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Transistors (257)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RMD1N25ES9 | 0,0600 |  | 7475 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-363-6L | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RMD1N25ES9TR | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal n | 25 V | 1.1A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 600mohm @ 500mA, 4,5 V | 1,1 V @ 250µA | ± 12V | 30 pf @ 10 V | - | 800mw (TA) | |||||
 | RM120N60T2 | 0,5500 | | 2318 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM120N60T2 | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 60 V | 120A (TC) | 4,5 V, 10V | 4MOHM @ 60A, 10V | 2,4 V @ 250µA | ± 20V | 4000 pf @ 30 V | - | 180W (TC) | |||||
| RM21N650T2 | 1.2500 | | 7279 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM21N650T2 | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 650 V | 21A (TC) | 10V | 180MOHM @ 10.5A, 10V | 4V @ 250µA | ± 30V | 2600 pf @ 50 V | - | 188W (TC) | |||||
 | RM50N200HD | 1.2200 | | 3890 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM50N200HDTR | 8541.10.0080 | 8 000 | Canal n | 200 V | 51A (TC) | 10V | 32MOHM @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | ± 20V | 1598 pf @ 100 V | - | 214W (TC) | |||||
 | RM30P30D3 | 0 2200 | | 5866 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-DFN-EP (3x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-rm30p30d3tr | 8541.10.0080 | 25 000 | Canal p | 30 V | 30A (TA) | 4,5 V, 10V | 10MOHM @ 15A, 10V | 2V à 250µA | ± 20V | 2150 pf @ 25 V | - | 40W (TA) | |||||
 | RM3139K | 0,0360 | | 2553 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-723 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-723 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM3139KTR | 8541.10.0080 | 80 000 | Canal p | 20 V | 660mA (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 520 Mohm @ 1A, 4,5 V | 1,1 V @ 250µA | ± 12V | 170 pf @ 16 V | - | 150mw (TA) | |||||
 | RM6N100S4V | 0,1600 | | 9753 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM6N100S4VTR | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal n | 100 V | 6a (ta) | 10V | 140mohm @ 5a, 10v | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | 690 pf @ 25 V | - | 3W (TA) | |||||
 | RM2N650IP | 0,3000 | | 7388 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-251-3 Stub Leads, ipak | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM2N650IP | 8541.10.0080 | 40 000 | Canal n | 650 V | 2A (TC) | 10V | 2,5 ohm @ 1a, 10v | 3,5 V @ 250µA | ± 30V | 190 pf @ 50 V | - | 23W (TC) | |||||
 | RM50N150DF | 0,6400 | | 1275 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-DFN (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM50N150DFTR | 8541.10.0080 | 40 000 | Canal n | 150 V | 50A (TC) | 10V | 19MOHM @ 30A, 10V | 4,5 V @ 250µA | ± 20V | 5200 pf @ 50 V | - | 100W (TC) | |||||
 | RM27p30ld | 0,1500 | | 5544 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-rm27p30ldtr | 8541.10.0080 | 25 000 | Canal p | 30 V | 27a (TC) | 4,5 V, 10V | 30mohm @ 12a, 10v | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | 930 pf @ 15 V | - | 31.3W (TC) | |||||
| RM7N600LD | 0,5800 | | 4789 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-rm7n600ld | 8541.10.0080 | 4 000 | Canal n | 600 V | 7a (TC) | 10V | 580MOHM @ 3A, 10V | 4V @ 250µA | ± 30V | 587 pf @ 50 V | - | 63W (TC) | |||||
| RM50N60DF | 0,5600 | | 3189 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-DFN (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM50N60DFTR | 8541.10.0080 | 40 000 | Canal n | 60 V | 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 8MOHM @ 20A, 10V | 1,8 V à 250µA | ± 20V | 4000 pf @ 30 V | - | 75W (TC) | |||||
| RM80N60DF | 0,5500 | | 2083 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-DFN (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM80N60DFTR | 8541.10.0080 | 40 000 | Canal n | 60 V | 80A (TC) | 4,5 V, 10V | 4MOHM @ 40A, 10V | 2,4 V @ 250µA | ± 20V | 4000 pf @ 30 V | - | 85W (TC) | |||||
| RM8N700LD | 0 4700 | | 1520 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-rm8n700ld | 8541.10.0080 | 4 000 | Canal n | 700 V | 8A (TC) | 10V | 600mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250µA | ± 30V | 590 pf @ 50 V | - | 69W (TC) | |||||
| RM17N800T2 | 1.5300 | | 9008 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM17N800T2 | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 800 V | 17a (ta) | 10V | 320 mOhm @ 8,5a, 10v | 4V @ 250µA | ± 30V | 2060 PF @ 50 V | - | 260W (TC) | |||||
 | RM5N150S8 | 0,4000 | | 8016 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM5N150S8 | 8541.10.0080 | 300 | Canal n | 150 V | 4.6a (TA) | 4,5 V, 10V | 75MOHM @ 5A, 10V | 3V à 250µA | ± 20V | 625 PF @ 75 V | - | 3.1W (TA) | |||||
 | RM3400 | 0,4100 | | 7462 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM3400TR | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal n | 30 V | 5.8A (TA) | 2,5 V, 10V | 41MOHM @ 5.8A, 10V | 1,4 V @ 250µA | ± 12V | 820 pf @ 15 V | - | 1.4W (TA) | |||||
| RM130N100HD | 0,7000 | | 4397 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM130N100HDTR | 8541.10.0080 | 8 000 | Canal n | 100 V | 130a (TC) | 10V | 5,5 mohm @ 50a, 10v | 4V @ 250µA | ± 20V | 4570 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | |||||
 | RM4N650Ti | 0,4200 | | 7671 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-rm4n650ti | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 650 V | 4A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 2,5a, 10v | 3,5 V @ 250µA | ± 30V | 280 pf @ 50 V | - | 28,5W (TC) | |||||
 | RM2003 | 0,0620 | | 9948 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 | RM200 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 800mw (TA) | SOT-23-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM2003TR | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal n et p | 20V | 3a (ta) | 35MOHM @ 3A, 4,5 V, 75MOHM @ 2,5A, 4,5 V | 1,2 V @ 250µA, 1V @ 250µA | 5NC @ 4,5 V, 3,2NC @ 4,5 V | 260pf @ 10v, 325pf @ 10v | - | |||||
| RM138 | 0,0320 | | 3450 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM138TR | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal n | 50 V | 220mA (TA) | 4,5 V, 10V | 3,5 ohm @ 220mA, 10V | 1,4 V @ 250µA | ± 20V | 27 pf @ 25 V | - | 350MW (TA) | |||||
| RM80N30DF | 0,1600 | | 3287 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-DFN (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM80N30DFTR | 8541.10.0080 | 40 000 | Canal n | 30 V | 81a (TC) | 4,5 V, 10V | 5,5 mohm @ 30a, 10v | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | 2295 PF @ 15 V | - | 59W (TC) | |||||
| RM5N40S2 | 0,0690 | | 2036 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM5N40S2TR | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal n | 40 V | 5A (TA) | 4,5 V, 10V | 32MOHM @ 4A, 10V | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | 593 PF @ 15 V | - | 1.25W (TA) | |||||
| RM120N30T2 | 0,3300 | | 1989 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM120N30T2 | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 30 V | 120A (TA) | 10V | 3,5 mohm @ 20a, 10v | 3V à 250µA | ± 20V | 3550 pf @ 25 V | - | 120W (TA) | |||||
 | RM45N600T7 | 2.9000 | | 7621 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM45N600T7 | 8541.10.0080 | 1 800 | Canal n | 600 V | 44,5a (TJ) | 10V | 90MOHM @ 15.6A, 10V | 4V @ 250µA | ± 30V | 2808 PF @ 100 V | - | 431W | |||||
| RM052N100DF | 0,6500 | | 7185 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-DFN (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM052N100DFTR | 8541.10.0080 | 40 000 | Canal n | 100 V | 70A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,5 mohm @ 20a, 10v | 2,5 V @ 250µA | + 20V, -12V | 9100 pf @ 25 V | - | 142W (TC) | |||||
| RM100N65DF | 0,6500 | | 6339 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-DFN (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM100N65DFTR | 8541.10.0080 | 40 000 | Canal n | 65 V | 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,8MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250µA | + 20V, -12V | 9500 pf @ 25 V | - | 142W (TC) | |||||
| RM210N75HD | 0,9200 | | 2322 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM210N75HDTR | 8541.10.0080 | 8 000 | Canal n | 75 V | 210A (TC) | 10V | 4MOHM @ 40A, 10V | 4V @ 250µA | ± 20V | 11000 pf @ 25 V | - | 330W (TC) | |||||
| RM4503S8 | 0.1900 | | 1978 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | RM4503 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.5W (TA) | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM4503S8TR | 8541.10.0080 | 40 000 | Canal n et p | 30V | 10a (ta), 9.1a (TA) | 10MOHM @ 10A, 10V, 20MOHM @ 9.1A, 10V | 3V à 250µA | 13NC @ 4.5V, 30nc @ 10V | 1550pf @ 15v, 1600pf @ 15v | - | |||||
| RM80N100AT2 | 0,5500 | | 8599 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM80N100AT2 | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 100 V | 80A (TC) | 4,5 V, 10V | 8,5MOHM @ 40A, 10V | 4V @ 250A | ± 20V | 5480 pf @ 50 V | - | 125W (TC) |
2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
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