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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Fréquence	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Condition de test	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
0912GN-100LV	-	RFQ	4015	Technologie des micropuces	LV	En gros	Actif	150 V		Support de surface	55 kilomés			960 MHz ~ 1 215 GHz	Ourlet			55 kilomés	télécharger			Atteindre non affecté	150-0912GN-100LV	EAR99	8541.29.0095	1			-		70 mA	110W	17,5 dB											-										50 V
Jansr2n2920u	275.9500	RFQ	8530	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/355	Plateau	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	6 MD, Pas de plomb	2N2920				350mw		6 mm	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																					60V	30m							10µA (ICBO)			2 npn (double)	300 mV à 100 µA, 1MA	300 @ 1MA, 5V	-
Jansl2n5154u3	232.1916	RFQ	7064	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb					1 W		U3 (SMD-0.5)	-			Atteindre non affecté	150-Jansl2n5154u3			1																					80 V	2 A							50 µA			NPN	1,5 V @ 500mA, 5A	70 @ 2,5a, 5v	-
Jan2N1711	-	RFQ	9574	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/225	En gros	Abandonné à sic		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut					800 MW		To-5	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																					30 V	500 mA							10NA (ICBO)			NPN	1,5 V @ 15mA, 150mA	100 @ 150mA, 10V	-
TC2320TG-G	1.9300	RFQ	4	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	TC2320			MOSFET (Oxyde Métallique)	-		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 300	Canal n et p							200 V	-		7OHM @ 1A, 10V	2v @ 1MA	-		110pf @ 25v	-
2N2222AP	18h0000	RFQ	9907	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN					500 MW		À 18 (à 206aa)	-			Atteindre non affecté	150-2n2222ap	EAR99	8541.21.0095	1																					50 V	800 mA							50na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N5427	27.7039	RFQ	6038	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-	Par le trou	À 213aa, à 66-2	2N5427				40 W		To-66	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																					80 V	7 A							-			Pnp	-	30 @ 7a, 80v	-
Jantxv2n1717s	-	RFQ	3463	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		175 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut							To-39 (to-205ad)	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté			0000.00.0000	1																					100 V	750 mA							-			NPN	-	-	-
Apt37f50b	6.8300	RFQ	4394	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Apt37f50			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						500 V	37a (TC)	10V	150MOHM @ 18A, 10V	5V @ 1MA	145 NC @ 10 V	± 30V	5710 pf @ 25 V	-	520W (TC)
Jan2N706	-	RFQ	3623	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif			-	-							-	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1
APTM20UM04SAG	284.9220	RFQ	8694	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6	APTM20			MOSFET (Oxyde Métallique)			SP6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						200 V	417a (TC)	10V	5MOHM @ 208.5A, 10V	5V @ 10mA	560 NC @ 10 V	± 30V	28800 pf @ 25 V	-	1560W (TC)
Jansf2n3810u / tr	342.8508	RFQ	1171	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/336	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	6 MD, Pas de plomb	2N3810				350mw		U	-			Atteindre non affecté	150-jansf2n3810u / tr			50																					60V	50m							10µA (ICBO)			2 pnp (double)	250 mV à 100 µA, 1MA	150 @ 1MA, 5V	-
Apt29f100b2	18.9800	RFQ	43	Technologie des micropuces	Power MOS 8 ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	Variante à 247-3	Apt29f100			MOSFET (Oxyde Métallique)			T-MAX ™ [B2]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						1000 V	30a (TC)	10V	440MOHM @ 16A, 10V	5V @ 2,5mA	260 NC @ 10 V	± 30V	8500 pf @ 25 V	-	1040W (TC)
Jantx2N3418S	18.9791	RFQ	8047	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/393	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N3418				1 W		To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																					60 V	3 A							5µA			NPN	500 MV @ 200mA, 2A	20 @ 1A, 2V	-
Jan2N2221AUB / TR	6.8495	RFQ	9085	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/255	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb					500 MW		Ub	-			Atteindre non affecté	150-JAN2N2221AUB / TR	EAR99	8541.21.0095	102																					50 V	800 mA							50na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
Jan2N5004	416.0520	RFQ	3317	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/534	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Châssis, montage	À 210aa, à 59-4, Étalon	2N5004				2 W		To-59	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																					80 V	5 a							50 µA			NPN	1,5 V @ 500mA, 5A	70 @ 2,5a, 5v	-
Jansm2n3019	114.8808	RFQ	6135	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/391	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut					800 MW		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-Jansm2n3019			1																					80 V	1 a							10na			NPN	500 mV à 50ma, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
MSCSM120XM50CTYZBNMG	-	RFQ	9453	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module				Carbure de silicium (sic)	196W (TC), 315W (TC)		-	télécharger	Rohs3 conforme						1	6 Canaux N (phases Pont 3)							1200 V	49A (TC), 80A (TC)		50MOHM @ 40A, 20V, 31MOHM @ 40A, 20V	2.7 V @ 2MA, 2,8 V @ 3MA	137nc @ 20v, 232nc @ 20V		1990pf @ 1000v, 3020pf @ 1000v	Carbure de silicium (sic)
SG2013J-883B	-	RFQ	2231	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	-	SG2013				-		16-CDI	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25																					50v	600mA							-			7 npn darlington	1,9 V @ 600µA, 500mA	900 @ 500mA, 2V	-
2N4150S	8.1130	RFQ	2516	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N4150				1 W		To-39	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																					70 V	10 a							10 µA			NPN	2,5 V @ 1A, 10A	50 @ 1A, 5V	-
APTM100A13SG	288.3400	RFQ	4657	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6	APTM100			MOSFET (Oxyde Métallique)	1250W		SP6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Canal (Demi-pont)							1000v (1kV)	65a		156MOHM @ 32,5A, 10V	5v @ 6mA	562nc @ 10v		15200pf @ 25v	-
Jantxv2n3440l	-	RFQ	7131	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/368	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut	2N3440				800 MW		To-5	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																					250 V	1 a							2µA			NPN	500 mV @ 4ma, 50mA	40 @ 20mA, 10V	-
APT15GT120BRDQ1G	4.7082	RFQ	9163	Technologie des micropuces	Thunderbolt igbt®	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	APT15GT120	Standard			250 W		À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1				800V, 15A, 5OHM, 15V																NPT	1200 V	36 A	45 A	3,6 V @ 15V, 15A	585µJ (ON), 260µJ (OFF)	105 NC	10ns / 85ns
Jantxv2n2906aua	29.6058	RFQ	7782	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/291	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance	2N2906				500 MW		4 md	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																					60 V	600 mA							50na			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
Mscsm120hrm08ng	682.5700	RFQ	3128	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module				Carbure de silicium (sic)	1.253KW (TC), 613W (TC)		-	-				150-MSCSM120HRM08NG			1	4-CANAUX (Onduleur à Trois Niveaux)							1200 V (1,2 kV), 700 V	317A (TC), 227A (TC)		7,8MOHM @ 160A, 20V, 9,5MOHM @ 80A, 20V	2,8 V @ 12MA, 2,4 V @ 8MA	928nc @ 20v, 430nc @ 20V		12100pf @ 1000v, 9000pf @ 700V	Carbure de silicium (sic)
Aptgf90h60t3g	-	RFQ	6592	Technologie des micropuces	-	En gros	Obsolète		-	Soutenir de châssis	SP3					416 W	Standard	SP3	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	1	ONDULEUR DE PONT ACHET																			NPT	600 V	120 A		2 45 V @ 15V, 100A					250 µA	Oui	4.4 NF @ 25 V
Apt33gf120brg	9.2100	RFQ	3376	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Apt33gf120	Standard			297 W		À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1				-																NPT	1200 V	52 A	104 A	3.2V @ 15V, 25A	2,8mj (on), 2,8mj (off)	170 NC	25NS / 210NS
Mscsm70tlm10c3ag	384.2800	RFQ	14	Technologie des micropuces	-	Boîte	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	Module	MSCSM70			Carbure de silicium (sic)	690W (TC)		Module	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	4 N-Canal							700 V	241a (TC)		9.5MOHM @ 80A, 20V	2,4 V @ 8mA (TYP)	430nc @ 20v		9000pf @ 700v	-
APT50GN60BDQ3G	10.6000	RFQ	177	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	APT50GN60	Standard			366 W		À 247-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-APT50GN60BDQ3G	EAR99	8541.29.0095	1				400V, 50A, 4,3 ohms, 15v															35 ns	Arête du Champ de Tranché	600 V	107 A	150 a	1,85 V @ 15V, 50A	1 185MJ (ON), 1 565MJ (OFF)	325 NC	20ns / 230ns
Jantx2N2219	-	RFQ	3328	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/251	En gros	Abandonné à sic		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N2219				800 MW		To-39	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																					30 V	800 mA							10na			NPN	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
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