SIC
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Transistors (10)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Forfait de Périphérique Fournisseur Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max)
XP4024EM XSemi Corporation XP4024EM 0,9400
RFQ
 ECAD 4284 0,00000000 Xsemi Corporation Xp4024e Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC Xp4024 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-so Rohs3 conforme 3 (168 Heures) 3 000 Canal n 30 V 18.5A (TA) 4,5 V, 10V 4,5 mohm @ 18a, 10v 3V à 250µA 28 NC @ 4,5 V ± 20V 2720 ​​pf @ 15 V - 2.5W (TA)
XP3N1R0MT XSemi Corporation Xp3n1r0mt 4.2000
RFQ
 ECAD 8982 0,00000000 Xsemi Corporation Xp3n1r0 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerLDFN Xp3n MOSFET (Oxyde Métallique) PMpak® 5 x 6 Rohs3 conforme 1 (illimité) 3 000 Canal n 30 V 54.2a (TA), 245A (TC) 4,5 V, 10V 1 05 mOhm @ 20A, 10V 2,2 V @ 250µA 120 NC @ 4,5 V ± 20V 12320 PF @ 15 V - 5W (TA), 104W (TC)
XP9561GI XSemi Corporation Xp9561gi 2.9100
RFQ
 ECAD 1882 0,00000000 Xsemi Corporation Xp9561 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET Xp9561 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220cfm Rohs3 conforme 1 (illimité) 5048-xp9561gi 50 Canal p 40 V 36a (TC) 4,5 V, 10V 16MOHM @ 30A, 10V 3V à 250µA 40 NC @ 4,5 V ± 20V 2780 PF @ 25 V - 33,7W (TC)
XP2344GN XSemi Corporation Xp2344gn 0.4900
RFQ
 ECAD 2895 0,00000000 Xsemi Corporation Xp2344 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 Xp2344 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 Rohs3 conforme 1 (illimité) 3 000 Canal n 20 V 6.4a (TA) 1,8 V, 4,5 V 22MOHM @ 6A, 4,5 V 1V @ 250µA 35,2 NC @ 4,5 V ± 8v 2430 pf @ 10 V - 1.38W (TA)
XP3N020YT XSemi Corporation Xp3n020yt 0,9100
RFQ
 ECAD 5359 0,00000000 Xsemi Corporation Xp3n020 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerDFN Xp3n MOSFET (Oxyde Métallique) PMpak® 3 x 3 Rohs3 conforme 1 (illimité) 3 000 Canal n 30 V 10A (TA) 4,5 V, 10V 20 mohm @ 10a, 10v 3V à 250µA 8,5 NC @ 4,5 V ± 20V 880 pf @ 15 V - 3.12W (TA)
XP60AN750IN XSemi Corporation Xp60an750in 3.4200
RFQ
 ECAD 1745 0,00000000 Xsemi Corporation Xp60an750 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET Xp60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220cfm Rohs3 conforme 1 (illimité) 5048-xp60an750in 50 Canal n 600 V 10A (TC) 10V 750mohm @ 5a, 10v 4V @ 250µA 59.2 NC @ 10 V ± 30V 2688 PF @ 100 V - 1.92W (TA), 36,7W (TC)
XP9452GG XSemi Corporation Xp9452gg 0,7900
RFQ
 ECAD 2670 0,00000000 Xsemi Corporation Xp9452 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 243aa Xp9452 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-89 Rohs3 conforme 1 (illimité) 1 000 Canal n 20 V 4a (ta) 2,5 V, 10V 38MOHM @ 4A, 10V 1,5 V @ 250µA 10 NC @ 4,5 V ± 16V 570 pf @ 20 V - 1.25W (TA)
XP83T03GJB XSemi Corporation Xp83t03gjb 1.6700
RFQ
 ECAD 9876 0,00000000 Xsemi Corporation Xp83t03 Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa Xp83 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 Rohs3 conforme 1 (illimité) 5048-xp83t03gjb 80 Canal n 30 V 75A (TC) 4,5 V, 10V 6MOHM @ 40A, 10V 3V à 250µA 34 NC @ 4,5 V ± 20V 1840 PF @ 25 V - 60W (TC)
XP10NA1R5TL XSemi Corporation Xp10na1r5tl 16.6000
RFQ
 ECAD 3389 0,00000000 Xsemi Corporation Xp10na1r5 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8 Powersfn Xp10 MOSFET (Oxyde Métallique) Sonore Rohs3 conforme 1 (illimité) 2 000 Canal n 100 V 300A (TC) 10V 1,5 mohm @ 100a, 10v 4V @ 250µA 304 NC @ 10 V ± 20V 16960 PF @ 80 V - 3 75W (TA), 333W (TC)
XP2N1K2EN1 XSemi Corporation Xp2n1k2en1 0 4700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Xsemi Corporation Xp2n1k2e Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-723 Xp2n MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-723 Rohs3 conforme 3 (168 Heures) EAR99 8541.29.0095 10 000 Canal n 20 V 200mA (TA) 1,2 V, 2,5 V 1,2 ohm @ 200mA, 2,5 V 1v @ 1MA 0,7 NC à 2,5 V ± 8v 44 PF @ 10 V - 150mw (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

Quantité: 1

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