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Diodes (453)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	HTSUS	Norme de package	Vitre	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)
HER306T / R	0,2000	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-201D, axial		Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-Her306T / RTR	8541.10.0000	1250	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	600 V	1,7 V @ 3 A	75 ns	10 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4v, 1MHz
1N5391T / R	0,0400	RFQ	25	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5391T / RTR	8541.10.0000	5 000	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	50 V	1,1 V @ 1,5 A		5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5a	15pf @ 4v, 1mhz
SS1D	0.1300	RFQ	15	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	DO-214AC, SMA		Standard		SMA (DO-214AC)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-SS1DTR	8541.10.0000	5 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	200 V	950 mV @ 1 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4v, 1MHz
1N5923BT / R	0,0500	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1,5 w	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5923BT / RTR	8541.10.0000	5 000					5 µA @ 6,5 V						8.2 V	3,5 ohms
BY399	0 2400	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial		Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439 par 399	8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	800 V	1,25 V @ 3 A	250 ns	10 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
Gn2mt / r	0,1100	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	DO-214AC, SMA		Standard		SMA (DO-214AC)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-GN2MT / RTR	8541.10.0000	3 000	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	1000 V	1 V @ 2 A		5 µA à 1000 V	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	75pf @ 4v, 1mhz
FR301bulk	0,2100	RFQ	7	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial		Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-FR301bulk	8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	50 V	1,3 V @ 3 A	150 ns	10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
1N5233BT / R	0,0400	RFQ	20	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5233BT / RTR	8541.10.0000	10 000			1,1 V @ 200 mA		5 µA à 3,5 V						6 V	7 ohms
1N4148T / R	0,0130	RFQ	350	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	1N4148	Standard		Do-35	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-1N4148T / RTR		5 000	Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse	75 V	1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	175 ° C	150m	-
FR307Bulk	0 2400	RFQ	8	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial		Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-FR307bulk	8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1000 V	1,3 V @ 3 A	500 ns	10 µA à 1000 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
Bull FR106	0,2100	RFQ	37	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-FR106bulk	8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	800 V	1,3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4v, 1MHz
RGP02-16E-T / R	0,1600	RFQ	100	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RGP02-16E-T / RTR	8541.10.0000	5 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1600 V	1,8 V @ 100 mA	300 ns	5 µA à 1600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	500mA	5pf @ 4v, 1mhz
Sn13	0,0420	RFQ	50	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	DO-214AC, SMA		Standard		SMA (DO-214AC)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-SN13TR	8541.10.0000	10 000	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	1300 V	1 V @ 1 A	2 µs	2 µA @ 1300 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	30pf @ 4v, 1mhz
1N4741abulk	0,1800	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4741abulk	8541.10.0000	500			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 8,4 V						11 V	8 ohms
1N4007	0.1300	RFQ	17	EIC Semiconductor inc.	-	Boîte	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		Standard		DO-41	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4007	8541.10.0000	1 000	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	1000 V	1.1 V @ 1 A	2 µs	5 µA à 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4v, 1mhz
1N4743A	0,1800	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Boîte	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-41	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4743A	8541.10.0000	1 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 9,9 V						13 V	10 ohms
SS3D / B	0.4400	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	DO-214AB, SMC		Standard		DO-214AB (SMC)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-SS3D / BTR	8541.10.0000	5 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	200 V	950 MV @ 3 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4v, 1MHz
1N5237Bbulk	0,1800	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5237BBULK	8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		3 µA @ 6,5 V						8.2 V	8 ohms
1N5399T / R	0,0400	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5399T / RTR	8541.10.0000	5 000	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	1000 V	1,1 V @ 1,5 A		5 µA à 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5a	15pf @ 4v, 1mhz
1N4744T / R	0,0400	RFQ	15	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 10%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4744T / RTR	8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 11,4 V						15 V	14 ohms
1N4749AT / R	0,0400	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4749AT / RTR	8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 18,2 V						24 V	25 ohms
1N5239bbulk	0,1800	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5239BBULK	8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		3 µA @ 7 V						9.1 V	10 ohms
1N4743T / R	0,0500	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 10%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4743T / RTR	8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 9,9 V						13 V	10 ohms
FBR3506	3 5300	RFQ	150	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, BR-50		Standard		BR-50	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-FBR3506	8541.10.0000	50			1,3 V @ 17,5 A		10 µA @ 600 V		35 A		Monophasé	600 V
1N756abulk	0,2100	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n756abulk	8541.10.0000	500			1,2 V @ 200 mA		100 na @ 1 V						8.2 V	8 ohms
BR601	0,6800	RFQ	800	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, BR-6		Standard		BR-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR601	8541.10.0000	200			1 V @ 3 A		10 µA à 100 V		6 A		Monophasé	100 V
Her105bulk	0 2400	RFQ	9	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-Her105bulk	8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	400 V	1.1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4v, 1MHz
BR5010	4.9000	RFQ	600	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, BR-50		Standard		BR-50	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR5010	8541.10.0000	50			1.1 V @ 25 A		10 µA à 1000 V		50 a		Monophasé	1 kv
BR5006	4.0000	RFQ	300	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, BR-50		Standard		BR-50	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR5006	8541.10.0000	50			1.1 V @ 25 A		10 µA @ 600 V		50 a		Monophasé	600 V
Her301bulk	0 2400	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial		Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-Her301bulk	8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	50 V	1.1 V @ 3 A	50 ns	10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4v, 1MHz

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
2800+
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