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Transistors (324)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)
25p06	0,8300	RFQ	4	Semi-conducteur de Goford	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252	télécharger		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p	60 V	25a (TC)	10V	45MOHM @ 12A, 10V	3V à 250µA	37 NC @ 10 V	± 20V	3384 PF @ 30 V	-	100W (TC)
G180N06S2	0,8000	RFQ	4	Semi-conducteur de Goford	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	G180	MOSFET (Oxyde Métallique)	2W (TC)	8-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	4 000	2 Canaux N (double)		60V	8A (TC)		20 mohm @ 6a, 10v	2,4 V @ 250µA	58nc @ 10v		2330pf @ 30v	Standard
G65p06f	1.1500	RFQ	196	Semi-conducteur de Goford	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal p	60 V	65A (TC)	10V	18MOHM @ 20A, 10V	3,5 V @ 250µA	75 NC @ 10 V	± 20V	6477 PF @ 25 V	-	39W (TC)
G66	0,6800	RFQ	33	Semi-conducteur de Goford	G	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-WDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)		6-DFN (2x2)	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99		3 000		Canal p	16 V	5.8A (TA)	2,5 V, 4,5 V	45MOHM @ 4.1A, 4,5 V	1V @ 250µA	7,8 NC @ 4,5 V	± 8v	740 PF @ 4 V	-	1.7W (TA)
G75P04T	-	RFQ	4272	Semi-conducteur de Goford	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0000	50		Canal p	40 V	70A (TC)	4,5 V, 10V	7MOHM @ 20A, 10V	2,5 V @ 250µA	106 NC @ 10 V	± 20V	6985 PF @ 20 V	-	277W (TC)
G20N03K	0,5500	RFQ	4	Semi-conducteur de Goford	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	30 V	30a (TC)	4,5 V, 10V	20 mohm @ 10a, 10v	2,5 V @ 250µA	18 NC @ 10 V	± 20V	923 PF @ 15 V	-	33W (TC)
G130N06M	0,3210	RFQ	4	Semi-conducteur de Goford	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263	télécharger	Rohs conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0000	800		Canal n	60 V	90a (TC)	4,5 V, 10V	12MOHM @ 20A, 10V	2,4 V @ 250µA	36,6 NC @ 10 V	± 20V	2867 pf @ 30 V	-	85W (TC)
G700P06D5	0.4900	RFQ	4	Semi-conducteur de Goford	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-DFN (4,9x5,75)	télécharger	Rohs conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0000	5 000		Canal p	60 V	25a (TC)	4,5 V, 10V	70MOHM @ 4A, 10V	2,5 V @ 250µA	25 NC @ 10 V	± 20V	1451 PF @ 30 V	Standard	42W (TC)
G10N03	0,4000	RFQ	3	Semi-conducteur de Goford	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOP	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	4 000		Canal n	30 V	10A (TC)	4,5 V, 10V	12MOHM @ 6A, 10V	2,5 V @ 250µA	17 NC @ 4,5 V	± 20V	839 PF @ 15 V	-	2,5W (TC)
GT035N10T	2.4124	RFQ	2959	Semi-conducteur de Goford	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	-	Rohs conforme		Atteindre non affecté	3141-GT035N10T	EAR99	8541.29.0000	50		Canal n	100 V	190a (TC)	10V	3,5 mohm @ 20a, 10v	4V @ 250µA	68 NC @ 10 V	± 20V	6057 PF @ 50 V	-	250W (TC)
G20N03D2	0 4600	RFQ	2	Semi-conducteur de Goford	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-WDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)		6-DFN (2x2)	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	9A (TC)	4,5 V, 10V	24MOHM @ 5A, 10V	2V à 250µA	20 nc @ 10 V	± 20V	873 PF @ 30 V	-	1,5 W (TC)
GC11N65F	1.6400	RFQ	145	Semi-conducteur de Goford	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	650 V	11A		360 MOHM @ 5.5A, 10V	4V @ 250µA	21 NC @ 10 V	± 30V	901 PF @ 50 V		31.3W
G700P06T	0,6800	RFQ	4406	Semi-conducteur de Goford	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal p	60 V	25a (TC)	4,5 V, 10V	70MOHM @ 4A, 10V	2,5 V @ 250µA	23 NC @ 10 V	± 20V	1428 PF @ 30 V	-	100W (TC)
GC20N65T	2.7300	RFQ	85	Semi-conducteur de Goford	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	650 V	20A (TC)	10V	170MOHM @ 10A, 10V	4,5 V @ 250µA	39 NC @ 10 V	± 30V	1724 PF @ 100 V	-	151W (TC)
G15N06K	0,5300	RFQ	12	Semi-conducteur de Goford	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	60 V	15A (TC)	4,5 V, 10V	45MOHM @ 8A, 10V	3V à 250µA	25 NC @ 10 V	± 20V	763 PF @ 30 V	-	40W (TC)
G10p03	0.4900	RFQ	4	Semi-conducteur de Goford	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8 powervdfn		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-DFN (3.15x3.05)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 000		Canal p	30 V	10A			1,5 V @ 250µA	27 NC @ 4,5 V	± 12V	1550 pf @ 15 V		20W
Gt011n03d5e	1.6700	RFQ	2573	Semi-conducteur de Goford	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-DFN (4,9x5,75)	télécharger	Rohs conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0000	5 000		Canal n	30 V	209a (TC)	4,5 V, 10V	-	2,5 V @ 250µA	98 NC @ 10 V	± 16V	6503 PF @ 15 V	-	89W (TC)
G3K8N15HE	0,5000	RFQ	2	Semi-conducteur de Goford	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-	Rohs conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0000	2 500
GT060N04D3	0,6600	RFQ	13	Semi-conducteur de Goford	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8 powervdfn		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-DFN (3.15x3.05)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 000		Canal n	40 V	40A (TC)	4,5 V, 10V	6,5 mohm @ 30a, 10v	2,5 V @ 250µA	32 NC @ 10 V	± 20V	1282 PF @ 20 V	-	36W (TC)
G20P06K	0,6800	RFQ	2	Semi-conducteur de Goford	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p	60 V	20A (TC)	10V	45MOHM @ 12A, 10V	3,5 V @ 250µA	46 NC @ 10 V	± 20V	3430 pf @ 30 V		90W (TC)
G75p04f	1.2000	RFQ	48	Semi-conducteur de Goford	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f	télécharger	Rohs conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	3141-G75P04F	EAR99	8541.29.0000	50		Canal p	40 V	54A (TC)	4,5 V, 10V	7MOHM @ 10A, 10V	2,5 V @ 250µA	106 NC @ 10 V	± 20V	6768 PF @ 20 V	-	35,7W (TC)
Gt080n08d5	0,3673	RFQ	3711	Semi-conducteur de Goford	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-DFN (4,9x5,75)	-	Rohs conforme		Atteindre non affecté	3141-GT080N08D5TR	EAR99	8541.29.0000	5 000		Canal n	85 V	65A (TC)	10V	8MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	± 20V	1885 PF @ 50 V	-	69W (TC)
GT013N04D5	0,5251	RFQ	4507	Semi-conducteur de Goford	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-DFN (4,9x5,75)	-	Rohs conforme		Atteindre non affecté	3141-GT013N04D5TR	EAR99	8541.29.0000	5 000		Canal n	40 V	195a (TC)	10V	1,7MOHM @ 30A, 10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	± 20V	3927 PF @ 20 V	-	78W (TC)
G60N10K	0,9700	RFQ	2	Semi-conducteur de Goford	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252	télécharger	Rohs conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0000	2 500		Canal n	90 V	60a (TC)	4,5 V, 10V	25MOHM @ 20A, 10V	2,5 V @ 250µA	111 NC @ 10 V	± 20V	4118 PF @ 50 V	-	56W (TC)
Gt011n03me	1.7100	RFQ	800	Semi-conducteur de Goford	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263	télécharger	Rohs conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0000	800		Canal n	30 V	209a (TC)	4,5 V, 10V	1,6 mohm @ 10a, 10v	2,5 V @ 250µA	98 NC @ 10 V	± 18V	6140 PF @ 15 V	-	89W (TC)
G58N06F	0,9700	RFQ	75	Semi-conducteur de Goford	TRENCHFET®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99		50		Canal n	60 V	35A (TC)	4,5 V, 10V	13MOHM @ 30A, 10V	2,4 V @ 250µA	75 NC @ 10 V	± 20V	30006 PF @ 30 V	Standard	44W (TC)
G60N04K	0,7200	RFQ	2	Semi-conducteur de Goford	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252 (dpak)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	40 V	60A		7MOHM @ 30A, 10V	2,5 V @ 250µA	29 NC @ 10 V	± 20V	1800 pf @ 20 V		65W
G25N06K	0,6200	RFQ	5	Semi-conducteur de Goford	G	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	60 V	25a (TC)	10V	27MOHM @ 20A, 10V	2,5 V @ 250µA	25 NC @ 10 V	± 20V	970 pf @ 30 V	-	45W (TC)
G07P04	0,5800	RFQ	3	Semi-conducteur de Goford	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOP	télécharger		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	4 000		Canal p	40 V	7a (TC)	4,5 V, 10V	18MOHM @ 7A, 10V	2,5 V @ 250µA	24 NC @ 10 V	± 20V	1750 pf @ 20 V	-	2,5W (TC)
G70P02K	0,8300	RFQ	3	Semi-conducteur de Goford	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p	15 V	70A (TC)	2,5 V, 4,5 V	8,5MOHM @ 20A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	55 NC @ 4,5 V	± 12V	3500 pf @ 10 V	-	70W (TC)

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
2800+
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