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Diodes (453)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	HTSUS	Norme de package	Vitre	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)
1N5394bulk	0,1800	RFQ	20	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n5394bulk	8541.10.0000	500	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	300 V	1,1 V @ 1,5 A		5 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5a	15pf @ 4v, 1mhz
BR1508	2.5600	RFQ	700	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, BR-50	Standard		BR-50	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR1508	8541.10.0000	50			1,1 V @ 7,5 A		10 µA @ 800 V		15 A		Monophasé	800 V
1N5253BT / R	0,0400	RFQ	60	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5253BT / RTR	8541.10.0000	10 000			1,1 V @ 200 mA		100 na @ 19 V						25 V	35 ohms
1N4746bulk	0,1800	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 10%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4746bulk	8541.10.0000	1 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 13,7 V						18 V	20 ohms
1N4739abulk	0,1800	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4739abulk	8541.10.0000	500			1,2 V @ 200 mA		10 µA @ 7 V						9.1 V	5 ohms
1N5396T / R	0,0400	RFQ	40	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5396T / RTR	8541.10.0000	5 000	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	500 V	1,1 V @ 1,5 A		5 µA @ 500 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5a	15pf @ 4v, 1mhz
1N5244BBULK	0,1800	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5244BBULK	8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		100 na @ 10 V						14 V	15 ohms
MR850	0,2100	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-MR850bulk	8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	50 V	1,25 V @ 3 A	150 ns	10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	28pf @ 4v, 1mhz
SR1R	0,2500	RFQ	15	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	DO-214AC, SMA	Standard		Sma	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-SR1RTR	8541.10.0000	5 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	2000 V	3 V @ 500 mA	200 ns	5 µA @ 2000 V	-40 ° C ~ 150 ° C	500mA	5pf @ 4v, 1mhz
1N5255Bbulk	0,1800	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5255BBULK	8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		100 na @ 21 V						28 V	44 ohms
RBV2510	2.3100	RFQ	600	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25	Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV2510	8541.10.0000	100			1,1 V @ 12,5 A		10 µA à 1000 V		25 A		Monophasé	1 kv
SB390	0.1338	RFQ	7	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Schottky		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-sb390tr	8541.10.0000	1 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	90 V	790 MV @ 3 A		500 µA à 500 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
1N5229BT / R	0,0400	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5229BT / RTR	8541.10.0000	10 000			1,1 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V						4.3 V	22 ohms
1N5246BT / R	0,0400	RFQ	30	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5246BT / RTR	8541.10.0000	10 000			1,1 V @ 200 mA		100 na @ 12 V						16 V	17 ohms
1N5231BBULK	0,1800	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5231BBULK	8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V						5.1 V	17 ohms
Fepf16dt	1.6600	RFQ	530	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé	Standard		ITO-220AB	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-fepf16dt	8541.10.0000	50	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	200 V	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	85pf @ 4v, 1mhz
SF56-Bulk	0,6700	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-SF56-Bulk	8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	400 V	1,7 V @ 5 A	35 ns	10 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	5A	50pf @ 4v, 1MHz
KBP204	0,8500	RFQ	7	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-50 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, KBP	Standard		Kbp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-kbp204	8541.10.0000	100			1 V @ 1 A		10 µA @ 400 V		2 A		Monophasé	400 V
RBV1010	1.6900	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25	Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV1010	8541.10.0000	100			1 V @ 5 A		10 µA à 1000 V		10 a		Monophasé	1 kv
1N5241BBULK	0,1800	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5241BBULK	8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		2 µA @ 8,4 V						11 V	22 ohms
BR1004	0,9800	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, BR-10	Standard		BR-10	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR1004	8541.10.0000	200			1.1 V @ 5 A		10 µA @ 400 V		10 a		Monophasé	400 V
1N5377Bbulk	0,3800	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		5 W	Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5377BBULK	8541.10.0000	500			1,2 V @ 1 A		500 na @ 69.2 V						91 V	75 ohms
BR2504	2.9600	RFQ	650	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, BR-50	Standard		BR-50	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR2504	8541.10.0000	50			1,1 V @ 12,5 A		10 µA @ 400 V		25 A		Monophasé	400 V
SZ6515	0,1052	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	DO-214AA, SMB		5 W	DO-214AA (SMB)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-SZ6515TR	8541.10.0000	3 000			1,2 V @ 1 A		1 µA @ 11,5 V						15 V	2,5 ohms
1N755AT / R	0,0300	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N755AT / RTR	8541.10.0000	10 000			1,2 V @ 200 mA		100 na @ 1 V						7,5 V	6 ohms
1N5401bulk	0,1800	RFQ	14	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n5401bulk	8541.10.0000	500	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	100 V	950 MV @ 3 A		5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	28pf @ 4v, 1mhz
1N4933bulk	0,1800	RFQ	98	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4933bulk	8541.10.0000	1 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	50 V	1,2 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4v, 1mhz
1N5230Bbulk	0,1800	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5230Bbulk	8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V						4.7 V	19 ohms
1N5357Bbulk	0,3800	RFQ	12	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		5 W	Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5357BBULK	8541.10.0000	500			1,2 V @ 1 A		500 na @ 15,2 V						20 V	3 ohms
RBV600	0.9900	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25	Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV600	8541.10.0000	100			1 V @ 3 A		10 µA @ 50 V		6 A		Monophasé	50 V

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

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2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²