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Diodes (1956)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZX84-B56,215 | 0,0200 |  | 60 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 39,2 V | 56 V | 200 ohms | |||||||||||||||
 | BZX884-C47,315 | 0,0300 | | 20 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZX884 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | ||||||||||||||||||||||
 | PMEG4030er115 | 1 0000 | | 6115 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
| BZX84-A33,215 | 0,1100 | | 5 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 700 mV | 33 V | 80 ohms | |||||||||||||||
 | BZX384-C47115 | - | | 3270 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-76, SOD-323 | BZX384 | 300 MW | SOD-323 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 50 V | 47 V | 170 ohms | |||||||||||
 | BZX585-C36115 | - | | 3147 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
| BZX884-C30,315 | 0,0300 | | 97 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZX884 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | ||||||||||||||||||||||
 | BAS40W, 115 | 0,0300 | | 65 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BAS40 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||
 | BZX585-B68,115 | 0,0400 | | 9 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZX585 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||
| BZV55-B15,115 | - | | 8767 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzv55 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | ||||||||||||||||||||||
| BAT54S, 235 | 0,0200 | | 6647 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bat54 | Schottky | SOT-23 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 7 900 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | Connexion de la Séririe 1 paire | 30 V | 200mA (DC) | 800 mV à 100 mA | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||
| PZU3.0B2A115 | 1 0000 | | 5060 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-B22,215 | 0,0200 | | 154 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||
| BZX585-B7V5135 | - | | 6405 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
 | 1PS66SB82115 | 0,0800 | | 97 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | 1PS66 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
 | BAV170M315 | 0,0200 | | 480 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
 | BZB984-C11,115 | 0,0400 | | 209 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | - | Support de surface | SOT-663 | 265 MW | SOT-663 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 paire Commune d'anode | 900 mV @ 10 mA | 100 na @ 8 V | 11 V | 10 ohms | ||||||||||||||
 | BZX585-C4V7,115 | - | | 5880 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZX585 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||
| BB208-03 | 1 0000 | | 7378 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| BZX585-C11 135 | - | | 2201 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 100 µA @ 8 V | 11 V | 10 ohms | |||||||||||||||
 | PZU7.5B1,115 | - | | 5301 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PZU7.5 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||
| BZX585-C2V7,115 | 0,0300 | | 99 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 764 | 1,1 V @ 100 mA | 20 µA @ 1 V | 2,7 V | 100 ohms | |||||||||||||||
 | BYC8DX-600,127 | 0,4100 | | 4 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Standard | À 220f | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 740 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 2,9 V @ 8 A | 20 ns | 40 µA @ 600 V | 150 ° C (max) | 8a | - | |||||||||||||
 | Nzx12d133 | 0,0200 | | 8309 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 840 | |||||||||||||||||||||||||
| BZX384-C2V7,115 | 0,0200 | | 5558 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZX384 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||
| BZX585-B4V3,115 | - | | 3051 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohms | |||||||||||||||
| BZX585-C15135 | - | | 6479 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 10,5 V | 15 V | 15 ohms | ||||||||||||
| PMEG3005EB115 | - | | 9127 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Support de surface | SC-79, SOD-523 | PMEG3005 | Schottky | SOD-523 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 500 mV à 500 mA | 500 µA @ 30 V | 150 ° C (max) | 500mA | 30pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||
| PZU12B, 115 | - | | 4309 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PZU12 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||
| BZV55-B43,115 | - | | 8000 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzv55 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 |
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