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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SS150TC60110 | - | ![]() | 4711 | 0,00000000 | Ixys-rf | - | Tube | Obsolète | Support de surface | Padle exposée à un plomb plomb à 6 md | SS150 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | DE150 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 3 communes cathodiques | 600 V | 10A | 1,8 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA à 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |
![]() | SS275TC12205 | - | ![]() | 8110 | 0,00000000 | Ixys-rf | - | Tube | Obsolète | Support de surface | Padle exposée à un plomb plomb à 6 md | SS275 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | DE275 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 3 communes cathodiques | 1200 V | 5A | 1,8 V @ 5 A | 0 ns | 200 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |
![]() | SS150TA60110 | - | ![]() | 2555 | 0,00000000 | Ixys-rf | - | Tube | Obsolète | Support de surface | Padle exposée à un plomb plomb à 6 md | SS150 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | DE150 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 3 Commune d'anode | 600 V | 10A | 1,8 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA à 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |
![]() | Ss150ti60110 | - | ![]() | 1132 | 0,00000000 | Ixys-rf | - | Tube | Obsolète | Support de surface | Padle exposée à un plomb plomb à 6 md | SS150 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | DE150 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 3 indépendant | 600 V | 10A | 1,8 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA à 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |
![]() | Ss275ti12205 | - | ![]() | 5189 | 0,00000000 | Ixys-rf | - | Tube | Obsolète | Support de surface | Padle exposée à un plomb plomb à 6 md | SS275 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | DE275 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 3 indépendant | 1200 V | 5A | 1,8 V @ 5 A | 0 ns | 200 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |
![]() | SS275TA12205 | - | ![]() | 3662 | 0,00000000 | Ixys-rf | - | Tube | Obsolète | Support de surface | Padle exposée à un plomb plomb à 6 md | SS275 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | DE275 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 3 Commune d'anode | 1200 V | 5A | 1,8 V @ 5 A | 0 ns | 200 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C |
Volume de RFQ moyen quotidien
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