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Diodes (453)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	HTSUS	Norme de package	Vitre	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)
BR5010	4.9000	RFQ	600	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, BR-50	Standard		BR-50	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR5010	8541.10.0000	50			1.1 V @ 25 A		10 µA à 1000 V		50 a		Monophasé	1 kv
1N5931AT / R	0,1000	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1,5 w	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5931AT / RTR	8541.10.0000	5 000					1 µA @ 13,7 V						18 V	12 ohms
HER306T / R	0,2000	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-Her306T / RTR	8541.10.0000	1250	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	600 V	1,7 V @ 3 A	75 ns	10 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4v, 1MHz
FR303T / R	0.1300	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-FR303T / RTR	8541.10.0000	1250	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	200 V	1,3 V @ 3 A	150 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
Gn2mt / r	0,1100	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	DO-214AC, SMA	Standard		SMA (DO-214AC)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-GN2MT / RTR	8541.10.0000	3 000	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	1000 V	1 V @ 2 A		5 µA à 1000 V	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	75pf @ 4v, 1mhz
FR106T / R	0,0400	RFQ	35	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-FR106T / RTR	8541.10.0000	5 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	800 V	1,3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4v, 1MHz
Esja04-03a	0,6500	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	Axial	Standard		M1A	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-esja04-03a	8541.10.0000	300	Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse	3000 V	12 V @ 10 mA	80 ns	2 µA à 3000 V	120 ° C (max)	1 mA	-
1N752abulk	0,2100	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n752abulk	8541.10.0000	500			1,2 V @ 200 mA		1 µA @ 1 V						5.6 V	11 ohms
Her301bulk	0 2400	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-Her301bulk	8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	50 V	1.1 V @ 3 A	50 ns	10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4v, 1MHz
1N748AT / R	0,0300	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N748AT / RTR	8541.10.0000	10 000			1,2 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V						3,9 V	23 ohms
Her103bulk	0,2100	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-Her103bulk	8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	200 V	1.1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4v, 1MHz
1N5936BT / R	0,0600	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1,5 w	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5936BT / RTR	8541.10.0000	5 000					1 µA @ 22,8 V						30 V	26 ohms
BR802	0,9100	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, BR-10	Standard		BR-10	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR802	8541.10.0000	200			1 V @ 4 A		10 µA @ 200 V		8 A		Monophasé	200 V
1N753abulk	0,2100	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n753abulk	8541.10.0000	500			1,2 V @ 200 mA		100 na @ 1 V						6.2 V	7 ohms
BYD13kbulk	0,2100	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Avalanche		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439 BYD13kbulk	8541.10.0000	500	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	800 V	1 05 V @ 1 A		1 µA @ 800 V	175 ° C	1.4a	-
Her306bulk	0,2800	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-Her306bulk	8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	600 V	1,7 V @ 3 A	75 ns	10 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4v, 1MHz
BYD13JBULK	0,2100	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Avalanche		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-byd13jbulk	8541.10.0000	500	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	600 V	1 05 V @ 1 A		1 µA @ 600 V	175 ° C	1.4a	-
RBV1004	1.3800	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25	Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV1004	8541.10.0000	100			1 V @ 5 A		10 µA @ 400 V		10 a		Monophasé	400 V
RBV5010	3.9300	RFQ	260	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25	Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV5010	8541.10.0000	100			1.1 V @ 25 A		10 µA à 1000 V		50 a		Monophasé	1 kv
RBV1506D	1.6500	RFQ	50	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25	Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV1506D	8541.10.0000	50			1.1 V @ 15 A		10 µA @ 600 V		15 A		Monophasé	600 V
RBV2502D	1.7400	RFQ	100	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25	Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV2502D	8541.10.0000	100			1.1 V @ 25 A		10 µA @ 200 V		25 A		Monophasé	200 V
RBV2508	1.7400	RFQ	700	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25	Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV2508	8541.10.0000	100			1,1 V @ 12,5 A		10 µA @ 800 V		25 A		Monophasé	800 V
RBV606	1.1000	RFQ	900	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25	Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV606	8541.10.0000	100			1 V @ 3 A		10 µA @ 600 V		6 A		Monophasé	600 V
SF16-Bulk	0 2200	RFQ	16	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-SF16-Bulk	8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	400 V	1,7 V @ 1 A	35 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4v, 1MHz
RGP02-20E-Bulk	0 2900	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RGP02-20E-Bulk	8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	2000 V	1,8 V @ 100 mA	300 ns	5 µA @ 2000 V	-65 ° C ~ 150 ° C	500mA	5pf @ 4v, 1mhz
SS3D / B	0.4400	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	DO-214AB, SMC	Standard		DO-214AB (SMC)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-SS3D / BTR	8541.10.0000	5 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	200 V	950 MV @ 3 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4v, 1MHz
W04	0,2100	RFQ	8	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 circulaires, WOB	Standard		Patauger	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-W04TR	8541.10.0000	500			1 V @ 1 A		10 µA @ 400 V		1,5 A		Monophasé	400 V
1N4746A	0,1000	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Boîte	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4746A	8541.10.0000	1 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 13,7 V						18 V	20 ohms
1N5341B	0,4360	RFQ	24	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		5 W	Do-15	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5341BTR	8541.10.0000	3 000			1,2 V @ 1 A		1 µA @ 3 V						6.2 V	1 ohms
1N4745A	0,5750	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4745atr	8541.10.0000	4 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 12,2 V						16 V	16 ohms

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
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