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Diodes (453)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	HTSUS	Norme de package	Vitre	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)
RBV806	1.2500	RFQ	100	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25		Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV806	8541.10.0000	100			1 V @ 4 A		10 µA @ 600 V		8 A		Monophasé	600 V
RBV5002	1.8300	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25		Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV5002	8541.10.0000	100			1.1 V @ 25 A		10 µA @ 200 V		50 a		Monophasé	200 V
RBV3502	1.6800	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25		Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV3502	8541.10.0000	100			1,1 V @ 17,5 A		10 µA @ 200 V		35 A		Monophasé	200 V
RBV3510	2.8100	RFQ	900	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25		Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV3510	8541.10.0000	100			1,1 V @ 17,5 A		10 µA à 1000 V		35 A		Monophasé	1 kv
RBV5004	3 0000	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25		Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV5004	8541.10.0000	100			1.1 V @ 25 A		10 µA @ 400 V		50 a		Monophasé	400 V
RBV802	1.1500	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25		Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV802	8541.10.0000	100			1 V @ 4 A		10 µA @ 200 V		8 A		Monophasé	200 V
RBV610	1.3100	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25		Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV610	8541.10.0000	100			1 V @ 3 A		10 µA à 1000 V		6 A		Monophasé	1 kv
SK15	0,1600	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	DO-214AC, SMA		Schottky		SMA (DO-214AC)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-sk15tr	8541.10.0000	5 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	50 V	500 mV @ 1 a		500 µA @ 50 V	-40 ° C ~ 125 ° C	1A	-
1N4753AT / R	0,0600	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4753AT / RTR	8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 27,4 V						36 V	50 ohms
BR804	0,9200	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, BR-10		Standard		BR-10	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR804	8541.10.0000	200			1 V @ 4 A		10 µA @ 400 V		8 A		Monophasé	400 V
1N5343b	0 2590	RFQ	6	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial			5 W	Do-15	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n5343btr	8541.10.0000	3 000			1,2 V @ 1 A		10 µA @ 5,7 V						7,5 V	1,5 ohms
15HCB	0,0400	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif									-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-15hcbtr	8541.10.0000	5 000
FR103T / R	0,0400	RFQ	35	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-FR103T / RTR	8541.10.0000	5 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	200 V	1,3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4v, 1MHz
1N5250BT / R	0,0400	RFQ	40	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5250BT / RTR	8541.10.0000	10 000			1,1 V @ 200 mA		100 na @ 15 V						20 V	25 ohms
Her302bulk	0 2400	RFQ	7	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial		Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-Her302bulk	8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	100 V	1.1 V @ 3 A	50 ns	10 µA à 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4v, 1MHz
SR1J	0,0593	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	DO-214AC, SMA		Standard		SMA (DO-214AC)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-SR1JTR	8541.10.0000	5 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	400 V	1,3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4v, 1MHz
FR303bulk	0,2100	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial		Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-FR303bulk	8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	200 V	1,3 V @ 3 A	150 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
MBRA210L	0,3900	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Support de surface	DO-214AC, SMA		Schottky		SMA (DO-214AC)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-MBRA210L	8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	10 V	350 mV @ 2 A		700 µA @ 10 V	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	-
1N753AT / R	0,0300	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N753AT / RTR	8541.10.0000	10 000			1,2 V @ 200 mA		100 na @ 1 V						6.2 V	7 ohms
1N5340B	0,2160	RFQ	24	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial			5 W	Do-15	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n5340btr	8541.10.0000	3 000			1,2 V @ 1 A		1 µA @ 3 V						6 V	1 ohms
1N5397bulk	0,1800	RFQ	20	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5397bulk	8541.10.0000	500	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	600 V	1,1 V @ 1,5 A		5 A @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5a	15pf @ 4v, 1mhz
1N5822T / R	0,3700	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-201D, axial		Schottky		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5822T / RTR	8541.10.0000	1250	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	40 V	525 MV @ 3 A		2 ma @ 40 V	-65 ° C ~ 125 ° C	3A	-
1N5234BT / R	0,0400	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5234BT / RTR	8541.10.0000	5 000			1,1 V @ 200 mA		5 µA @ 4 V						6.2 V	7 ohms
BR1002	0,9400	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, BR-10	BR1002	Standard		BR-10	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR1002	8541.10.0000	200			1.1 V @ 5 A		10 µA @ 200 V		10 a		Monophasé	200 V
Her305bulk	0,2600	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial		Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-Her305bulk	8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	400 V	1.1 V @ 3 A	50 ns	10 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4v, 1MHz
BR1500	2.3400	RFQ	700	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, BR-50		Standard		BR-50	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR1500	8541.10.0000	50			1,1 V @ 7,5 A		10 µA @ 50 V		15 A		Monophasé	50 V
HER101T / R	0,0500	RFQ	15	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-HER101T / RTR	8541.10.0000	5 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	50 V	1.1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4v, 1MHz
Kbp210	0,8500	RFQ	200	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-50 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, KBP		Standard		Kbp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-kbp210	8541.10.0000	100			1 V @ 1 A		10 µA à 1000 V		2 A		Monophasé	1 kv
1N4006bulk	0.1300	RFQ	48	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		Standard		DO-41	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-1n4006bulk		1 000	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	800 V	1.1 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4v, 1mhz
BYD33 gbulk	0,2100	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		Avalanche		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BYD33GBULK	8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	400 V	1,3 V @ 1 A	250 ns	1 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.3a	-

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
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