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Diodes (10)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Type de montage | Package / ÉTUI | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IV1D12010O2 | 11.0300 |  | 190 | 0,00000000 | Inventchip | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 4084-iv1d12010o2 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 28a | 575pf @ 1v, 1MHz | |||
 | IV1D12020T3 | 17.9500 | | 120 | 0,00000000 | Inventchip | - | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 4084-iv1d12020t3 | EAR99 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 30a (DC) | 1,8 V @ 20 A | 0 ns | 100 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||
 | IV1D12010T2 | 11.0300 | | 110 | 0,00000000 | Inventchip | - | Tube | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 4084-iv1d12010t2 | EAR99 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 30A | 575pf @ 1v, 1MHz | ||||
 | IV1D06006P3 | 4.2300 | | 2 | 0,00000000 | Inventchip | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 252-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 500 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,65 V @ 6 A | 0 ns | 10 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 16.7A | 224pf @ 1v, 1mhz | ||||
 | IV1D12030U3 | 23.8500 | | 110 | 0,00000000 | Inventchip | - | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 4084-iv1d12030u3 | EAR99 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 44A (DC) | 1,8 V @ 15 A | 0 ns | 80 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||
 | IV1D12020T2 | 17.9500 | | 120 | 0,00000000 | Inventchip | - | Tube | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 4084-IV1D12020T2 | EAR99 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 20 A | 0 ns | 120 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 54a | 1114pf @ 1v, 1MHz | ||||
 | IV1D12015T2 | 13.6300 | | 120 | 0,00000000 | Inventchip | - | Tube | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 4084-IV1D12015T2 | EAR99 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 15 A | 0 ns | 80 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 44a | 888pf @ 1v, 1MHz | ||||
 | IV1D06006O2 | 4.0900 | | 136 | 0,00000000 | Inventchip | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 4084-IV1D06006O2 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,65 V @ 6 A | 0 ns | 10 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 17.4a | 212pf @ 1v, 1MHz | |||
 | IV1D12040U2 | 27.8300 | | 120 | 0,00000000 | Inventchip | - | Tube | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 4084-IV1D12040U2 | EAR99 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 102A (DC) | 1,8 V @ 40 A | 0 ns | 200 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||
 | IV1D12005O2 | 6.1300 | | 164 | 0,00000000 | Inventchip | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 4084-IV1D12005O2 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 5 A | 0 ns | 30 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 17A | 320pf @ 1v, 1MHz |
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