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Diodes (1290)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)
MM3Z3V6C	0,0300	RFQ	128	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	SC-90, SOD-323F			200 MW	SOD-323F	télécharger				EAR99	8541.10.0050	11 539					1 V @ 10 mA		4,5 µA @ 1 V						3,6 V	84 ohms
ES1A	1 0000	RFQ	2704	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	DO-214AC, SMA		Standard		DO-214AC, SMA	télécharger				EAR99	8541.10.0080	1	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		50 V		920 mV @ 1 a	15 ns	5 µA @ 50 V	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	-
FFSH15120ADN-F155	7.3100	RFQ	17	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	À 247-3		Sic (Carbure de Silicium) Schottky		À 247-3	télécharger				EAR99	8541.10.0080	42	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	1200 V	8A (DC)	1,75 V @ 8 A		200 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C
1N4739A-T50A	0,0500	RFQ	24	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-204AL (DO-41)	télécharger				EAR99	8541.10.0050	6 411							10 µA @ 7 V						9.1 V	5 ohms
GBPC1204W	2.4800	RFQ	626	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, GBPC-W		Standard		GBPC-W	télécharger				EAR99	8541.10.0080	122					1.1 V @ 6 A		5 µA @ 400 V		12 A		Monophasé	400 V
MMBZ5231B_S00Z	1 0000	RFQ	8874	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif									-	Non applicable	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	1
1N4749atr	0,0300	RFQ	23	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-204AL (DO-41)	télécharger				EAR99	8541.10.0050	11 053							5 µA @ 18,2 V						24 V	25 ohms
1N4746atr	-	RFQ	7736	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-204AL (DO-41)	télécharger				EAR99	8541.10.0050	1							5 µA @ 13,7 V						18 V	20 ohms
1N5228BTR	0,0200	RFQ	29	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	1N5228		500 MW	Do-35	télécharger				EAR99	8541.10.0050	1					1,2 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V						3,9 V	23 ohms
1N5236B	0,0300	RFQ	55	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif							500 MW	-	télécharger				EAR99	8541.10.0050	11 539							3 µA @ 6 V						7,5 V	6 ohms
FES10G	-	RFQ	3076	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	À 277, 3-Powerdfn		Standard		À 277-3	télécharger				EAR99	8541.10.0080	1	Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO)		400 V		1,2 V @ 10 A	30 ns	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	140pf @ 4v, 1MHz
1N4739atr	0,0300	RFQ	44	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-204AL (DO-41)	télécharger				EAR99	8541.10.0050	11 053							10 µA @ 7 V						9.1 V	5 ohms
1N4748A	0,0300	RFQ	23	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-41	télécharger				EAR99	8541.10.0050	9 779					1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 16,7 V						22 V	23 ohms
1N5243BTR	0,0200	RFQ	170	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	télécharger				EAR99	8541.10.0050	1					1,2 V @ 200 mA		500 na @ 9,9 V						13 V	13 ohms
Df005m	0,2300	RFQ	10	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-Edip (0,300 ", 7,62 mm)		Standard		DFM	télécharger				EAR99	8541.10.0080	1 296					1.1 V @ 1 A		10 µA @ 50 V		1 a		Monophasé	50 V
Bzx79c3v6-t50a	0,0200	RFQ	21	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	télécharger				EAR99	8541.10.0050	15 000					1,5 V @ 100 mA		15 µA @ 1 V						3,6 V	90 ohms
Bzx79c5v6tr	0,0300	RFQ	25	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger				EAR99	8541.10.0050	11 539					1,5 V @ 100 mA		1 µA @ 2 V						5.6 V	40 ohms
SS13	0 1200	RFQ	416	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	DO-214AC, SMA		Schottky		DO-214AC (SMA)	télécharger				EAR99	8541.10.0080	2 435	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		30 V		500 mV @ 1 a		200 µA @ 30 V	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	-
FYPF2045DNTU	0,5100	RFQ	19	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	À 220-3 EXCHET		Schottky		À 220f-3	télécharger				EAR99	8541.10.0080	1	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	45 V	20A	700 mV @ 20 A		1 ma @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C
ISL9R860PF2	-	RFQ	2419	Semi-conducteur de Fairchild	Furtivité ™	En gros	Actif			Par le trou	À 220-2 EXCHET		Standard		À 220f-2l	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		600 V		2,4 V @ 8 A	30 ns	100 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	-
Fdll914b	0,0300	RFQ	120	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80		Standard		SOD-80	télécharger				EAR99	8542.39.0001	11 539	Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse		100 V		1 V @ 5 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	175 ° C (max)	200m	4pf @ 0v, 1mhz
FDLL914A	0,0200	RFQ	6982	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80		Standard		SOD-80	télécharger				EAR99	8542.39.0001	3 258	Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse		100 V		1 V @ 20 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	175 ° C (max)	200m	4pf @ 0v, 1mhz
GBPC12005	-	RFQ	1499	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Carrés, GBPC		Standard		GBPC	télécharger				EAR99	8541.10.0080	1					1.1 V @ 6 A		5 µA @ 50 V		12 A		Monophasé	50 V
GBPC1508	2.5700	RFQ	4019	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Carrés, GBPC		Standard		GBPC	télécharger				EAR99	8541.10.0080	100					1,1 V @ 7,5 A		5 µA @ 800 V		15 A		Monophasé	800 V
GBPC2510	1 0000	RFQ	9120	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Carrés, GBPC		Standard		GBPC	télécharger				EAR99	8541.10.0080	1					1,1 V @ 12,5 A		5 µA @ 1 V		25 A		Monophasé	1 kv
GBPC2510W	-	RFQ	1579	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, GBPC-W		Standard		GBPC-W	télécharger				EAR99	8541.10.0080	1					1,1 V @ 12,5 A		5 µA @ 1 V		25 A		Monophasé	1 kv
MM5Z10V	0,0200	RFQ	1839	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	± 6%	-55 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	SC-79, SOD-523			200 MW	SOD-523F	télécharger				EAR99	8541.10.0050	1							100 na @ 8 V						10 V	20 ohms
S1M	0,0500	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	DO-214AC, SMA		Standard		DO-214AC, SMA	télécharger				EAR99	8541.10.0080	5 548	Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO)		1000 V		1.1 V @ 1 A	1,5 µs	5 µA @ 1 V	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	-
MM3Z20VC	0,0300	RFQ	55	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	SC-90, SOD-323F			200 MW	SOD-323F	télécharger				EAR99	8541.10.0050	11 539					1 V @ 10 mA		45 na @ 14 V						20 V	51 ohms
SS23	1 0000	RFQ	6808	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	DO-214AA, SMB		Schottky		DO-214AA (SMB)	télécharger				EAR99	8541.10.0080	1	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		30 V		500 mV @ 2 A		400 µA @ 30 V	-65 ° C ~ 125 ° C	2A	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Diodes (1290)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²