SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tension - note Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Fréquence Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Évaluation Actullelle (AMPS) Condition de test Current - Test Puisance - Sortie Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Silhouette Temps de réménage inversé (TRR) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C Tension - test COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
JAN2N6385 Microchip Technology Jan2N6385 -
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ECAD 2639 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PF-19500/523 En gros Abandonné à sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou To-204aa, to-3 6 W To-204aa (to-3) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 80 V 10 a 1 mA Npn - darlington 3V @ 100mA, 10A 1000 @ 5A, 3V -
SG2023J-DESC Microchip Technology SG2023J-DESC -
RFQ
ECAD 8153 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou 16 CDIP (0,300 ", 7,62 mm) SG2023 - 16-CDI télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 95V 500mA - 7 npn darlington 1,6 V @ 500µA, 350mA 1000 @ 350mA, 2V -
2N930UB/TR Microchip Technology 2N930UB / TR 22.8600
RFQ
ECAD 3771 0,00000000 Technologie des micropuces - Ruban Adhésif (tr) Actif 200 ° C (TJ) Support de surface 4-md, pas d'Avance Ub - 100 45 V 30 mA - NPN - - -
2N3016 Microchip Technology 2N3016 31.9050
RFQ
ECAD 2797 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-205aa, to-5-3 Métal Peut 5 W To-5aa - Atteindre non affecté 150-2n3016 EAR99 8541.29.0095 1 50 V - NPN - - -
JANTX2N7371 Microchip Technology Jantx2N7371 -
RFQ
ECAD 1979 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/623 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou À 254-3, à 254aa (Tête Droite) 100 W À 254 - Rohs non conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 100 V 1 mA 1 mA PNP - Darlington 3V @ 120mA, 12A 1000 @ 6A, 3V -
2N5330 Microchip Technology 2N5330 519.0900
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ECAD 5710 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Soutien À 211MA, à 210AC, à 61-4, Étalon 140 W To-61 - Atteindre non affecté 150-2n5330 EAR99 8541.29.0095 1 90 V 20 a - Pnp 1,8 V @ 2MA, 10MA - -
JANTX2N2484UB/TR Microchip Technology Jantx2n2484ub / tr 17.4762
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ECAD 7910 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/376 Ruban Adhésif (tr) Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Support de surface 3 mm, pas de plomb 2N2484 360 MW Ub - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 150-Jantx2N2484UB / TR EAR99 8541.21.0095 1 60 V 50 mA 2NA NPN 300 mV à 100 µA, 1MA 225 @ 10mA, 5V -
APT30F50S Microchip Technology Apt30f50 6.4200
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ECAD 4566 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS 8 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Apt30f50 MOSFET (Oxyde Métallique) D3pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 500 V 30a (TC) 10V 190MOHM @ 14A, 10V 5V @ 1MA 115 NC @ 10 V ± 30V 4525 PF @ 25 V - 415W (TC)
SG2821L-883B Microchip Technology SG2821L-883B -
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ECAD 6741 0,00000000 Technologie des micropuces - Plateau Actif -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Support de surface 20-CLCC SG2821 - 20-CLCC (8.89x8.89) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 150-SG2821L-883B EAR99 8541.29.0095 50 95V 500mA - 8 npn darlington 1,6 V @ 500µA, 350mA 1000 @ 350mA, 2V -
JANKCAP2N3637 Microchip Technology Jankcap2n3637 -
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ECAD 3492 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PF-19500/357 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-205ad, to-39-3 Métal peut 1 W To-39 (to-205ad) - Atteindre non affecté 150-JANKCAP2N3637 100 175 V 1 a 10 µA Pnp 600 MV à 5MA, 50mA 100 @ 50mA, 10V -
JAN2N4449UA Microchip Technology Jan2N4449UA 29.6058
RFQ
ECAD 5955 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PF-19500/317 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Support de surface 4-md, pas d'Avance 500 MW Ua - Atteindre non affecté 150-JAN2N449UA EAR99 8541.21.0095 1 15 V 400NA NPN 450 MV @ 10mA, 100mA 40 @ 10mA, 1v -
2N6279 Microchip Technology 2N6279 245.8638
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ECAD 8903 0,00000000 Technologie des micropuces * En gros Actif 2N6279 - Rohs non conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1
2N5759 Microchip Technology 2N5759 77.3850
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ECAD 2024 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif - Par le trou To-204aa, to-3 150 W To-204Ad (to-3) - Atteindre non affecté 150-2n5759 EAR99 8541.29.0095 1 120 V 6 A - Pnp - - -
2N5662 Microchip Technology 2N5662 21.1736
RFQ
ECAD 3918 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-205aa, to-5-3 Métal Peut 2N5662 1 W To-5 télécharger Rohs non conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 200 V 2 A 200na NPN 800mV @ 400mA, 2A 40 @ 500mA, 5V -
APT5020BNFR Microchip Technology Apt5020bnfr -
RFQ
ECAD 4728 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS IV® Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247ad - 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 500 V 28a (TC) 10V 200 mohm @ 14a, 10v 4V @ 1MA 210 NC @ 10 V ± 30V 3500 pf @ 25 V - 360W (TC)
JANSL2N2907AUB/TR Microchip Technology Jansl2n2907aub / tr 101.4500
RFQ
ECAD 5703 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/291 Ruban Adhésif (tr) Actif -65 ° C ~ 200 ° C Support de surface 3 mm, pas de plomb 2N2907 500 MW Ub - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 150-Jansl2n2907aub / tr EAR99 8541.21.0095 1 60 V 600 mA 50na Pnp 1,6 V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V -
JAN2N2907AP Microchip Technology Jan2N2907AP 10.5070
RFQ
ECAD 8786 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/291 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN 500 MW À 18 (à 206aa) - Atteindre non affecté 150-JAN2N2907AP EAR99 8541.21.0095 1 60 V 600 mA 50na Pnp 1,6 V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V -
MSR2N2369AUA/TR Microchip Technology MSR2N2369AUA / TR 174.3497
RFQ
ECAD 6353 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500 Ruban Adhésif (tr) Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Support de surface 4-md, pas d'Avance 360 MW Ua - Atteindre non affecté 150 MSR2N2369AUA / TR 100 15 V 400NA NPN 250 MV @ 3MA, 30MA 40 @ 10mA, 1v -
VRF2933MP Microchip Technology VRF2933MP 333.0300
RFQ
ECAD 10 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif 170 V M177 VRF2933 150 MHz Mosfet M177 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 1 Canal n 2MA 250 mA 300W 25 dB - 50 V
TN0106N3-G-P003 Microchip Technology TN0106N3-G-P003 1.1600
RFQ
ECAD 988 0,00000000 Technologie des micropuces - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) TN0106 MOSFET (Oxyde Métallique) To-92-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 60 V 350mA (TJ) 4,5 V, 10V 3OHM @ 500mA, 10V 2V @ 500µA ± 20V 60 pf @ 25 V - 1W (TC)
MSCMC90AM12C3AG Microchip Technology MSCMC90AM12C3AG -
RFQ
ECAD 4091 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif - Soutenir de châssis Module MSCMC90 Carbure de silicium (sic) - SP3F télécharger Atteindre non affecté 150-MSCMC90AM12C3AG EAR99 8541.29.0095 1 - 900 V 110a (TC) - - - - -
JANTX2N4235L Microchip Technology Jantx2n4235l 40.5517
RFQ
ECAD 9866 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-205ad, to-39-3 Métal peut 1 W To-39 (to-205ad) - Atteindre non affecté 150-Jantx2N4235L 1 60 V 1 a 1 mA Pnp 600 MV à 100MA, 1A 40 @ 100mA, 1v -
APT9M100S/TR Microchip Technology APT9M100S / TR 6.9400
RFQ
ECAD 400 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS 8 ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Apt9m100 MOSFET (Oxyde Métallique) D3pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-APT9M100S / TR EAR99 8541.29.0095 400 Canal n 1000 V 9A (TC) 10V 1,4 ohm @ 5a, 10v 5V @ 1MA 80 NC @ 10 V ± 30V 2605 PF @ 25 V - 335W (TC)
APT56M60L Microchip Technology APT56M60L 15.8800
RFQ
ECAD 1958 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Apt56m60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 600 V 60a (TC) 10V 130 mohm @ 28a, 10v 5V @ 2,5mA 280 NC @ 10 V ± 30V 11300 pf @ 25 V - 1040W (TC)
2N5149 Microchip Technology 2N5149 19.4400
RFQ
ECAD 9750 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif - Par le trou To-205aa, to-5-3 Métal Peut 7 W To-5aa - Atteindre non affecté 150-2n5149 EAR99 8541.29.0095 1 80 V 2 A - Pnp - - -
APL502B2G Microchip Technology APL502B2G 55.1100
RFQ
ECAD 7624 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Apl502 MOSFET (Oxyde Métallique) T-MAX ™ [B2] télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 500 V 58A (TC) 15V 90MOHM @ 29A, 12V 4V @ 2,5mA ± 30V 9000 pf @ 25 V - 730W (TC)
JANS2N3506L Microchip Technology Jans2n3506l 70.3204
RFQ
ECAD 2739 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/349 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-205aa, to-5-3 Métal Peut 1 W To-5aa - Atteindre non affecté 150-jans2n3506l 1 40 V 3 A 1 µA NPN 1,5 V @ 250mA, 2,5A 50 @ 500mA, 1V -
JANTX2N5794U/TR Microchip Technology Jantx2n5794u / tr 135.3008
RFQ
ECAD 2698 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/495 Ruban Adhésif (tr) Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Support de surface 6 MD, Pas de plomb 2N5794 600mw U - Atteindre non affecté 150-Jantx2N5794U / TR 50 40V 600mA 10µA (ICBO) 2 npn (double) 900 mV @ 30mA, 300mA 100 @ 150mA, 10V -
APT36GA60SD15 Microchip Technology Apt36ga60sd15 7.9300
RFQ
ECAD 1865 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS 8® Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Apt36ga60 Standard 290 W D3pak télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-APT36GA60SD15 EAR99 8541.29.0095 1 400V, 20A, 10OHM, 15V 19 ns Pt 600 V 65 A 109 A 2,5 V @ 15V, 20A 307µJ (ON), 254µJ (OFF) 102 NC 16NS / 122NS
CMLRGLQ80V601AMXG-AS Microchip Technology CMLRGLQ80V601AMXG-AS -
RFQ
ECAD 8426 0,00000000 Technologie des micropuces * Plateau Obsolète - 150-CMLRGLQ80V601AMXG-AS OBSOLÈTE 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock