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Diodes (1956)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PMEG2010EPA, 115 | - |  | 5726 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Support de surface | 3-Powerudfn | Schottky | 3-Huson (2x2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 566 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 375 MV @ 1 A | 50 ns | 1,9 ma @ 20 V | 150 ° C (max) | 1A | 175pf @ 1v, 1MHz | ||||||||
 | BZV55-B16,115 | 0,0200 | | 431 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Minime | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 11,2 V | 16 V | 40 ohms | |||||||||||||
 | BZV49-C36,115 | 0,1800 | | 38 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzv49 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 000 | ||||||||||||||||||||
 | Nzx2v4a, 133 | 0,0200 | | 28 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Nzx2 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | ||||||||||||||||||||
 | PZU12B2A115 | - | | 7938 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| Bzx79-b3v9,143 | 0,0200 | | 25 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 400 MW | Alf2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 3 µA @ 1 V | 3,9 V | 90 ohms | |||||||||||||
 | NZH5V1B, 115 | - | | 6065 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | NZH5 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||
 | BZB84-B51,215 | 0,0300 | | 17 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 11 823 | 1 paire Commune d'anode | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 35.7 V | 51 V | 180 ohms | ||||||||||||
| BAT46WH / DG / B2115 | 0,0300 | | 5431 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 2 590 | |||||||||||||||||||||||
 | BZX884-B3V6,315 | 1 0000 | | 1604 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3,6 V | 90 ohms | ||||||||||||||
 | PZU5.1B1,115 | 0,0400 | | 230 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pzu5.1 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||
 | BZX79-C24,143 | 0,0200 | | 215 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 400 MW | Alf2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 16,8 V | 24 V | 70 ohms | |||||||||||||
 | BZX79-C27,113 | - | | 8303 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx79 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | ||||||||||||||||||||
| PZU11B3,115 | 0,0400 | | 24 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pzu11 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||
 | Nzx3v3c, 133 | 0,0200 | | 64 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 3% | -55 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | Alf2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 3,3 V | 100 ohms | |||||||||||||
| Nzx3v0c, 133 | 0,0200 | | 195 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Nzx3 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | ||||||||||||||||||||
| NZX16B, 133 | - | | 7153 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Nzx1 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | ||||||||||||||||||||
| PZU7.5B, 115 | 0,0300 | | 57 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PZU7.5 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||
| PZU3.9b1,115 | 0,0400 | | 16 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pzu3.9 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||
| NZX11C, 133 | 0,0200 | | 19 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | Alf2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 mA | 100 na @ 8 V | 11 V | 25 ohms | |||||||||||||
 | BZX84-C36,215 | 0,0200 | | 513 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||
| BZX79-C12,113 | 0,0200 | | 351 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx79 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | ||||||||||||||||||||
| BZX79-C2V7,113 | - | | 2709 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx79 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | ||||||||||||||||||||
 | BYC8-600,127 | 0,3800 | | 14 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Byc8 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | ||||||||||||||||||||
 | BYC8X-600P, 127 | - | | 6393 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Standard | À 220f | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,9 V @ 8 A | 18 ns | 20 µA @ 600 V | 175 ° C (max) | 8a | - | |||||||||||
| BZX84-C15,215 | - | | 5976 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||
| PZU3.3B2,115 | 0,0400 | | 16 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pzu3.3 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||
| BZB84-C7V5,215 | - | | 4195 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZB84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||
 | 1N4735A, 113 | 0,0400 | | 90 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | 1N47 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | ||||||||||||||||||||
| PZU30B, 115 | - | | 6467 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pzu3 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 |
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