ	4440	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb						Ub	-				150-jantxv2n930ub / tr			1																			45 V	30 mA			-			NPN	-	-	-
MSCSM120AM50T1AG	-	RFQ	4866	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MSCSM120		Carbure de silicium (sic)	245W (TC)		-	télécharger			Atteindre non affecté	150-MSCSM120AM50T1AG	EAR99	8541.29.0095	1	2 n canal (phase de la jambe de)						1200V (1,2 kV)	55A (TC)		50mohm @ 40A, 20V	2,7 V @ 1MA	137nc @ 20v		1990pf @ 1000v	-
MSCSM170DUM11T3AG	325.9700	RFQ	5021	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MSCSM170		Carbure de silicium (sic)	1140W (TC)		SP3F	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-MSCSM170DUM11T3AG	EAR99	8541.29.0095	1	2 Canaux N (double) couronne source						1700v (1,7 kV)	240a (TC)		11.3MOHM @ 120A, 20V	3,2 V @ 10mA	712nc @ 20v		13200pf @ 1000v	-
MSR2N3501	-	RFQ	8130	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/366	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut				1 W		To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	150 MSR2N3501			100																			150 V	300 mA			10µA (ICBO)			NPN	400 mV @ 15mA, 150mA	100 @ 150mA, 10V	-
APTCV60HM45BC20T3G	137.9411	RFQ	3879	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP3	Aptcv60			250 W	Standard	SP3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Chopper de booster, Pont Complets																	Arête du Champ de Tranché	600 V	50 a	1,9 V @ 15V, 50A		250 µA	Oui	3,15 nf @ 25 V
2N3904UB	59.6550	RFQ	4175	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif											-			Atteindre non affecté	150-2n3904UB			1
2N5085	287.8650	RFQ	6161	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Soutien	À 210aa, à 59-4, Étalon				20 W		To-59	-			Atteindre non affecté	150-2n5085	EAR99	8541.29.0095	1																			80 V	10 a			-			Pnp	-	-	-
Jankcbr2n2907a	-	RFQ	6257	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/291	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2N2907			500 MW		À 18	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-JANKCBR2N2907A	EAR99	8541.21.0095	1																			60 V	600 mA			50na			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N5339T3	164.9700	RFQ	1300	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut				1 W		To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	150-2n5339t3	EAR99	8541.29.0095	1																			100 V	5 a			100 µA			NPN	1,2 V @ 500mA, 5A	60 @ 2A, 2V	-
Apt10035llg	32.4904	RFQ	7508	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	APT10035		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 264 [l]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					1000 V	28a (TC)	10V	350mohm @ 14a, 10v	5V @ 2,5mA	186 NC @ 10 V	± 30V	5185 PF @ 25 V	-	690W (TC)
Jansl2n2222aubc / tr	279.2920	RFQ	8392	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/255	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb				500 MW		UBC	-			Atteindre non affecté	150-Jansl2n2222AUBC / TR			50																			50 V	800 mA			50na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N5959	519.0900	RFQ	3806	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Soutien	À 211MA, à 210AC, à 61-4, Étalon				175 W		To-61	-			Atteindre non affecté	150-2n5959	EAR99	8541.29.0095	1																			100 V	20 a			-			Pnp	-	-	-
Jantx2n2432ub / tr	-	RFQ	2763	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance						Ub	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-Jantx2N2432UB / TR			1																			30 V	100 mA			-			NPN	-	-	-
LND250K1-G	0,5300	RFQ	4457	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	LND250		MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-23 (à 236ab)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal n					500 V	13MA (TJ)	0v	1000 ohm @ 500µA, 0V	-		± 20V	10 pf @ 25 V	Mode d'Épuiment	360MW (TA)
MSR2N3439	-	RFQ	4579	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/368	En gros	Actif		-55 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut				800 MW		To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	150 MSR2N3439			100																			350 V	1 a			2µA			NPN	500 mV @ 4ma, 50mA	40 @ 20mA, 10V	-
Apt30m61sllg / tr	13.9118	RFQ	2152	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	APT30M61		MOSFET (Oxyde Métallique)			D3pak	télécharger			Atteindre non affecté	150-APT30M61SLLG / TR	EAR99	8541.29.0095	400		Canal n					300 V	54A (TC)	10V	61MOHM @ 27A, 10V	5V @ 1MA	64 NC @ 10 V	± 30V	3720 PF @ 25 V	-	403W (TC)
Arf466fl	148.7910	RFQ	6881	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	1000 V			-	ARF466	40,68 MHz	Mosfet			T3	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	1	Canal n		13A		150W	16 dB											-					150 V
2N6078	63.4350	RFQ	3646	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2				45 W		To-66 (à 213aa)	-			Atteindre non affecté	150-2n6078	EAR99	8541.29.0095	1																			250 V	7 A			-			Pnp	500 mV à 200µA, 1,2 mA	-	-
Mscsm120hm31tbl2ng	246.6500	RFQ	3773	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MSCSM120		Carbure de silicium (sic)	310W		-	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-MSCSM120HM31TBL2NG	EAR99	8541.29.0095	1	4 N-CANAL (PONT EXCLATION)						1200V (1,2 kV)	79a		31MOHM @ 40A, 20V	2,8 V @ 3MA	232nc @ 20v		3020pf à 1000v	-
Jankca2n2919	83.5905	RFQ	5278	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/355	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N2919			350mw		To-78-6	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-Jankca2n2919	EAR99	8541.21.0095	1																			60V	50m			10µA (ICBO)			2 pnp (double)	300 mV à 100 µA, 1MA	150 @ 1MA, 5V	-
Jansr2n3501u4	318.3108	RFQ	1843	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-	-	-	2N3501					-	-			Atteindre non affecté	Jansr2n3501u4ms	EAR99	8541.21.0095	1																							-			-	-	-	-
Jan2N3810U / TR	32.5052	RFQ	8744	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/336	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N3810			350mw		To-78-6	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-Jan2N3810U / TR	EAR99	8541.21.0095	1																			60V	50m			10µA (ICBO)			2 pnp (double)	250 mV à 100 µA, 1MA	150 @ 1MA, 5V	-
Jan2N2919U / TR	43.2250	RFQ	9922	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/355	Ruban Adhésif (tr)	Actif		200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb	2N2919			350mw		3 md	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-JAN2N2919U / TR	EAR99	8541.21.0095	1																			60V	30m			10µA (ICBO)			2 npn (double)	300 mV à 100 µA, 1MA	150 @ 1MA, 5V	-
2N333T2	65.1035	RFQ	6129	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif					2N333						-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1
APT19M120J	47.3100	RFQ	9859	Technologie des micropuces	Power MOS 8 ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	APT19M120		MOSFET (Oxyde Métallique)			Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					1200 V	19A (TC)	10V	530MOHM @ 14A, 10V	5V @ 2,5mA	300 NC @ 10 V	± 30V	9670 PF @ 25 V	-	545W (TC)
2N6279	245.8638	RFQ	8903	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif					2N6279						-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1
Jankcar2n3810	-	RFQ	9345	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/336	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N3810			350mw		To-78-6	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-JANKCAR2N3810	EAR99	8541.21.0095	1																			60V	30m			10µA (ICBO)			2 npn (double)	250 mV à 100 µA, 1MA	150 @ 1MA, 5V	-
2N335T2	65.1035	RFQ	4880	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif					2N335						-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1
APT37F50S	7.8800	RFQ	1630	Technologie des micropuces	Power MOS 8 ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Apt37f50		MOSFET (Oxyde Métallique)			D3pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					500 V	37a (TC)	10V	150MOHM @ 18A, 10V	5V @ 1MA	145 NC @ 10 V	± 30V	5710 pf @ 25 V	-	520W (TC)
0912GN-15E	-	RFQ	1408	Technologie des micropuces	E	En gros	Actif	150 V		Support de surface	55-QQ		960 MHz ~ 1 215 GHz	-			55-QQ	télécharger			Atteindre non affecté	150-0912GN-15E	EAR99	8541.29.0095	1	-		-	10 mA	19W	18.1 dB											-					50 V

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