RFQ
Nager
Contactez-nous

Tél: + 86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Se connecter

Français

Diodes (453)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	HTSUS	Norme de package	Vitre	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)
1N4756A	0,1800	RFQ	9	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4756A	8541.10.0000	1 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA à 35,8 V						47 V	80 ohms
1N5407bulk	0,1800	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n5407bulk	8541.10.0000	500	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	800 V	950 MV @ 3 A		5 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	28pf @ 4v, 1mhz
1N5253BBULK	0,1800	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5253BBULK	8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		100 na @ 19 V						25 V	35 ohms
1N5238BBULK	0,1800	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5238BBULK	8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		3 µA @ 6,5 V						8.7 V	8 ohms
1N5230BT / R	0,0400	RFQ	50	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5230BT / RTR	8541.10.0000	5 000			1,1 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V						4.7 V	19 ohms
1N5355BBULK	0,4000	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		5 W	Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5355BBULK	8541.10.0000	500			1,2 V @ 1 A		500 na @ 13,7 V						18 V	2,5 ohms
1N5395T / R	0,0400	RFQ	35	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5395T / RTR	8541.10.0000	5 000	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	400 V	1,1 V @ 1,5 A		5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5a	15pf @ 4v, 1mhz
1N5241BT / R	0,0400	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5241BT / RTR	8541.10.0000	10 000			1,1 V @ 200 mA		2 µA @ 8,4 V						11 V	22 ohms
1N5361abulk	0,2300	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 10%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		5 W	Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5361abulk	8541.10.0000	500			1,2 V @ 1 A		500 na @ 19,4 V						27 V	5 ohms
1N4738AT / R	0,0500	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4738at / r	8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		10 µA @ 6 V						8.2 V	4,5 ohms
1N5338A	0,4100	RFQ	9	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 10%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		5 W	Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5338A	8541.10.0000	3 000			1,2 V @ 1 A		1 µA @ 1 V						5.1 V	1,5 ohms
1N5233BBULK	0,1800	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5233BBULK	8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		5 µA à 3,5 V						6 V	7 ohms
1N4763A	0,0600	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4763atr	8541.10.0000	2 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA à 69,2 V						91 V	250 ohms
1N4750AT / R	0,0600	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4750AT / RTR	8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 20,6 V						27 V	35 ohms
1N4755abulk	0,1800	RFQ	8	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4755abulk	8541.10.0000	1 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 32,7 V						43 V	70 ohms
1N4749bulk	0,1800	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 10%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4749bulk	8541.10.0000	1 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 18,2 V						24 V	25 ohms
1N5238BT / R	0,0400	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5238BT / RTR	8541.10.0000	10 000			1,1 V @ 200 mA		3 µA @ 6,5 V						8.7 V	8 ohms
1N5402bulk	0,1800	RFQ	6	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n5402bulk	8541.10.0000	500	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	200 V	950 MV @ 3 A		5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	28pf @ 4v, 1mhz
1N5402T / R	0,0800	RFQ	21	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5402T / RTR	8541.10.0000	1250	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	200 V	950 MV @ 3 A		5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	28pf @ 4v, 1mhz
1N4007bulk	0,1800	RFQ	17	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-1n4007bulk		1 000	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	1000 V	1.1 V @ 1 A	2 µs	5 µA à 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4v, 1mhz
1N4005bulk	0.1300	RFQ	7	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-1n4005bulk		1 000	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	600 V	1.1 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4v, 1mhz
1N4728abulk	0,1500	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-1n4728abulk		1 000			1,2 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V						3,3 V	10 ohms
1N4731abulk	0.1300	RFQ	12	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-1n4731abulk		1 000			1,2 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V						4.3 V	9 ohms
1N4004T / R	0,0230	RFQ	20	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-1N4004T / RTR		5 000	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	400 V	1.1 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4v, 1mhz
RBV1508	1,6000	RFQ	800	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25	Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV1508	8541.10.0000	100			1,1 V @ 7,5 A		10 µA @ 800 V		15 A		Monophasé	800 V
RBV1502	1.5100	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25	Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV1502	8541.10.0000	100			1,1 V @ 7,5 A		10 µA @ 200 V		15 A		Monophasé	200 V
MR760	0,7500	RFQ	350	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	D-6, axial	Standard		D6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-MR760	8541.10.0000	800	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	1000 V	900 mV @ 6 a		25 µA à 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	22a	-
RBV1002	1.2800	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25	Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV1002	8541.10.0000	100			1 V @ 5 A		10 µA @ 200 V		10 a		Monophasé	200 V
RBV1504	1 9000	RFQ	600	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25	Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV1504	8541.10.0000	100			1,1 V @ 7,5 A		10 µA @ 400 V		15 A		Monophasé	400 V
RBV5006	3 0000	RFQ	400	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25	Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV5006	8541.10.0000	100			1.1 V @ 25 A		10 µA @ 600 V		50 a		Monophasé	600 V

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Diodes (453)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²