SIC
close
Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
AS3401 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3401 0 2900
RFQ
ECAD 61 0,00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 30 V 4.4a (TA) 2,5 V, 10V 55MOHM @ 4.4A, 10V 1,4 V @ 250µA 7.2 NC @ 10 V ± 12V 680 pf @ 15 V - 1.2W (TA)
AS2302 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2302 0.1900
RFQ
ECAD 34 0,00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 20 V 3a (ta) 2,5 V, 4,5 V 55MOHM @ 3A, 4,5 V 1,25 V @ 250µA 3,81 NC @ 4,5 V ± 10V 220 pf @ 10 V - 700MW (TA)
MMBT5401 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT5401 0 1200
RFQ
ECAD 27 0,00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 150 V 600 mA 50NA (ICBO) Pnp 500 mV @ 5mA, 50mA 60 @ 10mA, 5V 300 MHz
MMBT4403 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT4403 0 1200
RFQ
ECAD 126 0,00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3L télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 40 V 600 mA 100NA Pnp 750 MV @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 2V 200 MHz
MMBT2222A ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT2222A 0,1600
RFQ
ECAD 37 0,00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2222 350 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 40 V 600 mA 10na NPN 1V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 300 MHz
BC847B ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BC847B 0,1000
RFQ
ECAD 127 0,00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 45 V 100 mA 100NA NPN 500 mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2MA, 5V 100 MHz
AS1M025120P ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M025120P 39.5400
RFQ
ECAD 128 0,00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Sicfet (carbure de silicium) À 247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 4530-AS1M025120P EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1200 V 90a (TC) 20V 34MOHM @ 50A, 20V 4V @ 15mA 195 NC @ 20 V + 25V, -10V 3600 pf @ 1000 V - 463W (TC)
AS1M040120T ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M040120T 21.5300
RFQ
ECAD 27 0,00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-4 Sicfet (carbure de silicium) À 247-4 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 4530-AS1M040120T EAR99 8541.21.0095 30 Canal n 1200 V 60a (TC) 20V 55MOHM @ 40A, 20V 4V @ 10mA 142 NC @ 20 V + 25V, -10V 2946 PF @ 1000 V - 330W (TC)
AS3400 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3400 0 2900
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 4530-AS3400DKR EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 5.6A (TA) 2,5 V, 10V 27MOHM @ 5.6A, 10V 1,5 V @ 250µA 4,8 NC @ 4,5 V ± 12V 535 pf @ 15 V - 1.2W (TA)
BSS123 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BSS123 0.1400
RFQ
ECAD 73 0,00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 100 V 200mA (TA) 4,5 V, 10V 5OHM @ 200mA, 10V 2,5 V @ 250µA 1,8 NC @ 10 V ± 20V 14 pf @ 50 V - 350MW (TA)
MMBT2907A ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT2907A 0 1200
RFQ
ECAD 40 0,00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3L télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 60 V 800 mA 20na Pnp 1,6 V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 200 MHz
BCP56-16 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BCP56-16 0,4300
RFQ
ECAD 15 0,00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 261-4, à 261aa 1,6 W SOT-223 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 80 V 1 a 100NA (ICBO) NPN 500 mV à 50ma, 500mA 100 @ 150mA, 2V -
AS2324 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2324 0 2900
RFQ
ECAD 36 0,00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 100 V 2a (ta) 4,5 V, 10V 280mohm @ 2a, 10v 3V à 250µA 5.3 NC @ 10 V ± 20V 330 pf @ 50 V - 1.2W (TA)
AS2312 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2312 0,2800
RFQ
ECAD 33 0,00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 20 V 6.8A (TA) 1,8 V, 4,5 V 18MOHM @ 6.8A, 4,5 V 1V @ 250µA 11.05 NC @ 4,5 V ± 10V 888 PF @ 10 V - 1.2W (TA)
AS2M040120P ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2M040120P 21.5100
RFQ
ECAD 7607 0,00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Sicfet (carbure de silicium) À 247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1200 V 60a (TC) 20V 55MOHM @ 40A, 20V 4V @ 10mA 142 NC @ 20 V + 25V, -10V 2946 PF @ 1000 V - 330W (TC)
MMBT5551 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT5551 0 1200
RFQ
ECAD 36 0,00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3L télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 4530 MMBT551TR EAR99 8541.21.0095 3 000 160 V 600 mA 50NA (ICBO) NPN 200 mV @ 5mA, 50mA 80 @ 10mA, 5V 100 MHz
AS1M025120T ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M025120T 39.5600
RFQ
ECAD 30 0,00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-4 Sicfet (carbure de silicium) À 247-4 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 4530-AS1M025120T EAR99 8541.21.0095 30 Canal n 1200 V 65A (TC) 20V 34MOHM @ 50A, 20V 4V @ 15mA 195 NC @ 20 V + 25V, -10V 4200 pf @ 1000 V - 370W (TC)
BSS138 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BSS138 0 1700
RFQ
ECAD 95 0,00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 50 V 220mA (TA) 4,5 V, 10V 3OHM @ 500mA, 10V 1,6 V @ 250µA ± 20V 27 pf @ 25 V - 350MW (TA)
2N7002E ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 2N7002E 0.1400
RFQ
ECAD 44 0,00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 4530-2n7002etr EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 60 V 340mA (TA) 4,5 V, 10V 5OHM @ 300mA, 10V 2,5 V @ 250µA 2,4 NC @ 10 V ± 20V 18 pf @ 30 V - 350MW (TA)
BSS84 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BSS84 0.1900
RFQ
ECAD 153 0,00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal p 50 V 130mA (TA) 4,5 V, 10V 8OHM @ 150mA, 10V 2,5 V @ 250µA ± 20V 30 pf @ 30 V - 225MW (TA)
AS6004 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS6004 0,5000
RFQ
ECAD 15 0,00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23-3L télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 3 000 Canal p 60 V 4a (ta) 4,5 V, 10V 120 MOHM @ 4A, 10V 3V à 250µA 25 NC @ 10 V ± 20V 930 pf @ 30 V - 1.5W (TA)
AS1M080120P ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M080120P 11.9700
RFQ
ECAD 128 0,00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Sicfet (carbure de silicium) À 247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 4530-AS1M080120P EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1200 V 36a (TC) 20V 98MOHM @ 20A, 20V 4V @ 5mA 79 NC @ 20 V + 25V, -10V 1475 PF @ 1000 V - 192W (TC)
MMBT4401 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT4401 0 1200
RFQ
ECAD 162 0,00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3L télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 40 V 600 mA 100NA NPN 750 MV @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 1V 250 MHz
MMBT3904 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT3904 0,1000
RFQ
ECAD 194 0,00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT390 300 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 40 V 200 mA 50na NPN 300 MV à 5MA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock