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Transistors (13833)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Taper fet | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Type de transistor | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | Figure de Bruit (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPB100N06S205ATMA4 | - |  | 8865 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IPB100 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à263-3-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 55 V | 100A (TC) | 10V | 4,7MOHM @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 170 NC @ 10 V | ± 20V | 5110 PF @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||
| IPB80N06S208ATMA2 | - | | 9300 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IPB80N | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à263-3-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 55 V | 80A (TC) | 10V | 7,7MOHM @ 58A, 10V | 4V à 150µA | 96 NC @ 10 V | ± 20V | 2860 pf @ 25 V | - | 215W (TC) | ||||||||||
| IPB80N06S2L11ATMA2 | 2.5200 | | 1 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IPB80N | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à263-3-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 55 V | 80A (TC) | 4,5 V, 10V | 10,7MOHM @ 40A, 10V | 2V @ 93µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 2075 PF @ 25 V | - | 158W (TC) | ||||||||||
 | Ipd25cn10ngatma1 | 1.4700 | | 1718 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IPD25CN10 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 252-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 35A (TC) | 10V | 25MOHM @ 35A, 10V | 4V @ 39µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 2070 PF @ 50 V | - | 71W (TC) | ||||||||||
| Ipd65r600e6atma1 | - | | 9964 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ E6 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IPD65R600 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 252-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 650 V | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 2.1a, 10v | 3,5 V @ 210µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 440 PF @ 100 V | - | 63W (TC) | ||||||||||
| Ipd65r660cfdatma1 | 0,8193 | | 5263 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Ipd65r660 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 252-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 650 V | 6A (TC) | 10V | 660MOHM @ 2.1A, 10V | 4,5 V @ 200µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 615 PF @ 100 V | - | 62,5W (TC) | ||||||||||
| IPD65R950CFDATMA1 | 0,6380 | | 5512 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IPD65R950 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 252-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 650 V | 3.9A (TC) | 10V | 950mohm @ 1,5a, 10v | 4,5 V @ 200µA | 14.1 NC @ 10 V | ± 20V | 380 pf @ 100 V | - | 36,7W (TC) | ||||||||||
| IPD90R1K2C3ATMA1 | 0,8583 | | 7116 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Ipd90 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 252-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 900 V | 5.1a (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 2,8a, 10v | 3,5 V @ 310µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 710 PF @ 100 V | - | 83W (TC) | ||||||||||
 | Ipp100n04s204aksa2 | - | | 7157 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Ipp100n | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à220-3-1 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 40 V | 100A (TC) | 10V | 3,6MOHM @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 172 NC @ 10 V | ± 20V | 5300 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||
| Ipp80n06s2h5aksa2 | - | | 5022 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Ipp80n | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à220-3-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 55 V | 80A (TC) | 10V | 5,5 mohm @ 80a, 10v | 4V à 230 µA | 155 NC @ 10 V | ± 20V | 4400 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||
| Ipp80n06s2lh5aksa2 | - | | 5452 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Ipp80n | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à220-3-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 55 V | 80A (TC) | 4,5 V, 10V | 5MOHM @ 80A, 10V | 2V à 250µA | 190 NC @ 10 V | ± 20V | 5000 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||
| IPD60R600C6ATMA1 | 1.6600 | | 9 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C6 | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Ipd60r | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 252-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 600 V | 7.3a (TC) | 10V | 600 mOhm @ 2,4a, 10v | 3,5 V @ 200µA | 20,5 NC @ 10 V | ± 20V | 440 PF @ 100 V | - | 63W (TC) | ||||||||||
| Ipp60r040c7xksa1 | 13.6500 | | 4 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C7 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Ipp60r040 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à220-3-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 50A (TC) | 10V | 40MOHM @ 24.9A, 10V | 4V @ 1,24mA | 107 NC @ 10 V | ± 20V | 4340 PF @ 400 V | - | 227W (TC) | ||||||||||
| Ipp60r180c7xksa1 | 3.3800 | | 239 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C7 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Ipp60r180 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à220-3-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP001277624 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 13A (TC) | 10V | 180mohm @ 5.3a, 10v | 4V @ 260µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 1080 PF @ 400 V | - | 68W (TC) | |||||||||
| Ipd60r385cpatma1 | 2.9600 | | 2096 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CP | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Ipd60r | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 252-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 600 V | 9A (TC) | 10V | 385MOHM @ 5.2A, 10V | 3,5 V @ 340µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 790 pf @ 100 V | - | 83W (TC) | ||||||||||
| SPD04N80C3ATMA1 | 1.9600 | | 811 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | SPD04N80 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 252-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 800 V | 4A (TC) | 10V | 1,3 ohm @ 2,5a, 10v | 3,9 V @ 240µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 100 V | - | 63W (TC) | ||||||||||
| SPD06N80C3ATMA1 | 2.2400 | | 7251 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | SPD06N80 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 252-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 800 V | 6a (ta) | 10V | 900mohm @ 3,8a, 10v | 3,9 V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 785 PF @ 100 V | - | 83W (TC) | ||||||||||
| Ipp200n15n3ghksa1 | - | | 9922 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Ipp200n | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 220-3 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP000414714 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 150 V | 50A (TC) | 8v, 10v | 20 mohm @ 50a, 10v | 4V @ 90µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 1820 pf @ 75 V | - | 150W (TC) | ||||||||||
| Ipp65r125c7xksa1 | 5.6700 | | 2472 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C7 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Ipp65r125 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 650 V | 18A (TC) | 10V | 125MOHM @ 8.9A, 10V | 4V @ 440µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 1670 PF @ 400 V | - | 101W (TC) | ||||||||||
 | Ipw65r019c7fksa1 | 26.2000 | | 324 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C7 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Ipw65r019 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 650 V | 75A (TC) | 10V | 19MOHM @ 58.3A, 10V | 4V @ 2 92MA | 215 NC @ 10 V | ± 20V | 9900 PF @ 400 V | - | 446W (TC) | ||||||||||
 | BSP149H6327XTSA1 | 1.4400 | | 8598 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | BSP149 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG-Sot223-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 200 V | 660mA (TA) | 0v, 10v | 1,8 ohm @ 660mA, 10V | 1V @ 400µA | 14 NC @ 5 V | ± 20V | 430 pf @ 25 V | Mode d'Épuiment | 1.8W (TA) | ||||||||||
| IPD90P04P405ATMA1 | 1.3305 | | 5040 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Ipd90 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à252-3-313 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 40 V | 90a (TC) | 10V | 4,7MOHM @ 90A, 10V | 4V @ 250µA | 154 NC @ 10 V | ± 20V | 10300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||||||
| Ipp60r099p6xksa1 | 6.8500 | | 7161 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P6 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Ipp60r099 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 37,9A (TC) | 10V | 99MOHM @ 14.5A, 10V | 4,5 V @ 1,21MA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 3330 PF @ 100 V | - | 278W (TC) | ||||||||||
 | Ipl60r255p6auma1 | - | | 7513 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P6 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4 Powertsfn | IPL60R | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG-VSON-4 | télécharger | 2A (4 Semaines) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 600 V | 15.9a (TC) | 10V | 255MOHM @ 6.4A, 10V | 4,5 V @ 530 µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 1450 pf @ 100 V | - | 126W (TC) | |||||||||||
 | IPI120N06S402AKSA2 | 2.3590 | | 3065 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tube | Pas de designs les nouveaux | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | Ipi120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à262-3-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 60 V | 120A (TC) | 10V | 2,8MOHM @ 100A, 10V | 4V @ 140µA | 195 NC @ 10 V | ± 20V | 15750 pf @ 25 V | - | 188W (TC) | ||||||||||
 | BFQ790H6327XTSA1 | 2.3400 | | 4 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | À 243aa | BFQ790 | 1,5 w | PG-Sot89 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 000 | 17 dB | 6.1v | 300mA | NPN | 60 @ 250mA, 5V | 1,85 GHz | 2,6 dB à 1,8 GHz | |||||||||||||||
| Ipp039n04lghksa1 | - | | 1279 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Ipp039n | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 220-3 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP000391494 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 40 V | 80A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,9MOHM @ 80A, 10V | 2V @ 45µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 6100 pf @ 25 V | - | 94W (TC) | ||||||||||
| IPD068N10N3GATMA1 | 2.7500 | | 12 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Ipd068 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 252-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 90a (TC) | 6v, 10v | 6,8MOHM @ 90A, 10V | 3,5 V @ 90µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 4910 PF @ 50 V | - | 150W (TC) | ||||||||||
 | IPI024N06N3GXKSA1 | 3.2600 | | 8269 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | IPI024 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à262-3-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 120A (TC) | 10V | 2,4 mohm @ 100a, 10v | 4V @ 196µA | 275 NC @ 10 V | ± 20V | 23000 pf @ 30 V | - | 250W (TC) | ||||||||||
 | BSL303SPEH6327XTSA1 | - | | 1160 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG-TSOP6-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 6.3A (TA) | 4,5 V, 10V | 33MOHM @ 6.3A, 10V | 2V @ 30µA | 20,9 NC @ 10 V | ± 20V | 1401 PF @ 15 V | - | 2W (ta) |
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