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Transistors (3592)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Temps de réménage inversé (TRR) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2)
RGS00TS65EHRC11 Rohm Semiconductor RGS00TS65EHRC11 9.6400
RFQ
 ECAD 7821 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Tube Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 RGS00 Standard 326 W À 247n télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 846-RGS00TS65EHRC11 EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 50A, 10OHM, 15V 113 NS Arête du Champ de Tranché 650 V 88 A 150 a 2.1V @ 15V, 50A - 58 NC 36ns / 115ns
DTA124TCAT116 Rohm Semiconductor DTA124TCAT116 0,3700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA124 200 MW SST3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA (ICBO) PNP - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 5mA 100 @ 1MA, 5V 250 MHz 22 kohms
DTC123TCAT116 Rohm Semiconductor DTC123TCAT116 0,3700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC123 200 MW SST3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA (ICBO) NPN - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 100 @ 1MA, 5V 250 MHz 2,2 kohms
RQ3E100BNTB1 Rohm Semiconductor RQ3E100BNTB1 1.0700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn RQ3E100 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-HSMT (3.2x3) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 10A (TA), 21A (TC) 4,5 V, 10V 10,4MOHM @ 10A, 10V 2,5 V @ 1MA 22 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 15 V - 2W (TA), 15W (TC)
RXL035N03TCR Rohm Semiconductor Rxl035n03tcr 0,7800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 6 mm, plombes plombes Rxl035 MOSFET (Oxyde Métallique) Tumt6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 30 V 3.5A (TA) 4V, 10V 50 mohm @ 3,5a, 10v 2,5 V @ 1MA 3,3 NC @ 5 V ± 20V 180 pf @ 10 V - 910mw (TA)
RQ3E070BNTB1 Rohm Semiconductor RQ3E070BNTB1 0,9300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn RQ3E070 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-HSMT (3.2x3) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 7a (Ta), 15A (TC) 4,5 V, 10V 27MOHM @ 7A, 10V 2,5 V @ 1MA 8,9 NC @ 10 V ± 20V 410 PF @ 15 V - 2W (TA), 13W (TC)
RGW40TK65GVC11 Rohm Semiconductor RGW40TK65GVC11 5.4100
RFQ
 ECAD 1287 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Tube Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou To-3pfm, sc-93-3 RGW40 Standard 61 W À 3pfm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 846-RGW40TK65GVC11 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 20A, 10OHM, 15V Arête du Champ de Tranché 650 V 27 A 80 A 1,9 V @ 15V, 20A 330 µJ (ON), 300µJ (OFF) 59 NC 33ns / 76ns
RGTH60TS65GC13 Rohm Semiconductor RGTH60TS65GC13 5.2100
RFQ
 ECAD 8180 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Tube Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 RGTH60 Standard 194 W À 247 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 846-RGTH60TS65GC13 EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 30A, 10OHM, 15V Arête du Champ de Tranché 650 V 58 A 120 A 2.1V @ 15V, 30A - 58 NC 27NS / 105NS
RGW40TK65DGVC11 Rohm Semiconductor RGW40TK65DGVC11 6.3500
RFQ
 ECAD 3728 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Tube Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou To-3pfm, sc-93-3 RGW40 Standard 61 W À 3pfm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 846-RGW40TK65DGVC11 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 20A, 10OHM, 15V 92 ns Arête du Champ de Tranché 650 V 27 A 80 A 1,9 V @ 15V, 20A - 59 NC 33ns / 76ns
RXH090N03TB1 Rohm Semiconductor RXH090N03TB1 1.4100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) RXH090 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 9a (ta) 4V, 10V 17MOHM @ 9A, 10V 2,5 V @ 1MA 6,8 NC @ 5 V ± 20V 440 pf @ 10 V - 2W (ta)
RXH100N03TB1 Rohm Semiconductor RXH100N03TB1 1.5300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) RXH100 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 10A (TA) 4V, 10V 13MOHM @ 10A, 10V 2,5 V @ 1MA 11 NC @ 5 V ± 20V 800 pf @ 10 V - 2W (ta)
RW4E045AJTCL1 Rohm Semiconductor RW4E045AJTCL1 1.1000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 6 powerufdfn RW4E045 MOSFET (Oxyde Métallique) DFN1616-7T télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 4.5a (TA) 2,5 V, 4,5 V 40 mohm @ 4.5a, 4,5 V 1,5 V @ 1MA 4 NC @ 4,5 V ± 12V 450 pf @ 15 V - 1.5W (TA)
R5205PND3FRATL Rohm Semiconductor R5205pnd3fratl 2.2800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 R5205 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 525 V 5A (TC) 10V 1,6 ohm @ 2,5a, 10v 4,5 V @ 1MA 10.8 NC @ 10 V ± 30V 320 pf @ 25 V - 65W (TC)
UT6J3TCR1 Rohm Semiconductor UT6J3TCR1 1.0700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8-Powerudfn UT6J3 MOSFET (Oxyde Métallique) 2W (ta) Dfn2020-8d télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canal P (double) 20V 3a (ta) 85MOHM @ 3A, 4,5 V 1v @ 1MA 8.5nc @ 4,5 V 2000pf @ 10v -
UMH33NTN Rohm Semiconductor Umh33ntn 0,5300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMH33 150mw Umt6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 20V 400mA 500NA (ICBO) 2 npn - Pré-biaisé (double) 100mV @ 3mA, 30mA 820 @ 10mA, 5V 35 MHz 2,2 kohms -
SCT4026DEC11 Rohm Semiconductor Sct4026dec11 22.3100
RFQ
 ECAD 450 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Tube Actif 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 SCT4026 Sicfet (carbure de silicium) À 247n télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 846-SCT4026Dec11 EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 750 V 56a (TC) 18V 34MOHM @ 29A, 18V 4,8 V @ 15,4mA 94 NC @ 18 V + 21V, -4V 2320 pf @ 500 V - 176W
SCT4062KEC11 Rohm Semiconductor SCT4062KEC11 15.2400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Tube Actif 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 SCT4062 Sicfet (carbure de silicium) À 247n télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 846-SCT4062KEC11 EAR99 8541.29.0095 450 Canal n 1200 V 26A (TC) 18V 81MOHM @ 12A, 18V 4,8 V @ 6 45mA 64 NC @ 18 V + 21V, -4V 1498 PF @ 800 V - 115W
SCT4013DRC15 Rohm Semiconductor SCT4013DRC15 42.4300
RFQ
 ECAD 881 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Tube Actif 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-4 SCT4013 Sicfet (carbure de silicium) À 247-4L télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 846-SCT4013DRC15 EAR99 8541.29.0095 450 Canal n 750 V 105A (TC) 18V 16,9MOHM @ 58A, 18V 4,8 V @ 30,8mA 170 NC @ 18 V + 21V, -4V 4580 PF @ 500 V - 312W
UMH25NTN Rohm Semiconductor UMH25NTN 0,3600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMH25 150mw Umt6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 50v 100 mA 500NA 2 npn - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 4,7 kohms 47 kohms
SCT3017ALGC11 Rohm Semiconductor SCT3017ALGC11 116.8400
RFQ
 ECAD 3059 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Tube Actif 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 SCT3017 Sicfet (carbure de silicium) À 247n télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 846-SCT3017ALGC11 EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 650 V 118A (TC) 18V 22.1MOHM @ 47A, 18V 5.6V @ 23,5mA 172 NC @ 18 V + 22V, -4V 2884 pf @ 500 V - 427W
R6077VNZ4C13 Rohm Semiconductor R6077VNZ4C13 14.2100
RFQ
 ECAD 600 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 R6077 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 846-R6077VNZ4C13 EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 600 V 77a (TC) 10v, 15v 51MOHM @ 23A, 15V 6,5 V @ 1,9mA 108 NC @ 10 V ± 30V 5200 pf @ 100 V - 781W (TC)
RS6G120BGTB1 Rohm Semiconductor Rs6g120bgtb1 3,5000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN Rs6g MOSFET (Oxyde Métallique) 8-HSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 846-RS6G120BGTB1DKR EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 40 V 120A (TA) 4,5 V, 10V 1,34MOHM @ 90A, 10V 2,5 V @ 1MA 67 NC @ 10 V ± 20V 4240 PF @ 20 V - 104W (TA)
RH6P040BHTB1 Rohm Semiconductor RH6P040BHTB1 1.8400
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn MOSFET (Oxyde Métallique) 8-HSMT (3.2x3) télécharger 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 846-RH6P040BHTB1CT EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 100 V 40A (TC) 6v, 10v 15,6MOHM @ 40A, 10V 4V @ 1MA 16,7 NC @ 10 V ± 20V 1080 pf @ 50 V - 59W (TC)
DTC123EE3HZGTL Rohm Semiconductor Dtc123ee3hzgtl 0,4100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-75, SOT-416 DTC123 150 MW EMT3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté 846-DTC123EE3HZGTLCT EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 10mA 20 @ 20mA, 5V 250 MHz 2,2 kohms 2,2 kohms
2SA2018E3HZGTL Rohm Semiconductor 2SA2018E3HZGTL 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SC-75, SOT-416 2SA2018 150 MW EMT3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 12 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10mA, 200mA 270 @ 10mA, 2V 260 MHz
DTC114EE3HZGTL Rohm Semiconductor Dtc114ee3hzgtl 0,4100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-75, SOT-416 DTC114 150 MW EMT3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 10mA 30 @ 5mA, 5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
BSS670T116 Rohm Semiconductor BSS670T116 0,5000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm Optimos® Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Oxyde Métallique) SST3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 60 V 650mA (TA) 2,5 V, 10V 680mohm @ 650mA, 10V 2V @ 10µA ± 20V 47 PF @ 30 V - 200MW (TA)
SCT4013DEC11 Rohm Semiconductor Sct4013dec11 37.7600
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Tube Actif 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Sicfet (carbure de silicium) À 247n télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté 846-SCT4013Dec11 EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 750 V 105A (TJ) 18V 16,9MOHM @ 58A, 18V 4,8 V @ 30,8mA 170 NC @ 18 V + 21V, -4V 4580 PF @ 500 V - 312W
DTC115EE3HZGTL Rohm Semiconductor Dtc115ee3hzgtl 0,4100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-75, SOT-416 DTC115 150 MW EMT3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 82 @ 5mA, 5V 250 MHz 100 kohms 100 kohms
SCT4018KEC11 Rohm Semiconductor SCT4018KEC11 38.7800
RFQ
 ECAD 457 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Tube Actif 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Sicfet (carbure de silicium) À 247n télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté 846-SCT4018KEC11 EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1200 V 81a (TJ) 18V 23.4MOHM @ 42A, 18V 4,8 V @ 22,2 Ma 170 NC @ 18 V + 21V, -4V 4532 PF @ 800 V - 312W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

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AD9208BBPZ-3000

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