RFQ
Nager
Contactez-nous

Tél: + 86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Se connecter

Français

Diodes (453)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)
1N4748AT / R	0,0600	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4748at / rtr		8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 16,7 V						22 V	23 ohms
1N4001	0,0240	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-1N4001			1 000	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	50 V	1.1 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4v, 1mhz
1N5406bulk	0,1800	RFQ	26	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n5406bulk		8541.10.0000	500	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	600 V	950 MV @ 3 A		5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	28pf @ 4v, 1mhz
HER303T / R	0 1700	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-Her303T / RTR		8541.10.0000	1250	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	200 V	1.1 V @ 3 A	50 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4v, 1MHz
1N5239BT / R	0,0400	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5239BT / RTR		8541.10.0000	10 000			1,1 V @ 200 mA		3 µA @ 7 V						9.1 V	10 ohms
1N4733abulk	0,1800	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4733abulk		8541.10.0000	500			1,2 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V						5.1 V	7 ohms
1N5393	0,1800	RFQ	60	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5393		8541.10.0000	500	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	200 V	1,1 V @ 1,5 A		5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5a	15pf @ 4v, 1mhz
BYD13JBULK	0,2100	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Avalanche		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-byd13jbulk		8541.10.0000	500	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	600 V	1 05 V @ 1 A		1 µA @ 600 V	175 ° C	1.4a	-
SB390	0,4000	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Schottky		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-SB390-Bulk		8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	90 V	790 MV @ 3 A		500 µA à 500 µV	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
1N751abulk	0,2100	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n751abulk		8541.10.0000	500			1,2 V @ 200 mA		1 µA @ 1 V						5.1 V	17 ohms
FR301T / R	0,1100	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-FR301T / RTR		8541.10.0000	1250	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	50 V	1,3 V @ 3 A	150 ns	10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
FR303T / R	0.1300	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-FR303T / RTR		8541.10.0000	1250	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	200 V	1,3 V @ 3 A	150 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
1N5930BT / R	0.1300	RFQ	40	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1,5 w	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5930BT / RTR		8541.10.0000	5 000					1 µA @ 12,2 V						16 V	10 ohms
1N5242BT / R	0,0400	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5242BT / RTR		8541.10.0000	10 000			1,1 V @ 200 mA		1 µA @ 9,1 V						12 V	30 ohms
1N5361bulk	0,3800	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		5 W	Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5361bulk		8541.10.0000	500			1,2 V @ 1 A		500 na @ 20,6 V						27 V	5 ohms
1N5229bbulk	0,1800	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5229BBULK		8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V						4.3 V	22 ohms
RBV1506D	1.6500	RFQ	50	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25	Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV1506D		8541.10.0000	50			1.1 V @ 15 A		10 µA @ 600 V		15 A		Monophasé	600 V
1N4004bulk	0,0900	RFQ	38	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-1n4004bulk			1 000	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	400 V	1.1 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4v, 1mhz
FR106T / R	0,0400	RFQ	35	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-FR106T / RTR		8541.10.0000	5 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	800 V	1,3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4v, 1MHz
1N4749A	0,1800	RFQ	15	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4749A		8541.10.0000	1 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 18,2 V						24 V	25 ohms
MR854T / R	0,1100	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-MR854T / RTR		8541.10.0000	1250	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	400 V	1,25 V @ 3 A	150 ns	10 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	28pf @ 4v, 1mhz
1N4748A	0,0600	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4748atr		8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 16,7 V						22 V	23 ohms
1N5339b	0,2600	RFQ	30	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		5 W	Do-15	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n5339btr	EAR99	8541.10.0050	3 000			1,2 V @ 1 A		1 µA @ 2 V						5.6 V	1 ohms
1N5380Bbulk	0,3800	RFQ	6	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		5 W	Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5380BBULK		8541.10.0000	500			1,2 V @ 1 A		500 na @ 91,2 V						120 V	170 ohms
KBL401	1.0200	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, kbl	Standard		Kbl	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-KBL401		8541.10.0000	100			1.1 V @ 4 A		10 µA à 100 V		4 A		Monophasé	100 V
HER302T / R	0 1700	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-Her302T / RTR		8541.10.0000	1250	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	100 V	1.1 V @ 3 A	50 ns	10 µA à 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4v, 1MHz
KBL408	1.1800	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, kbl	Standard		Kbl	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-KBL408		8541.10.0000	100			1.1 V @ 4 A		10 µA @ 800 V		4 A		Monophasé	800 V
BR600	0,7300	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, BR-6	Standard		BR-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR600		8541.10.0000	200			1 V @ 3 A		10 µA @ 50 V		6 A		Monophasé	50 V
Sn1k	0,0382	RFQ	45	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	DO-214AC, SMA	Standard		SMA (DO-214AC)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-sn1ktr		8541.10.0000	5 000	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	800 V	1 V @ 1 A	2 µs	2 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	30pf @ 4v, 1mhz
HER503bulk	0,3100	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-Her503bulk		8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	200 V	1.1 V @ 5 A	50 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	5A	50pf @ 4v, 1MHz

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Diodes (453)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²