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Transistors (6028)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
DMG1016UDW-7 Diodes Incorporated Dmg1016udw-7 0 4500
RFQ
 ECAD 146 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Dmg1016 MOSFET (Oxyde Métallique) 330mw SOT-363 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n et p 20V 1.07A, 845mA 450mohm @ 600mA, 4,5 V 1V @ 250µA 0,74nc @ 4,5 V 60,67pf @ 10v Porte de Niveau Logique
DMG4800LK3-13 Diodes Incorporated Dmg4800lk3-13 0,5800
RFQ
 ECAD 9337 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 DMG4800 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 10A (TA) 4,5 V, 10V 17MOHM @ 9A, 10V 1,6 V @ 250µA 8,7 NC @ 5 V ± 25V 798 PF @ 10 V - 1.71W (TA)
DMN26D0UFB4-7 Diodes Incorporated Dmn26d0ufb4-7 -
RFQ
 ECAD 2494 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 3-xfdfn Dmn26 MOSFET (Oxyde Métallique) X2-DFN1006-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 20 V 230mA (TA) 1,5 V, 4,5 V 3ohm @ 100mA, 4,5 V 1,1 V @ 250µA ± 10V 14.1 PF @ 15 V - 350MW (TA)
DMG3415UFY4-7 Diodes Incorporated Dmg3415ufy4-7 -
RFQ
 ECAD 8712 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 3-xfdfn DMG3415 MOSFET (Oxyde Métallique) DFN2015H4-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal p 16 V 2.5a (TA) 1,8 V, 4,5 V 39MOHM @ 4A, 4,5 V 1V @ 250µA 10 NC @ 4,5 V ± 8v 281.9 PF @ 10 V - 400mw (TA)
DMG9926UDM-7 Diodes Incorporated Dmg9926udm-7 0,5100
RFQ
 ECAD 47 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 DMG9926 MOSFET (Oxyde Métallique) 980mw SOT-26 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 2 Canaux N (double) draine commun 20V 4.2a 28MOHM @ 8.2A, 4,5 V 900 mV à 250 µA 8.3nc @ 4,5 V 856pf @ 10v Porte de Niveau Logique
ZX5T3ZTC Diodes Incorporated Zx5t3ztc 0 2509
RFQ
 ECAD 1225 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 243aa Zx5t3 2,1 W SOT-89-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0075 4 000 40 V 5.5 A 20na Pnp 185 MV @ 550mA, 5.5A 200 @ 500mA, 2V 152 MHz
DMG1024UV-7 Diodes Incorporated DMG1024UV-7 0,4000
RFQ
 ECAD 44 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-563, SOT-666 Dmg1024 MOSFET (Oxyde Métallique) 530mw SOT-563 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 2 Canaux N (double) 20V 1.38a 450mohm @ 600mA, 4,5 V 1V @ 250µA 0,74nc @ 4,5 V 60,67pf @ 16v Porte de Niveau Logique
DMG4712SSS-13 Diodes Incorporated DMG4712SSS-13 -
RFQ
 ECAD 8434 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) DMG4712 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-so télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 11.2a (TA) 4,5 V, 10V 14MOHM @ 11.2A, 10V 2,2 V @ 250µA 45,7 NC @ 10 V ± 12V 2296 PF @ 15 V Diode Schottky (Corps) 1 55W (TA)
DMG4413LSS-13 Diodes Incorporated DMG4413LSS-13 0,9000
RFQ
 ECAD 8037 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) DMG4413 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-so télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 30 V 10.5a (TA) 4,5 V, 10V 7,5 mohm @ 13a, 10v 2,1 V @ 250µA 46 NC @ 5 V ± 20V 4965 PF @ 15 V - 1.7W (TA)
DMN2400UV-7 Diodes Incorporated DMN2400UV-7 0 4700
RFQ
 ECAD 97 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-563, SOT-666 DMN2400 MOSFET (Oxyde Métallique) 530mw SOT-563 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 2 Canaux N (double) 20V 1.33A 480MOHM @ 200mA, 5V 900 mV à 250 µA 0,5 NC à 4,5 V 36pf @ 16v Porte de Niveau Logique
SXTA42TA Diodes Incorporated SXTA42TA 0 4600
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Actif -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 243aa Sxta42 1 W SOT-89-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 1 000 300 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 500 mV @ 2MA, 20mA 40 @ 30mA, 10V 50 MHz
ZVN4210GTA Diodes Incorporated Zvn4210gta 0,9400
RFQ
 ECAD 740 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 261-4, à 261aa Zvn4210 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-223-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 100 V 800mA (TA) 5v, 10v 1,5 ohm @ 1,5a, 10v 2,4 V @ 1MA ± 20V 100 pf @ 25 V - 2W (ta)
DMN32D2LFB4-7 Diodes Incorporated Dmn32d2lfb4-7 0,4100
RFQ
 ECAD 197 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 3-xfdfn Dmn32 MOSFET (Oxyde Métallique) X2-DFN1006-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 30 V 300mA (TA) 1,8 V, 4V 1,2 ohm @ 100mA, 4V 1,2 V à 250µA ± 10V 39 PF @ 3 V - 350MW (TA)
DMP2104LP-7 Diodes Incorporated DMP2104LP-7 0,4300
RFQ
 ECAD 78 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 3-UDFN DMP2104 MOSFET (Oxyde Métallique) DFN1411-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal p 20 V 1.5A (TA) 1,8 V, 4,5 V 150 mohm @ 950mA, 4,5 V 1V @ 250µA ± 12V 320 pf @ 16 V - 500mw (TA)
DMP2215L-7 Diodes Incorporated DMP2215L-7 0,3700
RFQ
 ECAD 165 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2215 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 2.7A (TA) 2,5 V, 4,5 V 100MOHM @ 2,7A, 4,5 V 1,25 V @ 250µA 5.3 NC @ 4,5 V ± 12V 250 pf @ 10 V - 1.08W (TA)
2DB1386Q-13 Diodes Incorporated 2DB1386Q-13 0.2093
RFQ
 ECAD 6933 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 243aa 2DB1386 1 W SOT-89-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 2 500 20 V 5 a 500NA (ICBO) Pnp 1V @ 100mA, 4A 120 @ 500mA, 2V 100 MHz
DCX55-13 Diodes Incorporated DCX55-13 -
RFQ
 ECAD 6274 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 243aa Dcx55 1 W SOT-89-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 2 500 60 V 1 a 100NA (ICBO) NPN 500 mV à 50ma, 500mA 63 @ 150mA, 2V 200 MHz
DMB2227A-7 Diodes Incorporated DMB2227A-7 0,4000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 DMB2227 300mw SOT-26 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 40V, 60V 600mA 10NA (ICBO) Npn, pnp 1V @ 50mA, 500mA / 1,6 V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 300 MHz, 200 MHz
DMC2004LPK-7 Diodes Incorporated DMC2004LPK-7 0,4200
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Actif -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6 MD, Pas de plomb DMC2004 MOSFET (Oxyde Métallique) 500mw DFN1612-6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n et p 20V 750mA, 600mA 550mohm @ 540mA, 4,5 V 1V @ 250µA - 150pf @ 16v Porte de Niveau Logique
DMN5010VAK-7 Diodes Incorporated Dmn5010vak-7 -
RFQ
 ECAD 5853 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-563, SOT-666 DMN5010 MOSFET (Oxyde Métallique) 250mw SOT-563 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 2 Canaux N (double) 50v 280mA 2ohm @ 50mA, 5V 1V @ 250µA - 50pf @ 25v Porte de Niveau Logique
DMP2004DWK-7 Diodes Incorporated Dmp2004dwk-7 0.4900
RFQ
 ECAD 2167 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Actif -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMP2004 MOSFET (Oxyde Métallique) 250mw SOT-363 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 2 Canal P (double) 20V 430m 900MOHM @ 430mA, 4,5 V 1V @ 250µA - 175pf @ 16v Porte de Niveau Logique
DMP2004WK-7 Diodes Incorporated Dmp2004wk-7 0 4600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 DMP2004 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-323 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal p 20 V 400mA (TA) 1,8 V, 4,5 V 900MOHM @ 430mA, 4,5 V 1V @ 250µA ± 8v 175 PF @ 16 V - 250mw (TA)
ZXMN2F34MATA Diodes Incorporated Zxmn2f34mata -
RFQ
 ECAD 1685 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 3 powervdfn MOSFET (Oxyde Métallique) DFN322 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 20 V 4a (ta) 2,5 V, 4,5 V 60 mohm @ 2,5a, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 2,8 NC @ 4,5 V ± 12V 277 PF @ 10 V - 1.35W (TA)
ZXMN3F31DN8TA Diodes Incorporated Zxmn3f31dn8ta 0,8700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) Zxmn3 MOSFET (Oxyde Métallique) 1,8 W 8-so télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 2 Canaux N (double) 30V 5.7A 24MOHM @ 7A, 10V 3V à 250µA 12.9nc @ 10v 608pf @ 15v Porte de Niveau Logique
ZXMN10A25KTC Diodes Incorporated Zxmn10a25ktc 1.3100
RFQ
 ECAD 2266 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Zxmn10 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 100 V 4.2a (TA) 6v, 10v 125 mohm @ 2,9a, 10v 4V @ 250µA 17.16 NC @ 10 V ± 20V 859 PF @ 50 V - 2.11w (TA)
ZXMP10A16KTC Diodes Incorporated ZXMP10A16KTC 0,9400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Zxmp10 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 100 V 3a (ta) 6v, 10v 235MOHM @ 2.1A, 10V 4V @ 250µA 16,5 NC @ 10 V ± 20V 717 PF @ 50 V - 2.15W (TA)
ZXMP2120FFTA Diodes Incorporated ZXMP2120FFTA 0,7500
RFQ
 ECAD 9376 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-3 PLATS PLATS ZXMP2120 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23F télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 200 V 137mA (TA) 10V 28OHM @ 150mA, 10V 3,5 V @ 250µA ± 20V 100 pf @ 25 V - 1W (ta)
ZXTN5551FLTA Diodes Incorporated Zxxn5551flta 0,4300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 Zxxn5551 330 MW SOT-23-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 160 V 600 mA 50NA (ICBO) NPN 200 mV @ 5mA, 50mA 80 @ 10mA, 5V 130 MHz
DMP6180SK3-13 Diodes Incorporated DMP6180SK3-13 0,5900
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 DMP6180 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 60 V 14A (TC) 4,5 V, 10V 110MOHM @ 12A, 10V 2,7 V @ 250µA 17.1 NC @ 10 V ± 20V 984.7 pf @ 30 V - 1.7W (TA)
DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated Dmg6601lvt-7 0,3800
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Dmg6601 MOSFET (Oxyde Métallique) 850mw TSOT-26 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n et p 30V 3.8a, 2.5a 55 mohm @ 3,4a, 10v 1,5 V @ 250µA 12.3nc @ 10v 422pf @ 15v Porte de Niveau Logique
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