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Diodes (1956)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PZU10B3A115 | - |  | 5800 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | PDZ12BGW115 | 0,0200 | | 8884 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | PZU16B3A, 115 | - | | 7154 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PZU16 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||
 | NZX33C, 133 | 0,0200 | | 240 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Nzx3 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | |||||||||||||||||||
 | PMEG6010esByl | 0,0400 | | 20 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Support de surface | 2-xdfn | PMEG6010 | Schottky | DSN1006-2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 126 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 730 mV @ 1 a | 2.4 ns | 30 µA @ 60 V | 150 ° C (max) | 1A | 20pf @ 10v, 1MHz | |||||||||
 | Bzx79-b47133 | 0,0200 | | 1718 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | BZX79-B6V8,143 | 0,0200 | | 65 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 400 MW | Alf2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 2 µA @ 4 V | 6,8 V | 15 ohms | ||||||||||||
 | PZU2.7B2,115 | - | | 8914 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pzu2.7 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||
 | BAT854SW, 115 | - | | 3726 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bat85 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | |||||||||||||||||||
 | BZB84-C7V5,215 | - | | 4195 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZB84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||
 | BZX84-C30,235 | 0,0200 | | 40 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 21 V | 30 V | 80 ohms | ||||||||||||
 | BAT74S135 | - | | 3420 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| PMBD914,235 | 0,0200 | | 90 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PMBD914 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | |||||||||||||||||||
| BZX79-B8V2,133 | 0,0200 | | 163 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 400 MW | Alf2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 700 na @ 5 V | 8.2 V | 15 ohms | ||||||||||||
 | BZX84J-B27,115 | - | | 3046 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||
| BZX84J-B24,115 | 0,0300 | | 6052 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||
| BZX79-C11,113 | - | | 3509 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx79 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | |||||||||||||||||||
| BZV55-C6V2,135 | 0,0200 | | 190 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzv55 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | |||||||||||||||||||
| BZX384-B20,115 | 0,0200 | | 775 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZX384 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||
 | BZX884-C62,315 | 0,0300 | | 19 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZX884 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | |||||||||||||||||||
| BZX585-B62,115 | - | | 1828 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZX585 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||
 | NZH5V1B, 115 | - | | 6065 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | NZH5 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||
| BZB84-B51,215 | 0,0300 | | 17 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 11 823 | 1 paire Commune d'anode | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 35.7 V | 51 V | 180 ohms | |||||||||||
| BAT46WH / DG / B2115 | 0,0300 | | 5431 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 2 590 | ||||||||||||||||||||||
| BZX84-C68,235 | - | | 8597 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 47,6 V | 68 V | 240 ohms | ||||||||||||
| PZU12B2A115 | - | | 7938 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | BZT52H-B75,115 | 0,0200 | | 40 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Support de surface | Sod-123f | Bzt52 | 375 MW | Sod-123f | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 52,5 V | 75 V | 175 ohms | |||||||||||
| BZX79-B16,133 | 0,0200 | | 2344 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx79 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | |||||||||||||||||||
| BZX79-B24,113 | 0,0200 | | 111 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 400 MW | Alf2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 16,8 V | 24 V | 70 ohms | ||||||||||||
| BZV55-C12,135 | - | | 2755 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Minime | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 100 na @ 8 V | 12 V | 25 ohms |
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