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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BY550-50 | 0,0897 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de diotec | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-201AAAA, DO-27, Axial | Standard | DO-2010 | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | 2796 PAR 550-50TR | 8541.10.0000 | 1250 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1 V @ 5 A | 1,5 µs | 5 µA @ 50 V | -50 ° C ~ 175 ° C | 5A | - | |||||||||||||
![]() | HZ30-3-E | 0,1100 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | HZ | En gros | Actif | ± 2,33% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 23 V | 30 V | 18 ohms | |||||||||||||||
![]() | Dl5241b-tp | - | ![]() | 4120 | 0,00000000 | Micro Commercial Co | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | DL5241 | 500 MW | Mini-MF | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1,1 V @ 200 mA | 2 µA @ 8,4 V | 11 V | 22 ohms | |||||||||||||
![]() | CS1G-E3 / I | 0,2600 | ![]() | 16 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | DO-214AC, SMA | CS1 | Standard | DO-214AC (SMA) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 1 A | 1,5 µs | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 6pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | 1N1184AR | 6.3770 | ![]() | 4538 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N1184AR | Polateté Standard et inverse | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1N1184argn | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1.1 V @ 40 A | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 40a | - | ||||||||||||
![]() | RUR1510 | 0,5400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Avalanche | À 220AC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1.05 V @ 15 A | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | ||||||||||||
![]() | MA3Z7930GL | - | ![]() | 5599 | 0,00000000 | Composants Électroniques Panasoniques | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | SC-85 | MA3Z793 | Schottky | Smini3-f2 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | Connexion de la Séririe 1 paire | 30 V | 100mA (DC) | 550 mV @ 100 mA | 2 ns | 15 µA @ 30 V | 125 ° C (max) | |||||||||||||
![]() | MMBZ5230B_R1_00001 | 0.1900 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5230 | 410 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 3757-MMBZ5230B_R1_00001CT | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 5 µA @ 2 V | 4.7 V | 19 ohms | |||||||||||||
![]() | Rbr3lam30atr | 0.4900 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | Support de surface | SOD-128 | RBR3LA30 | Schottky | PMDTM | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 580 MV @ 3 A | 50 µA @ 30 V | 150 ° C (max) | 3A | - | ||||||||||||
![]() | V20150C-M3 / 4W | 0,8037 | ![]() | 2225 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | V20150 | Schottky | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 150 V | 10A | 1,2 V @ 10 A | 150 µA à 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
SBL835 | - | ![]() | 3624 | 0,00000000 | Les diodes incorporent | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-2 | Schottky | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 35 V | 550 MV @ 8 A | 500 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | ||||||||||||||
![]() | MD250S18M5-BP | 52.0883 | ![]() | 5069 | 0,00000000 | Micro Commercial Co | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module | MD250 | Standard | M5 | télécharger | 353-MD250S18M5-BP | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,6 V @ 300 A | 500 µA à 1800 V | 250 A | Triphasé | 1,8 kV | |||||||||||||||
![]() | 2M110ZHB0G | - | ![]() | 4910 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 2m110 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 000 | 500 na @ 83,6 V | 110 V | 250 ohms | ||||||||||||||
![]() | TS10P07GHC2G | - | ![]() | 8826 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, TS-6P | TS10P07 | Standard | TS-6P | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 10 A | 10 µA à 1000 V | 10 a | Monophasé | 1 kv | |||||||||||||
1N5822G | 0,6600 | ![]() | 11 | 0,00000000 | onsemi | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-201AAAA, DO-27, Axial | 1N5822 | Schottky | Axial | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 525 MV @ 3 A | 2 ma @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | |||||||||||||
![]() | SE20PGHM3 / 85A | 0.1048 | ![]() | 2831 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-220AA | SE20 | Standard | DO-220AA (SMP) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1.05 V @ 2 A | 1,2 µs | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.6a | 13pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | GBU4005G | 0,3175 | ![]() | 7521 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-ISIP | GBU4005 | Standard | GBU | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA @ 50 V | 4 A | Monophasé | 50 V | |||||||||||||
![]() | LQA30B200C | 1.4100 | ![]() | 6633 | 0,00000000 | INTÉGRATIONS DE PUISSANCE | QSpeed ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | À 220-3 | LQA30 | Standard | À 220ab | télécharger | Rohs conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 15A | 1,2 V @ 15 A | 16,5 ns | 500 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | Apt30d30bctg | 5.1200 | ![]() | 87 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | Apt30 | Standard | À 247 [b] | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 300 V | 30A | 1,4 V @ 30 A | 25 ns | 250 µA à 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | Es3jbh | 0.2045 | ![]() | 7706 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AA, SMB | ES3J | Standard | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1 45 V @ 3 A | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 34pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | RB095B-40TL | - | ![]() | 5063 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | RB095B-40 | Schottky | DPC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 40 V | 3A | 550 mV @ 3 a | 100 µA @ 40 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||
![]() | G1DS | 0,0180 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Technologie Yangjie | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | Rohs conforme | Atteindre non affecté | 4617-G1DSTR | EAR99 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT42-L0 A0 | - | ![]() | 8858 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bat42 | Schottky | Do-35 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | BAT42-L0A0 | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 30 V | 1 V @ 200 mA | 5 ns | 500 na @ 25 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 200m | 7pf @ 1v, 1mhz | ||||||||||
![]() | 1SMB5943H | 0,1545 | ![]() | 3369 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AA, SMB | 1smb5943 | 3 W | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 µA @ 42,6 V | 56 V | 86 ohms | ||||||||||||||
![]() | 1SS355-7 | - | ![]() | 4407 | 0,00000000 | Les diodes incorporent | - | En gros | Acheter la Dernière | Support de surface | SC-76, SOD-323 | 1SS355 | Standard | SOD-323 | - | 31-1SS355-7 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 80 V | 1,2 V @ 100 mA | 4 ns | 100 na @ 80 V | 150 ° C | 100 mA | 3pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||
![]() | MMSZ5226BT3 | - | ![]() | 9202 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-123 | MMSZ522 | 500 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 900 mV @ 10 mA | 25 µA @ 1 V | 3,3 V | 28 ohms | |||||||||||||
![]() | 1N755A BK PBFREE | 0,0766 | ![]() | 6285 | 0,00000000 | Centre des semi-conduurs Centraux | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1,5 V @ 200 mA | 100 na @ 1 V | 7,5 V | 6 ohms | ||||||||||||||
![]() | Curm104-g | - | ![]() | 6311 | 0,00000000 | Technologie Comchip | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | SOD-123T | Standard | Mini SMA / SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||
![]() | RA202036XX | 338.8050 | ![]() | 8386 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Do-200ad | RA202036 | Standard | POW-R-DISC | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 2000 V | 1,15 V @ 3000 A | 22 µs | 200 Ma @ 2000 V | 3600A | - | |||||||||||||
![]() | BZT52-B39_R1_00001 | 0,2100 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123 | Bzt52 | 410 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 3757-BZT52-B39_R1_00001DKR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 100 na @ 29 V | 39 V | 90 ohms |
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