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Diodes (453)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)
BR3504	2.6900	RFQ	300	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, BR-50	Standard		BR-50	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR3504		8541.10.0000	50			1,1 V @ 17,5 A		10 µA @ 400 V		35 A		Monophasé	400 V
BR801	1.3500	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, BR-10	Standard		BR-10	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR801		8541.10.0000	200			1 V @ 4 A		10 µA à 100 V		8 A		Monophasé	100 V
FR101T / R	0,0400	RFQ	35	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-FR101T / RTR		8541.10.0000	5 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	50 V	1,3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4v, 1MHz
BR5002	2.8900	RFQ	850	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, BR-50	Standard		BR-50	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR5002		8541.10.0000	50			1.1 V @ 25 A		10 µA @ 200 V		50 a		Monophasé	200 V
BR5008	2.9900	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, BR-50	Standard		BR-50	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR5008		8541.10.0000	50			1.1 V @ 25 A		10 µA @ 800 V		50 a		Monophasé	800 V
BR610	0,3900	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, BR-6	Standard		BR-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-BR610		8541.10.0000	200			1 V @ 3 A		10 µA à 1000 V		6 A		Monophasé	1 kv
BR810	1.2200	RFQ	400	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, BR-10	Standard		BR-10	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-BR810		8541.10.0000	200			1 V @ 4 A		10 µA à 1000 V		8 A		Monophasé	1 kv
RBV2502	1.5900	RFQ	500	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25	Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV2502		8541.10.0000	100			1,1 V @ 12,5 A		10 µA @ 200 V		25 A		Monophasé	200 V
RBV1001	1.2400	RFQ	400	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25	Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV1001		8541.10.0000	100			1 V @ 5 A		10 µA à 100 V		10 a		Monophasé	100 V
RBV2502D	1.7400	RFQ	100	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25	Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV2502D		8541.10.0000	100			1.1 V @ 25 A		10 µA @ 200 V		25 A		Monophasé	200 V
RBV2504	1,7000	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25	Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV2504		8541.10.0000	100			1,1 V @ 12,5 A		10 µA @ 400 V		25 A		Monophasé	400 V
RBV606	1.1000	RFQ	900	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25	Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV606		8541.10.0000	100			1 V @ 3 A		10 µA @ 600 V		6 A		Monophasé	600 V
FR207Bulk	0,2800	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial	Standard		Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-FR207bulk		8541.10.0000	1 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1000 V	1,3 V @ 2 A	500 ns	10 µA à 1000 V	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	15pf @ 4v, 1mhz
1N5341B	0,4360	RFQ	24	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		5 W	Do-15	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5341BTR		8541.10.0000	3 000			1,2 V @ 1 A		1 µA @ 3 V						6.2 V	1 ohms
1N5360B	0,1150	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Boîte	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		5 W	Do-15	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5360B		8541.10.0000	500			1,2 V @ 1 A		500 na @ 19 V						25 V	4 ohms
1N4746A	0,1000	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Boîte	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4746A		8541.10.0000	1 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 13,7 V						18 V	20 ohms
1N5358A	0.1900	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 10%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		5 W	Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5358A		8541.10.0000	500			1,2 V @ 1 A		500 na @ 15,8 V						22 V	3,5 ohms
1N5350BBULK	0,3600	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		5 W	Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5350BBULK	EAR99	8541.10.0050	500			1,2 V @ 1 A		1 µA @ 9,9 V						13 V	2,5 ohms
1N4734AT / R	0,0650	RFQ	15	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4734AT / RTR		8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		10 µA @ 2 V						5.6 V	5 ohms
HER108T / R	0,1100	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-HER108T / RTR		8541.10.0000	5 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1000 V	1,7 V @ 1 A	75 ns	5 µA à 1000 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4v, 1MHz
BA159bulk	0,2100	RFQ	17	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BA159bulk		8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1000 V	1,3 V @ 1 A	250 ns	5 µA à 1000 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4v, 1mhz
BR3508	2.8900	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, BR-50	Standard		BR-50	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR3508		8541.10.0000	50			1,1 V @ 17,5 A		10 µA @ 800 V		35 A		Monophasé	800 V
DR206T / R	0,0600	RFQ	9	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial	Standard		Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-DR206T / RTR		8541.10.0000	3 000	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	600 V	1 V @ 2 A		5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	75pf @ 4v, 1mhz
1N4734abulk	0,1800	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4734abulk		8541.10.0000	500			1,2 V @ 200 mA		10 µA @ 2 V						5.6 V	5 ohms
1N5228BT / R	0,0400	RFQ	20	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5228BT / RTR		8541.10.0000	10 000			1,1 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V						3,9 V	23 ohms
Her306bulk	0,2800	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-Her306bulk		8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	600 V	1,7 V @ 3 A	75 ns	10 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4v, 1MHz
1N4732T / R	0,0900	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 10%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4732T / RTR		8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V						4.7 V	8 ohms
1N5360BT / R	0,1100	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		5 W	Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5360BT / RTR		8541.10.0000	3 000			1,2 V @ 1 A		500 na @ 19 V						25 V	4 ohms
1N4739AT / R	0,0800	RFQ	25	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4739AT / RTR		8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		10 µA @ 7 V						9.1 V	5 ohms
SF16-Bulk	0 2200	RFQ	16	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-SF16-Bulk		8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	400 V	1,7 V @ 1 A	35 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4v, 1MHz

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Diodes (453)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²