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Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)
1N5252B A0G	0,3200	RFQ	5	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban de Coupé (CT)	Actif	± 5%	100 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	1N5252		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	5 000			1,1 V @ 200 mA		100 na @ 18 V				24 V	33 ohms
1N5257B A0G	-	RFQ	3584	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Actif	± 5%	100 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	1N5257		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	5 000			1,1 V @ 200 mA		100 na @ 25 V				33 V	58 ohms
1N5259B A0G	-	RFQ	7147	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Actif	± 5%	100 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	1N5259		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	5 000			1,1 V @ 200 mA		100 na @ 30 V				39 V	80 ohms
1N5262B A0G	-	RFQ	9962	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Actif	± 5%	100 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	1N5262		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	5 000			1,1 V @ 200 mA		100 na @ 39 V				51 V	125 ohms
1N5817 A0G	0,0877	RFQ	3591	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	1N5817	Schottky		DO-204AL (DO-41)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	3 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	20 V	450 mV @ 1 a		1 ma @ 20 V	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	55pf @ 4v, 1mhz
1N914B A0G	0,0266	RFQ	3817	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Actif			Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	1N914	Standard		Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0070	5 000	Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse	100 V	720 mV @ 5 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-65 ° C ~ 150 ° C	150m	4pf @ 0v, 1mhz
BA158G A0G	-	RFQ	3923	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	BA158	Standard		DO-204AL (DO-41)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	3 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	600 V	1,2 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4v, 1mhz
BZX79B15 A0G	-	RFQ	1243	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Actif	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	Bzx79		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	5 000			1,5 V @ 100 mA		10,5 Ma @ 50 mV				15 V	30 ohms
BZX79B24 A0G	-	RFQ	6300	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Actif	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	Bzx79		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	5 000			1,5 V @ 100 mA		16,8 Ma @ 50 mV				24 V	70 ohms
BZX79B33 A0G	-	RFQ	5066	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Actif	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	Bzx79		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	5 000			1,5 V @ 100 mA		23.1 Ma @ 50 mV				33 V	80 ohms
Bzx79b3v3 a0g	-	RFQ	8794	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Actif	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	Bzx79		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	5 000			1,5 V @ 100 mA		1 ma @ 25 V				3,3 V	95 ohms
Bzx79b3v6 a0g	-	RFQ	5537	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Actif	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	Bzx79		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	5 000			1,5 V @ 100 mA		1 ma @ 15 V				3,6 V	90 ohms
Bzx79b4v3 a0g	-	RFQ	9617	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Actif	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	Bzx79		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	5 000			1,5 V @ 100 mA		1 ma @ 5 V				4.3 V	90 ohms
Bzx79b6v2 a0g	-	RFQ	8413	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Actif	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	Bzx79		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	5 000			1,5 V @ 100 mA		4 Ma @ 3 V				6.2 V	10 ohms
BZX79B75 A0G	-	RFQ	9943	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Actif	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	Bzx79		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	5 000			1,5 V @ 100 mA		52,5 ma @ 50 mV				75 V	255 ohms
Bzx79b8v2 a0g	-	RFQ	8861	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Actif	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	Bzx79		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	5 000			1,5 V @ 100 mA		5 mA @ 700 mV				8.2 V	15 ohms
BZX79C11 A0G	-	RFQ	8212	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	Bzx79		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	5 000			1,5 V @ 100 mA		100 na @ 8 V				11 V	20 ohms
BZX79C12 A0G	-	RFQ	4600	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	Bzx79		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	5 000			1,5 V @ 100 mA		100 na @ 8 V				12 V	25 ohms
BZX79C16 A0G	-	RFQ	6129	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	Bzx79		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	5 000			1,5 V @ 100 mA		50 na @ 11,2 V				16 V	40 ohms
BZX79C20 A0G	-	RFQ	2058	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	Bzx79		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	5 000			1,5 V @ 100 mA		50 na @ 14 V				20 V	55 ohms
Bzx79c2v0 a0g	-	RFQ	4308	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	Bzx79		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	5 000			1,5 V @ 100 mA		150 µA @ 1 V				2 V	100 ohms
Bzx79c2v2 a0g	-	RFQ	3415	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	Bzx79		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	5 000			1,5 V @ 100 mA		150 µA @ 1 V				2,2 V	100 ohms
Bzx79c2v4 a0g	-	RFQ	7240	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	Bzx79		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	5 000			1,5 V @ 100 mA		100 µA @ 1 V				2,4 V	100 ohms
Bzx79c2v7 a0g	-	RFQ	6353	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	Bzx79		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	5 000			1,5 V @ 100 mA		75 µA @ 1 V				2,7 V	100 ohms
BZX79C33 A0G	-	RFQ	9785	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	Bzx79		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	5 000			1,5 V @ 100 mA		50 na @ 23,1 V				33 V	80 ohms
BZX79C39 A0G	-	RFQ	3683	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	Bzx79		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	5 000			1,5 V @ 100 mA		50 na @ 27,3 V				39 V	130 ohms
BZX79C43 A0G	-	RFQ	9139	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	Bzx79		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	5 000			1,5 V @ 100 mA		50 na @ 30,1 V				43 V	150 ohms
BZX79C62 A0G	-	RFQ	6743	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	Bzx79		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	5 000			1,5 V @ 100 mA		50 na @ 43,4 V				62 V	215 ohms
Bzx79c6v2 a0g	-	RFQ	7269	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	Bzx79		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	5 000			1,5 V @ 100 mA		3 µA @ 4 V				6.2 V	10 ohms
BZX85C13 A0G	-	RFQ	7059	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Bzx85		1,3 W	DO-204AL (DO-41)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	3 000			1,2 V @ 10 mA		500 na @ 10 V				13 V	10 ohms

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Diodes (14739)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²