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Transistors (257)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Condition de test | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Temps de réménage inversé (TRR) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RM18P100HDE | 0,3400 |  | 4578 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-rm18p100hdetr | 8541.10.0080 | 8 000 | Canal p | 100 V | 18A (TC) | 10V | 100MOHM @ 16A, 10V | 3V à 250µA | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||
 | RM78N100LD | 0.4400 | | 1744 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM78N100LDTR | 8541.10.0080 | 25 000 | Canal n | 100 V | 78A (TC) | 4,5 V, 10V | 8,5MOHM @ 39A, 10V | 2,2 V @ 250µA | ± 20V | 5480 pf @ 50 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||
| Rmp3n90ld | 0,3300 | | 3260 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-rmp3n90ld | 8541.10.0080 | 4 000 | Canal n | 900 V | 3A (TC) | 10V | 3,2 ohm @ 1,5a, 10v | 5V @ 250µA | ± 30V | 850 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||
 | RM1A5N30S3AE | 0,0390 | | 6517 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM1A5N30S3Aetr | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal n | 30 V | 1.5A (TA), 1.4A (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 144MOHM @ 1A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | ± 10V | 105 PF @ 15 V | - | 400mW (TA), 500 MW (TC) | ||||||||||||||||
 | RM80N60DF | 0,5500 | | 2083 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-DFN (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM80N60DFTR | 8541.10.0080 | 40 000 | Canal n | 60 V | 80A (TC) | 4,5 V, 10V | 4MOHM @ 40A, 10V | 2,4 V @ 250µA | ± 20V | 4000 pf @ 30 V | - | 85W (TC) | ||||||||||||||||
| RM40N40LD | 0.1450 | | 4107 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM40N40LDTR | 8541.10.0080 | 25 000 | Canal n | 40 V | 42A (TC) | 4,5 V, 10V | 11,5MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | 1314 PF @ 15 V | - | 34,7w (TC) | ||||||||||||||||
 | RM7N600IP | 0,5500 | | 9307 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-251-3 Stub Leads, ipak | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM7N600IP | 8541.10.0080 | 4 000 | Canal n | 600 V | 7a (TC) | 10V | 580MOHM @ 3A, 10V | 4V @ 250µA | ± 30V | 587 pf @ 50 V | - | 63W (TC) | ||||||||||||||||
 | RM75N60T2 | 0,3600 | | 9812 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM75N60T2 | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 60 V | 75A (TC) | 10V | 11,5MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | ± 20V | 2350 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||
| RM5N700IP | 0 4700 | | 8989 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-251-3 Stub Leads, ipak | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM5N700IP | 8541.10.0080 | 4 000 | Canal n | 700 V | 5A (TC) | 10V | 950mohm @ 2,5a, 10v | 3,5 V @ 250µA | ± 30V | 460 PF @ 50 V | - | 49W (TC) | ||||||||||||||||
| RM5N800LD | 0,6900 | | 2148 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM5N800LDTR | 8541.10.0080 | 25 000 | Canal n | 800 V | 5A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 2,5a, 10v | 3,5 V @ 250µA | ± 30V | 680 pf @ 50 V | - | 81W (TC) | ||||||||||||||||
| RM15P60LD | 0,1500 | | 6517 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM15P60LDTR | 8541.10.0080 | 25 000 | Canal p | 60 V | 13A (TC) | 10V | 90MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | 1080 pf @ 15 V | - | 31.2W (TC) | ||||||||||||||||
| RM8N700LD | 0 4700 | | 1520 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-rm8n700ld | 8541.10.0080 | 4 000 | Canal n | 700 V | 8A (TC) | 10V | 600mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250µA | ± 30V | 590 pf @ 50 V | - | 69W (TC) | ||||||||||||||||
| RM17N800T2 | 1.5300 | | 9008 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM17N800T2 | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 800 V | 17a (ta) | 10V | 320 mOhm @ 8,5a, 10v | 4V @ 250µA | ± 30V | 2060 PF @ 50 V | - | 260W (TC) | ||||||||||||||||
| RM100N65DF | 0,6500 | | 6339 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-DFN (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM100N65DFTR | 8541.10.0080 | 40 000 | Canal n | 65 V | 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,8MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250µA | + 20V, -12V | 9500 pf @ 25 V | - | 142W (TC) | ||||||||||||||||
| RM80N30DF | 0,1600 | | 3287 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-DFN (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM80N30DFTR | 8541.10.0080 | 40 000 | Canal n | 30 V | 81a (TC) | 4,5 V, 10V | 5,5 mohm @ 30a, 10v | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | 2295 PF @ 15 V | - | 59W (TC) | ||||||||||||||||
 | RM21N650Ti | 1.2500 | | 1150 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM21N650Ti | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 650 V | 21A (TC) | 10V | 180MOHM @ 10.5A, 10V | 4V @ 250µA | ± 30V | 2600 pf @ 50 V | - | 33,8W (TC) | ||||||||||||||||
 | RM48N100D3 | 0 2980 | | 7315 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-DFN-EP (3x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM48N100D3TR | 8541.10.0080 | 25 000 | Canal n | 100 V | 48A (TC) | 4,5 V, 10V | 13.6MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250µA | + 20V, -12V | 3280 pf @ 50 V | - | 61W (TC) | ||||||||||||||||
 | RM1216 | 0 1200 | | 9882 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-WDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-DFN (2x2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM1216TR | 8541.10.0080 | 25 000 | Canal p | 12 V | 16A (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 18MOHM @ 6.7A, 4,5 V | 1V @ 250µA | ± 12V | 2700 pf @ 10 V | - | 18W (TC) | ||||||||||||||||
 | RM5N150S8 | 0,4000 | | 8016 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM5N150S8 | 8541.10.0080 | 300 | Canal n | 150 V | 4.6a (TA) | 4,5 V, 10V | 75MOHM @ 5A, 10V | 3V à 250µA | ± 20V | 625 PF @ 75 V | - | 3.1W (TA) | ||||||||||||||||
| RM80N100AT2 | 0,5500 | | 8599 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM80N100AT2 | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 100 V | 80A (TC) | 4,5 V, 10V | 8,5MOHM @ 40A, 10V | 4V @ 250A | ± 20V | 5480 pf @ 50 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||
| RM50N150DF | 0,6400 | | 1275 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-DFN (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM50N150DFTR | 8541.10.0080 | 40 000 | Canal n | 150 V | 50A (TC) | 10V | 19MOHM @ 30A, 10V | 4,5 V @ 250µA | ± 20V | 5200 pf @ 50 V | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||
| RM40N200TI | 0 7600 | | 2452 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM40N200TI | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 200 V | 40A (TA) | 10V | 41MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | ± 20V | 6500 pf @ 25 V | - | 60W (TA) | ||||||||||||||||
 | RM2003 | 0,0620 | | 9948 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 | RM200 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 800mw (TA) | SOT-23-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM2003TR | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal n et p | 20V | 3a (ta) | 35MOHM @ 3A, 4,5 V, 75MOHM @ 2,5A, 4,5 V | 1,2 V @ 250µA, 1V @ 250µA | 5NC @ 4,5 V, 3,2NC @ 4,5 V | 260pf @ 10v, 325pf @ 10v | - | ||||||||||||||||
| RM8N700TI | 0,6800 | | 7906 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-rm8n700ti | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 700 V | 8A (TJ) | 10V | 600mohm @ 4a, 10v | 3,5 V @ 250µA | ± 30V | 680 pf @ 50 V | - | 31.7W (TC) | ||||||||||||||||
| RM2N650IP | 0,3000 | | 7388 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-251-3 Stub Leads, ipak | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM2N650IP | 8541.10.0080 | 40 000 | Canal n | 650 V | 2A (TC) | 10V | 2,5 ohm @ 1a, 10v | 3,5 V @ 250µA | ± 30V | 190 pf @ 50 V | - | 23W (TC) | ||||||||||||||||
| RM3400 | 0,4100 | | 7462 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM3400TR | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal n | 30 V | 5.8A (TA) | 2,5 V, 10V | 41MOHM @ 5.8A, 10V | 1,4 V @ 250µA | ± 12V | 820 pf @ 15 V | - | 1.4W (TA) | ||||||||||||||||
 | RM130N200T7 | 4.3000 | | 8471 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM130N200T7 | 8541.10.0080 | 1 800 | Canal n | 200 V | 132a (TC) | 10V | 10,9MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | ± 20V | 4970 PF @ 100 V | - | 429W (TC) | ||||||||||||||||
| RM2312 | 0,0440 | | 5226 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM2312TR | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal n | 20 V | 4.5a (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 33MOHM @ 4,5A, 4,5 V | 1,2 V à 250µA | ± 12V | 500 pf @ 8 V | - | 1.25W (TA) | ||||||||||||||||
| RM40N600T7 | 1.3200 | | 1226 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | RM40N | Standard | 306 W | À 247 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM40N600T7 | 8541.10.0080 | 300 | 400V, 40A, 10 ohms, 15v | 151 ns | Arête du Champ de Tranché | 600 V | 80 A | 160 A | 2V @ 15V, 40A | 1,12MJ (ON), 610µJ (OFF) | 149 NC | 21NS / 203NS | ||||||||||||||
| RM130N100HD | 0,7000 | | 4397 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM130N100HDTR | 8541.10.0080 | 8 000 | Canal n | 100 V | 130a (TC) | 10V | 5,5 mohm @ 50a, 10v | 4V @ 250µA | ± 20V | 4570 pf @ 25 V | - | 120W (TC) |
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