SIC
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Transistors (13833)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Temps de réménage inversé (TRR) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C
IKW20N60TAFKSA1 Infineon Technologies IKW20N60AFKSA1 -
RFQ
 ECAD 4622 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Tube Obsolète - Par le trou À 247-3 IKW20N60 Standard 166 W PG à247-3-1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 240 400V, 20A, 12OHM, 15V 41 ns Arête du Champ de Tranché 600 V 40 A 60 A 2.05V @ 15V, 20A 770µj 120 NC 18ns / 199ns
IPA093N06N3GXKSA1 Infineon Technologies IPA093N06N3GXKSA1 1,3000
RFQ
 ECAD 7755 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tube Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET IPA093 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à220-3-31 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 60 V 43A (TC) 10V 9.3MOHM @ 40A, 10V 4V @ 34µA 48 NC @ 10 V ± 20V 3900 pf @ 30 V - 33W (TC)
IPA65R110CFDXKSA1 Infineon Technologies IPA65R110CFDXKSA1 4.4522
RFQ
 ECAD 7262 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ Tube Acheter la Dernière -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET Ipa65r MOSFET (Oxyde Métallique) PG à220-3-111 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 650 V 31.2a (TC) 10V 110MOHM @ 12.7A, 10V 4,5 V @ 1,3MA 118 NC @ 10 V ± 20V 3240 PF @ 100 V - 34,7w (TC)
IPA65R190C6XKSA1 Infineon Technologies IPA65R190C6XKSA1 -
RFQ
 ECAD 3325 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET Ipa65r MOSFET (Oxyde Métallique) PG à220-3-111 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 650 V 20.2a (TC) 10V 190mohm @ 7,3a, 10v 3,5 V @ 730 µA 73 NC @ 10 V ± 20V 1620 PF @ 100 V - 34W (TC)
IPA65R190CFDXKSA1 Infineon Technologies IPA65R190CFDXKSA1 -
RFQ
 ECAD 3510 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ Tube Abandonné à sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET Ipa65r MOSFET (Oxyde Métallique) PG à220-3-111 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 17.5A (TC) 10V 190mohm @ 7,3a, 10v 4,5 V @ 730µA 68 NC @ 10 V ± 20V 1850 pf @ 100 V - 34W (TC)
IPI100N04S4H2AKSA1 Infineon Technologies IPI100N04S4H2AKSA1 -
RFQ
 ECAD 3147 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa IPI100N MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 262-3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 40 V 100A (TC) 10V 2,7MOHM @ 100A, 10V 4V @ 70µA 90 NC @ 10 V ± 20V 7180 PF @ 25 V - 115W (TC)
IPI120N04S402AKSA1 Infineon Technologies IPI120N04S402AKSA1 2.4212
RFQ
 ECAD 9651 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa Ipi120 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 262-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 40 V 120A (TC) 10V 2,1MOHM @ 100A, 10V 4V à 110µA 134 NC @ 10 V ± 20V 10740 pf @ 25 V - 158W (TC)
IPI50R299CPXKSA1 Infineon Technologies IPI50R299CPXKSA1 -
RFQ
 ECAD 5899 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa Ipi50r MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 262-3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 500 V 12A (TC) 10V 299MOHM @ 6.6A, 10V 3,5 V @ 440µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1190 PF @ 100 V - 104W (TC)
IPI530N15N3GXKSA1 Infineon Technologies IPI530N15N3GXKSA1 -
RFQ
 ECAD 5036 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tube Abandonné à sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa Ipi530 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 262-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 150 V 21A (TC) 8v, 10v 53MOHM @ 18A, 10V 4V @ 35µA 12 NC @ 10 V ± 20V 887 pf @ 75 V - 68W (TC)
IPI600N25N3GAKSA1 Infineon Technologies IPI600N25N3GAKSA1 -
RFQ
 ECAD 4633 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa Ipi600 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 262-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 250 V 25a (TC) 10V 60mohm @ 25a, 10v 4V @ 90µA 29 NC @ 10 V ± 20V 2350 pf @ 100 V - 136W (TC)
IPI65R280C6XKSA1 Infineon Technologies Ipi65r280c6xksa1 -
RFQ
 ECAD 2239 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa Ipi65r MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 262-3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 650 V 13.8A (TC) 10V 280MOHM @ 4.4A, 10V 3,5 V @ 440µA 45 NC @ 10 V ± 20V 950 pf @ 100 V - 104W (TC)
IPI65R420CFDXKSA1 Infineon Technologies IPI65R420CFDXKSA1 -
RFQ
 ECAD 4661 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa Ipi65r MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 262-3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 650 V 8.7A (TC) 10V 420 mOhm @ 3,4a, 10v 4,5 V @ 340µA 32 NC @ 10 V ± 20V 870 pf @ 100 V - 83.3W (TC)
IPI90N04S402AKSA1 Infineon Technologies IPI90N04S402AKSA1 3.1900
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa IPI90N04 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 262-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 40 V 90a (TC) 10V 2,5 mohm @ 90a, 10v 4V @ 95µA 118 NC @ 10 V ± 20V 9430 pf @ 25 V - 150W (TC)
IPP70N04S406AKSA1 Infineon Technologies Ipp70n04s406aksa1 0,8623
RFQ
 ECAD 5504 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ipp70n04 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à220-3-1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 40 V 70A (TC) 10V 6,5 mohm @ 70a, 10v 4V @ 26µA 32 NC @ 10 V ± 20V 2550 pf @ 25 V - 58W (TC)
IPP90N04S402AKSA1 Infineon Technologies Ipp90n04s402aksa1 -
RFQ
 ECAD 5012 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ipp90n MOSFET (Oxyde Métallique) PG à220-3-1 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 40 V 90a (TC) 10V 2,5 mohm @ 90a, 10v 4V @ 95µA 118 NC @ 10 V ± 20V 9430 pf @ 25 V - 150W (TC)
IPW65R070C6FKSA1 Infineon Technologies Ipw65r070c6fksa1 11.2600
RFQ
 ECAD 2918 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ Tube Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ipw65r070 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à247-3-1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 650 V 53,5a (TC) 10V 70MOHM @ 17.6A, 10V 3,5 V @ 1,76MA 170 NC @ 10 V ± 20V 3900 pf @ 100 V - 391W (TC)
IRFTS9342TRPBF Infineon Technologies Irfts9342trpbf 0,5800
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Irfts9342 MOSFET (Oxyde Métallique) 6 TSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 30 V 5.8A (TA) 4,5 V, 10V 40 mohm @ 5.8a, 10v 2,4 V @ 25µA 12 NC @ 10 V ± 20V 595 PF @ 25 V - 2W (ta)
IPB100N06S205ATMA4 Infineon Technologies IPB100N06S205ATMA4 -
RFQ
 ECAD 8865 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IPB100 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à263-3-2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 55 V 100A (TC) 10V 4,7MOHM @ 80A, 10V 4V @ 250µA 170 NC @ 10 V ± 20V 5110 PF @ 25 V - 300W (TC)
IPB80N06S208ATMA2 Infineon Technologies IPB80N06S208ATMA2 -
RFQ
 ECAD 9300 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IPB80N MOSFET (Oxyde Métallique) PG à263-3-2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 55 V 80A (TC) 10V 7,7MOHM @ 58A, 10V 4V à 150µA 96 NC @ 10 V ± 20V 2860 pf @ 25 V - 215W (TC)
IPB80N06S2L11ATMA2 Infineon Technologies IPB80N06S2L11ATMA2 2.5200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IPB80N MOSFET (Oxyde Métallique) PG à263-3-2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 55 V 80A (TC) 4,5 V, 10V 10,7MOHM @ 40A, 10V 2V @ 93µA 80 NC @ 10 V ± 20V 2075 PF @ 25 V - 158W (TC)
IPD25CN10NGATMA1 Infineon Technologies Ipd25cn10ngatma1 1.4700
RFQ
 ECAD 1718 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 IPD25CN10 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 252-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 100 V 35A (TC) 10V 25MOHM @ 35A, 10V 4V @ 39µA 31 NC @ 10 V ± 20V 2070 PF @ 50 V - 71W (TC)
IPD65R600E6ATMA1 Infineon Technologies Ipd65r600e6atma1 -
RFQ
 ECAD 9964 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ E6 Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 IPD65R600 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 252-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 650 V 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 2.1a, 10v 3,5 V @ 210µA 23 NC @ 10 V ± 20V 440 PF @ 100 V - 63W (TC)
IPD65R660CFDATMA1 Infineon Technologies Ipd65r660cfdatma1 0,8193
RFQ
 ECAD 5263 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ Ruban Adhésif (tr) Acheter la Dernière -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Ipd65r660 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 252-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 650 V 6A (TC) 10V 660MOHM @ 2.1A, 10V 4,5 V @ 200µA 22 NC @ 10 V ± 20V 615 PF @ 100 V - 62,5W (TC)
IPD65R950CFDATMA1 Infineon Technologies IPD65R950CFDATMA1 0,6380
RFQ
 ECAD 5512 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ Ruban Adhésif (tr) Acheter la Dernière -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 IPD65R950 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 252-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 650 V 3.9A (TC) 10V 950mohm @ 1,5a, 10v 4,5 V @ 200µA 14.1 NC @ 10 V ± 20V 380 pf @ 100 V - 36,7W (TC)
IPD90R1K2C3ATMA1 Infineon Technologies IPD90R1K2C3ATMA1 0,8583
RFQ
 ECAD 7116 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Ipd90 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 252-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 900 V 5.1a (TC) 10V 1,2 ohm @ 2,8a, 10v 3,5 V @ 310µA 28 NC @ 10 V ± 20V 710 PF @ 100 V - 83W (TC)
IPP100N04S204AKSA2 Infineon Technologies Ipp100n04s204aksa2 -
RFQ
 ECAD 7157 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ipp100n MOSFET (Oxyde Métallique) PG à220-3-1 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 40 V 100A (TC) 10V 3,6MOHM @ 80A, 10V 4V @ 250µA 172 NC @ 10 V ± 20V 5300 pf @ 25 V - 300W (TC)
IPP80N06S2H5AKSA2 Infineon Technologies Ipp80n06s2h5aksa2 -
RFQ
 ECAD 5022 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ipp80n MOSFET (Oxyde Métallique) PG à220-3-1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 55 V 80A (TC) 10V 5,5 mohm @ 80a, 10v 4V à 230 µA 155 NC @ 10 V ± 20V 4400 pf @ 25 V - 300W (TC)
IPP80N06S2LH5AKSA2 Infineon Technologies Ipp80n06s2lh5aksa2 -
RFQ
 ECAD 5452 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ipp80n MOSFET (Oxyde Métallique) PG à220-3-1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 55 V 80A (TC) 4,5 V, 10V 5MOHM @ 80A, 10V 2V à 250µA 190 NC @ 10 V ± 20V 5000 pf @ 25 V - 300W (TC)
IPP60R040C7XKSA1 Infineon Technologies Ipp60r040c7xksa1 13.6500
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C7 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ipp60r040 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à220-3-1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 50A (TC) 10V 40MOHM @ 24.9A, 10V 4V @ 1,24mA 107 NC @ 10 V ± 20V 4340 PF @ 400 V - 227W (TC)
IPP60R180C7XKSA1 Infineon Technologies Ipp60r180c7xksa1 3.3800
RFQ
 ECAD 239 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C7 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ipp60r180 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à220-3-1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté SP001277624 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 13A (TC) 10V 180mohm @ 5.3a, 10v 4V @ 260µA 24 NC @ 10 V ± 20V 1080 PF @ 400 V - 68W (TC)
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    2000+

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    30 000 000

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