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Diodes (453)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)
1N5231BBULK	0,1800	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5231BBULK		8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V						5.1 V	17 ohms
BR1000	0,9400	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, BR-10	Standard		BR-10	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR1000		8541.10.0000	200			1.1 V @ 5 A		10 µA @ 50 V		10 a		Monophasé	50 V
1N5394bulk	0,1800	RFQ	20	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n5394bulk		8541.10.0000	500	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	300 V	1,1 V @ 1,5 A		5 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5a	15pf @ 4v, 1mhz
1N4007W	0,0670	RFQ	2547	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4007wtr		8541.10.0000	3 000	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	1000 V	1.1 V @ 1 A	2 µs	5 µA à 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4v, 1mhz
1N5251BT / R	0,0400	RFQ	20	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5251BT / RTR		8541.10.0000	10 000			1,1 V @ 200 mA		100 na @ 17 V						22 V	29 ohms
1N4728AT / R	0,0500	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-1N4728AT / RTR			5 000			1,2 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V						3,3 V	10 ohms
1N5223BT / R	0,0400	RFQ	20	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5223BT / RTR		8541.10.0000	10 000			1,1 V @ 200 mA		75 µA @ 1 V						2,7 V	30 ohms
1N4972	0,1800	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		5 W	Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4972		8541.10.0000	1 000			1,5 V @ 1 A		2 µA à 29,7 V						39 V	14 ohms
1N5351A	0.1330	RFQ	6	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 10%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		5 W	Do-15	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n5351atr		8541.10.0000	3 000			1,2 V @ 1 A		1 µA @ 10,1 V						14 V	2,5 ohms
HER301T / R	0,1500	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-Her301T / RTR		8541.10.0000	1250	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	50 V	1.1 V @ 3 A	50 ns	10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4v, 1MHz
SB390	0.1338	RFQ	7	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Schottky		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-sb390tr		8541.10.0000	1 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	90 V	790 MV @ 3 A		500 µA à 500 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
10HCB	0,0400	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-10hcbtr		8541.10.0000	5 000
1N4746abulk	0,1800	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4746abulk		8541.10.0000	1 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 13,7 V						18 V	20 ohms
1N4732AT / R	0,0600	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4732AT / RTR		8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V						4.7 V	8 ohms
1N4758abulk	0,1800	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4758abulk		8541.10.0000	1 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 42,6 V						56 V	110 ohms
FR304T / R	0.1300	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-FR304T / RTR		8541.10.0000	1250	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	400 V	1,3 V @ 3 A	150 ns	10 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
1N5358BBULK	0,3800	RFQ	500	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		5 W	Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5358BBULK		8541.10.0000	500			1,2 V @ 1 A		500 na @ 16,7 V						22 V	3,5 ohms
1N5245bbulk	0,1800	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5245BBULK		8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		100 na @ 11 V						15 V	16 ohms
1N4738A	0,0500	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Boîte	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4738A		8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		10 µA @ 6 V						8.2 V	4,5 ohms
1N755AT / R	0,0300	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N755AT / RTR		8541.10.0000	10 000			1,2 V @ 200 mA		100 na @ 1 V						7,5 V	6 ohms
1N4757AT / R	0,0600	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4757AT / RTR		8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 38,8 V						51 V	95 ohms
1N4747abulk	0,1800	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4747abulk		8541.10.0000	1 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 15,2 V						20 V	22 ohms
1N5256BT / R	0,0400	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5256BT / RTR		8541.10.0000	10 000			1,1 V @ 200 mA		100 na @ 23 V						30 V	49 ohms
3EZ330D5T / R	0,2100	RFQ	9	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		3 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-3EZ330D5T / RTR		8541.10.0000	5 000			2 V @ 200 mA		1 µA @ 251 V						330 V	2200 ohms
En vrac 1N5395	0,1800	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5395bulk		8541.10.0000	500	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	400 V	1,1 V @ 1,5 A		5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5a	15pf @ 4v, 1mhz
1N746abulk	0,2100	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n746abulk		8541.10.0000	500			1,2 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V						3,3 V	28 ohms
1N5236BBULK	0,1800	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5236BBULK		8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		3 µA @ 6 V						7,5 V	6 ohms
10A07H	0,3600	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	D-6, axial	Standard		D6	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-10A07HTR	EAR99	8541.10.0080	800	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	1000 V	1 V @ 10 A		10 µA à 1000 V	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	80pf @ 4v, 1mhz
1N4733Bulk	0,1800	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 10%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4733bulk		8541.10.0000	1 000			1,2 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V						5.1 V	7 ohms
Kbl400	1 0000	RFQ	900	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, kbl	Standard		Kbl	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-KBL400		8541.10.0000	100			1.1 V @ 4 A		10 µA @ 50 V		4 A		Monophasé	50 V

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Diodes (453)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²