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Diodes (453)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	HTSUS	Norme de package	Vitre	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)
SB390	0,4000	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Schottky		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-SB390-Bulk	8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	90 V	790 MV @ 3 A		500 µA à 500 µV	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
1N5391bulk	0,1800	RFQ	19	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5391bulk	8541.10.0000	500	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	50 V	1,1 V @ 1,5 A		5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5a	15pf @ 4v, 1mhz
BR600	0,7300	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, BR-6	Standard		BR-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR600	8541.10.0000	200			1 V @ 3 A		10 µA @ 50 V		6 A		Monophasé	50 V
BYD13MBULK	0,2100	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Avalanche		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439 par 13 mbulk	8541.10.0000	500	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	1000 V	1 05 V @ 1 A		1 µA à 1000 V	175 ° C	1.4a	-
BR5006	4.0000	RFQ	300	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, BR-50	Standard		BR-50	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR5006	8541.10.0000	50			1.1 V @ 25 A		10 µA @ 600 V		50 a		Monophasé	600 V
KBP206	0,8500	RFQ	19	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-50 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, KBP	Standard		Kbp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-kbp206	8541.10.0000	100			1 V @ 1 A		10 µA @ 600 V		2 A		Monophasé	600 V
BR801	1.3500	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, BR-10	Standard		BR-10	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR801	8541.10.0000	200			1 V @ 4 A		10 µA à 100 V		8 A		Monophasé	100 V
1N4005T / R	0,0300	RFQ	75	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-1N4005T / RTR		5 000	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	600 V	1.1 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4v, 1mhz
1N5243BBULK	0,1800	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5243BBULK	8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		500 na @ 9,9 V						13 V	13 ohms
1N4742A	0,0510	RFQ	15	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4742atr	8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 9,1 V						12 V	9 ohms
RBV2502	1.5900	RFQ	500	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25	Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV2502	8541.10.0000	100			1,1 V @ 12,5 A		10 µA @ 200 V		25 A		Monophasé	200 V
1N4743abulk	0,1800	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4743abulk	8541.10.0000	1 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 9,9 V						13 V	10 ohms
BY255	0,2500	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439 par 255	8541.10.0000	1250	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	1300 V	1.1 V @ 3 A		20 µA @ 1300 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	50pf @ 4v, 1MHz
FR155T / R	0,0400	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-FR155T / RTR	8541.10.0000	5 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	600 V	1,4 V @ 1,5 A	250 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1.5a	25pf @ 4v, 1mhz
1N4744AT / R	0,0650	RFQ	100	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4744AT / RTR	8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 11,4 V						15 V	14 ohms
1N4740A	0.1050	RFQ	21	EIC Semiconductor inc.	-	Boîte	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4740A	8541.10.0000	1 000			1,2 V @ 200 mA		10 µA à 7,6 V						10 V	7 ohms
FR301T / R	0,1100	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-FR301T / RTR	8541.10.0000	1250	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	50 V	1,3 V @ 3 A	150 ns	10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
1N4740abulk	0,1800	RFQ	21	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4740abulk	8541.10.0000	500			1,2 V @ 200 mA		10 µA à 7,6 V						10 V	7 ohms
FR101T / R	0,0400	RFQ	35	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-FR101T / RTR	8541.10.0000	5 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	50 V	1,3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4v, 1MHz
BR5002	2.8900	RFQ	850	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, BR-50	Standard		BR-50	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR5002	8541.10.0000	50			1.1 V @ 25 A		10 µA @ 200 V		50 a		Monophasé	200 V
1N5353BBULK	0,3900	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		5 W	Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5353BBULK	8541.10.0000	500			1,2 V @ 1 A		1 µA @ 12,2 V						16 V	2,5 ohms
1N4756AT / R	0,0600	RFQ	30	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4756AT / RTR	8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA à 35,8 V						47 V	80 ohms
1N4743A	0,1800	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Boîte	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4743A	8541.10.0000	1 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 9,9 V						13 V	10 ohms
BR5008	2.9900	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, BR-50	Standard		BR-50	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR5008	8541.10.0000	50			1.1 V @ 25 A		10 µA @ 800 V		50 a		Monophasé	800 V
1N4742AT / R	0,0510	RFQ	15	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4742AT / RTR	8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 9,1 V						12 V	9 ohms
Byv26e	0,2100	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Avalanche		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439 PAR BYV26E	8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1000 V	2,5 V @ 1 a	75 ns	5 µA à 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
1N4007	0.1300	RFQ	17	EIC Semiconductor inc.	-	Boîte	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4007	8541.10.0000	1 000	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	1000 V	1.1 V @ 1 A	2 µs	5 µA à 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4v, 1mhz
SS1D	0.1300	RFQ	15	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	DO-214AC, SMA	Standard		SMA (DO-214AC)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-SS1DTR	8541.10.0000	5 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	200 V	950 mV @ 1 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4v, 1MHz
1N751abulk	0,2100	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n751abulk	8541.10.0000	500			1,2 V @ 200 mA		1 µA @ 1 V						5.1 V	17 ohms
1N5361bulk	0,3800	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		5 W	Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5361bulk	8541.10.0000	500			1,2 V @ 1 A		500 na @ 20,6 V						27 V	5 ohms

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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