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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AS3401 | 0 2900 | ![]() | 61 | 0,00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 4.4a (TA) | 2,5 V, 10V | 55MOHM @ 4.4A, 10V | 1,4 V @ 250µA | 7.2 NC @ 10 V | ± 12V | 680 pf @ 15 V | - | 1.2W (TA) | |||||||||||
![]() | AS2302 | 0.1900 | ![]() | 34 | 0,00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 3a (ta) | 2,5 V, 4,5 V | 55MOHM @ 3A, 4,5 V | 1,25 V @ 250µA | 3,81 NC @ 4,5 V | ± 10V | 220 pf @ 10 V | - | 700MW (TA) | |||||||||||
![]() | MMBT5401 | 0 1200 | ![]() | 27 | 0,00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 150 V | 600 mA | 50NA (ICBO) | Pnp | 500 mV @ 5mA, 50mA | 60 @ 10mA, 5V | 300 MHz | |||||||||||||||
![]() | MMBT4403 | 0 1200 | ![]() | 126 | 0,00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3L | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 40 V | 600 mA | 100NA | Pnp | 750 MV @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 2V | 200 MHz | |||||||||||||||
![]() | MMBT2222A | 0,1600 | ![]() | 37 | 0,00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT2222 | 350 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 40 V | 600 mA | 10na | NPN | 1V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 300 MHz | ||||||||||||||
![]() | BC847B | 0,1000 | ![]() | 127 | 0,00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 200 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 45 V | 100 mA | 100NA | NPN | 500 mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||
![]() | AS1M025120P | 39.5400 | ![]() | 128 | 0,00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Sicfet (carbure de silicium) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 4530-AS1M025120P | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 1200 V | 90a (TC) | 20V | 34MOHM @ 50A, 20V | 4V @ 15mA | 195 NC @ 20 V | + 25V, -10V | 3600 pf @ 1000 V | - | 463W (TC) | ||||||||||
![]() | AS1M040120T | 21.5300 | ![]() | 27 | 0,00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-4 | Sicfet (carbure de silicium) | À 247-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 4530-AS1M040120T | EAR99 | 8541.21.0095 | 30 | Canal n | 1200 V | 60a (TC) | 20V | 55MOHM @ 40A, 20V | 4V @ 10mA | 142 NC @ 20 V | + 25V, -10V | 2946 PF @ 1000 V | - | 330W (TC) | ||||||||||
![]() | AS3400 | 0 2900 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 4530-AS3400DKR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 5.6A (TA) | 2,5 V, 10V | 27MOHM @ 5.6A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 4,8 NC @ 4,5 V | ± 12V | 535 pf @ 15 V | - | 1.2W (TA) | ||||||||||
![]() | BSS123 | 0.1400 | ![]() | 73 | 0,00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 200mA (TA) | 4,5 V, 10V | 5OHM @ 200mA, 10V | 2,5 V @ 250µA | 1,8 NC @ 10 V | ± 20V | 14 pf @ 50 V | - | 350MW (TA) | |||||||||||
![]() | MMBT2907A | 0 1200 | ![]() | 40 | 0,00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3L | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 60 V | 800 mA | 20na | Pnp | 1,6 V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 200 MHz | |||||||||||||||
![]() | BCP56-16 | 0,4300 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | 1,6 W | SOT-223 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 80 V | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500 mV à 50ma, 500mA | 100 @ 150mA, 2V | - | |||||||||||||||
![]() | AS2324 | 0 2900 | ![]() | 36 | 0,00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 2a (ta) | 4,5 V, 10V | 280mohm @ 2a, 10v | 3V à 250µA | 5.3 NC @ 10 V | ± 20V | 330 pf @ 50 V | - | 1.2W (TA) | |||||||||||
![]() | AS2312 | 0,2800 | ![]() | 33 | 0,00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 6.8A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 18MOHM @ 6.8A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 11.05 NC @ 4,5 V | ± 10V | 888 PF @ 10 V | - | 1.2W (TA) | |||||||||||
![]() | AS2M040120P | 21.5100 | ![]() | 7607 | 0,00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Sicfet (carbure de silicium) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 1200 V | 60a (TC) | 20V | 55MOHM @ 40A, 20V | 4V @ 10mA | 142 NC @ 20 V | + 25V, -10V | 2946 PF @ 1000 V | - | 330W (TC) | |||||||||||
![]() | MMBT5551 | 0 1200 | ![]() | 36 | 0,00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3L | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 4530 MMBT551TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 160 V | 600 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 200 mV @ 5mA, 50mA | 80 @ 10mA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||
![]() | AS1M025120T | 39.5600 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-4 | Sicfet (carbure de silicium) | À 247-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 4530-AS1M025120T | EAR99 | 8541.21.0095 | 30 | Canal n | 1200 V | 65A (TC) | 20V | 34MOHM @ 50A, 20V | 4V @ 15mA | 195 NC @ 20 V | + 25V, -10V | 4200 pf @ 1000 V | - | 370W (TC) | ||||||||||
![]() | BSS138 | 0 1700 | ![]() | 95 | 0,00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 50 V | 220mA (TA) | 4,5 V, 10V | 3OHM @ 500mA, 10V | 1,6 V @ 250µA | ± 20V | 27 pf @ 25 V | - | 350MW (TA) | ||||||||||||
![]() | 2N7002E | 0.1400 | ![]() | 44 | 0,00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 4530-2n7002etr | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 340mA (TA) | 4,5 V, 10V | 5OHM @ 300mA, 10V | 2,5 V @ 250µA | 2,4 NC @ 10 V | ± 20V | 18 pf @ 30 V | - | 350MW (TA) | |||||||||
![]() | BSS84 | 0.1900 | ![]() | 153 | 0,00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 50 V | 130mA (TA) | 4,5 V, 10V | 8OHM @ 150mA, 10V | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | 30 pf @ 30 V | - | 225MW (TA) | ||||||||||||
![]() | AS6004 | 0,5000 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3L | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 3 000 | Canal p | 60 V | 4a (ta) | 4,5 V, 10V | 120 MOHM @ 4A, 10V | 3V à 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 930 pf @ 30 V | - | 1.5W (TA) | |||||||||||||
![]() | AS1M080120P | 11.9700 | ![]() | 128 | 0,00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Sicfet (carbure de silicium) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 4530-AS1M080120P | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 1200 V | 36a (TC) | 20V | 98MOHM @ 20A, 20V | 4V @ 5mA | 79 NC @ 20 V | + 25V, -10V | 1475 PF @ 1000 V | - | 192W (TC) | ||||||||||
![]() | MMBT4401 | 0 1200 | ![]() | 162 | 0,00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3L | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 40 V | 600 mA | 100NA | NPN | 750 MV @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 1V | 250 MHz | |||||||||||||||
![]() | MMBT3904 | 0,1000 | ![]() | 194 | 0,00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT390 | 300 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 40 V | 200 mA | 50na | NPN | 300 MV à 5MA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 250 MHz |
Volume de RFQ moyen quotidien
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