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Transistors (3592)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Condition de test | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Temps de réménage inversé (TRR) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | R6004enx | 1.6400 |  | 109 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | R6004 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 600 V | 4A (TC) | 10V | 980mohm @ 1,5a, 10v | 4V @ 1MA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 250 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||
| R6009enx | 3 5500 | | 397 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | R6009 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 600 V | 9A (TC) | 10V | 535MOHM @ 2,8A, 10V | 4V @ 1MA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 430 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||
| R6030enx | 5.8900 | | 2756 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | R6030 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 600 V | 30a (TC) | 10V | 130MOHM @ 14,5A, 10V | 4V @ 1MA | 85 NC @ 10 V | ± 30V | 2100 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||
| Rcx511n25 | 3.1700 | | 450 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Rcx511 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 250 V | 51A (TC) | 10V | 65MOHM @ 25,5A, 10V | 5V @ 1MA | 120 NC @ 10 V | ± 30V | 7000 pf @ 25 V | - | 2.23W (TA), 40W (TC) | ||||||||||||||
 | R5009fnjtl | 1.1754 | | 4105 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | R5009 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Lpts | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 500 V | 9A (TC) | 10V | 840MOHM @ 4.5A, 10V | 4V @ 1MA | 18 NC @ 10 V | ± 30V | 630 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||
 | R6002endtl | 0,2832 | | 3999 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | R6002 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Cpt3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 600 V | 1.7A (TC) | 10V | 3,4 ohm @ 500mA, 10V | 4V @ 1MA | 6,5 NC @ 10 V | ± 20V | 65 PF @ 25 V | - | 20W (TC) | ||||||||||||||
 | Sh8m41gzetb | 1.4800 | | 5107 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Sh8m41 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2W | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n et p | 80V | 3.4a, 2.6a | 130 mohm @ 3,4a, 10v | 2,5 V @ 1MA | 9.2nc @ 5v | 600pf @ 10v | Porte de Niveau Logique, Leilleur 4V | ||||||||||||||||
| Rdd023n50tl | - | | 1196 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Rdd023 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Cpt3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 500 V | 2A (TC) | 4V, 10V | 5.4OHM @ 1A, 10V | 2v @ 1MA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 151 pf @ 25 V | - | 20W (TC) | ||||||||||||||
 | Rs1g150mntb | 0,9800 | | 3335 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | Rs1g | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-HSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 15A (TA) | 4,5 V, 10V | 10,6MOHM @ 15A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 930 pf @ 20 V | - | 3W (TA), 25W (TC) | ||||||||||||||
| Rs1g260mntb | 1.9900 | | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | Rs1g | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-HSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 26A (TA) | 4,5 V, 10V | 3,3MOHM @ 26A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 2988 PF @ 20 V | - | 3W (TA), 35W (TC) | ||||||||||||||
 | Es6u1t2r | 0,4000 | | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6 mm, plombes plombes | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 wemt | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 8 000 | Canal p | 12 V | 1.3A (TA) | 1,5 V, 4,5 V | 260MOHM @ 1,3A, 4,5 V | 1v @ 1MA | 2,4 NC @ 4,5 V | ± 10V | 290 pf @ 6 V | Diode Schottky (isolé) | 700MW (TA) | |||||||||||||||
 | RQ3E150BNTB | 0,6600 | | 5410 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | RQ3E150 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-HSMT (3.2x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 15A (TA) | 4,5 V, 10V | 5,3MOHM @ 15A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 3000 pf @ 15 V | - | 2W (ta) | ||||||||||||||
 | RQ5A030APTL | 0.4400 | | 26 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-96 | RQ5A030 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Tsmt3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 12 V | 3a (ta) | 1,5 V, 4,5 V | 62MOHM @ 3A, 4,5 V | 1v @ 1MA | 16 NC @ 4,5 V | -8v | 2000 pf @ 6 V | - | 1W (ta) | ||||||||||||||
 | RT1C060UNTR | 0 2213 | | 7445 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | RT1C060 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8 TS | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 6a (ta) | 1,5 V, 4,5 V | 28MOHM @ 6A, 4,5 V | 1v @ 1MA | 11 NC @ 4,5 V | ± 10V | 870 pf @ 10 V | - | 650mw (TA) | ||||||||||||||
| TT8J11TCR | 0,6600 | | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | TT8J11 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 650mw | 8 TS | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 12V | 3.5a | 43MOHM @ 3,5A, 4,5 V | 1v @ 1MA | 22nc @ 4,5 V | 2600pf @ 6v | Porte de Niveau Logique, Lecenteur de 1,5 V | ||||||||||||||||
| TT8M3TR | 0.1839 | | 6932 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | TT8M3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1W | 8 TS | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n et p | 20V | 2.5a, 2.4a | 72MOHM @ 2,5A, 4,5 V | 1v @ 1MA | 3.6nc @ 4,5 V | 260pf @ 10v | Porte de Niveau Logique, Lecenteur de 1,5 V | ||||||||||||||||
 | UM6K34NTCN | 0,3900 | | 449 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | UM6K34 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 120mw | Umt6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 50v | 200m | 2,2 ohm @ 200mA, 4,5 V | 800 MV @ 1MA | - | 26pf @ 10v | Porte de Niveau Logique, Lecenteur de 0,9 V | ||||||||||||||||
 | R6020ENZ1C9 | - | | 2772 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | Canal n | 600 V | 20A (TC) | 10V | 196MOHM @ 9.5A, 10V | 4V @ 1MA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | |||||||||||||||
 | RQ6E030ATTCR | 0,5400 | | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | RQ6E030 | MOSFET (Oxyde Métallique) | TSMT6 (SC-95) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 3a (ta) | 91MOHM @ 3A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 5.4 NC @ 10 V | 240 pf @ 15 V | - | ||||||||||||||||||
 | RSF015N06TL | 0.4400 | | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3 mm, plombes plombes | RSF015 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Tumt3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 1.5A (TA) | 4V, 10V | 290MOHM @ 1,5A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 2 nc @ 5 V | ± 20V | 110 pf @ 10 V | - | 800mw (TA) | ||||||||||||||
 | Sct3160klgc11 | 10.4900 | | 623 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Actif | 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | SCT3160 | Sicfet (carbure de silicium) | À 247n | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 1200 V | 17A (TC) | 18V | 208MOHM @ 5A, 18V | 5.6V @ 2,5mA | 42 NC @ 18 V | + 22V, -4V | 398 PF @ 800 V | - | 103W (TC) | ||||||||||||||
 | Raq045p01mgtcr | 0.1693 | | 7544 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | * | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | RAQ045 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | US6M2GTR | 0,6700 | | 3815 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C | Support de surface | 6 mm, plombes plombes | US6M2 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1W | Tumt6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n et p | 30V, 20V | 1,5A, 1A | 240 MOHM @ 1,5A, 4,5 V, 390 MOHM @ 1A, 4,5 V | 1,5 V @ 1MA, 2V @ 1MA | 2.2NC @ 4.5 V, 2.1NC @ 4.5 V | 80pf @ 10v, 150pf @ 10v | - | ||||||||||||||||
 | Rd3h045sptl1 | 1.1700 | | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | RD3H045 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 45 V | 4.5a (TA) | 4V, 10V | 155MOHM @ 4.5A, 10V | 3V @ 1MA | 12 NC @ 5 V | ± 20V | 550 pf @ 10 V | - | 15W (TC) | ||||||||||||||
| Rd3t100cntl1 | 1.5900 | | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | RD3T100 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 200 V | 10A (TC) | 10V | 182MOHM @ 5A, 10V | 5.25V @ 1MA | 25 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 85W (TC) | ||||||||||||||
| Rd3u060cntl1 | 1.5600 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | RD3U060 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 250 V | 6A (TC) | 10V | 530MOHM @ 3A, 10V | 5V @ 1MA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 840 pf @ 25 V | - | 52W (TC) | ||||||||||||||
| RGTV00TS65GC11 | 6.2400 | | 6096 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Rgtv00 | Standard | 276 W | À 247n | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | 400 V, 50A, 10OHM, 15V | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 95 A | 200 A | 1,9 V @ 15V, 50A | 1 17MJ (ON), 940µJ (OFF) | 104 NC | 41ns / 142ns | |||||||||||||||
| RGW00TS65DGC11 | 6.5400 | | 4307 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | RGW00 | Standard | 254 W | À 247n | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | 400 V, 50A, 10OHM, 15V | 95 ns | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 96 A | 200 A | 1,9 V @ 15V, 50A | 1 18MJ (ON), 960µJ (OFF) | 141 NC | 52ns / 180ns | ||||||||||||||
| RGW80TS65GC11 | 5.4600 | | 152 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | RGW80 | Standard | 214 W | À 247n | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40A, 10 ohms, 15v | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 78 A | 160 A | 1,9 V @ 15V, 40A | 760µJ (ON), 720µJ (OFF) | 110 NC | 44ns / 143ns | |||||||||||||||
| Rd3l050snfratl | 1.6800 | | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Rd3l050 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 5A (TA) | 4V, 10V | 109MOHM @ 5A, 10V | 3V @ 1MA | 8 NC @ 10 V | ± 20V | 290 pf @ 10 V | - | 15W (TA) |
2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m2
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