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Diodes (453)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	HTSUS	Norme de package	Vitre	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)
Fepf16dt	1.6600	RFQ	530	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé	Standard		ITO-220AB	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-fepf16dt	8541.10.0000	50	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	200 V	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	85pf @ 4v, 1mhz
BR806	0,9100	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, BR-10	Standard		BR-10	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR806	8541.10.0000	200			1 V @ 4 A		10 µA @ 600 V		8 A		Monophasé	600 V
SF56-Bulk	0,6700	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-SF56-Bulk	8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	400 V	1,7 V @ 5 A	35 ns	10 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	5A	50pf @ 4v, 1MHz
BR608	0,8900	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, BR-6	Standard		BR-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR608	8541.10.0000	200			1 V @ 3 A		10 µA @ 800 V		6 A		Monophasé	800 V
1N5381bulk	0,3800	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		5 W	Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5381BBULK	8541.10.0000	500			1,2 V @ 1 A		500 na @ 98,8 V						130 V	190 ohms
1N5393T / R	0,0400	RFQ	15	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5393T / RTR	8541.10.0000	5 000	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	200 V	1,1 V @ 1,5 A		5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5a	15pf @ 4v, 1mhz
1N4933bulk	0,1800	RFQ	98	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4933bulk	8541.10.0000	1 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	50 V	1,2 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4v, 1mhz
1N4736AT / R	0,0500	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4736AT / RTR	8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		10 µA @ 4 V						6,8 V	3,5 ohms
1N4746bulk	0,1800	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 10%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4746bulk	8541.10.0000	1 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 13,7 V						18 V	20 ohms
1N5240BT / R	0,0400	RFQ	20	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5240BT / RTR	8541.10.0000	10 000			1,1 V @ 200 mA		3 µA @ 8 V						10 V	17 ohms
1N5225BBULK	0,1800	RFQ	500	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5225BBULK	8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		50 µA @ 1 V						3 V	29 ohms
1N4758abulk	0,1800	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4758abulk	8541.10.0000	1 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 42,6 V						56 V	110 ohms
MR754T / R	0 2900	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	Automobile	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	D-6, axial	Standard		D6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-MR754T / RTR	8541.10.0000	800	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	400 V	900 mV @ 6 a		25 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	6A	-
1N4757AT / R	0,0600	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4757AT / RTR	8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 38,8 V						51 V	95 ohms
FKBL406MBULK	1.8500	RFQ	900	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, kbl	Standard		Kbl	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-FKBL406MBULK	8541.10.0000	50			1,4 V @ 4 A		10 µA @ 600 V		4 A		Monophasé	600 V
1N5255Bbulk	0,1800	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5255BBULK	8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		100 na @ 21 V						28 V	44 ohms
1N5394bulk	0,1800	RFQ	20	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n5394bulk	8541.10.0000	500	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	300 V	1,1 V @ 1,5 A		5 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5a	15pf @ 4v, 1mhz
SF13-Bulk	0,2100	RFQ	15	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-SF13-Bulk	8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	150 V	950 mV @ 1 a	35 ns	5 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4v, 1MHz
3EZ330D5T / R	0,2100	RFQ	9	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		3 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-3EZ330D5T / RTR	8541.10.0000	5 000			2 V @ 200 mA		1 µA @ 251 V						330 V	2200 ohms
1N5232BBULK	0,1800	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5232BBULK	8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		5 µA @ 3 V						5.6 V	11 ohms
1N5357Bbulk	0,3800	RFQ	12	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		5 W	Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5357BBULK	8541.10.0000	500			1,2 V @ 1 A		500 na @ 15,2 V						20 V	3 ohms
1N4732AT / R	0,0600	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4732AT / RTR	8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V						4.7 V	8 ohms
1N4730abulk	0,1500	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-1n4730abulk		1 000			1,2 V @ 200 mA		50 µA @ 1 V						3,9 V	9 ohms
1N5236BBULK	0,1800	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5236BBULK	8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		3 µA @ 6 V						7,5 V	6 ohms
Her104bulk	0 2400	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-Her104bulk	8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	300 V	1.1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4v, 1MHz
BR1004	0,9800	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, BR-10	Standard		BR-10	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR1004	8541.10.0000	200			1.1 V @ 5 A		10 µA @ 400 V		10 a		Monophasé	400 V
BR2504	2.9600	RFQ	650	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, BR-50	Standard		BR-50	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR2504	8541.10.0000	50			1,1 V @ 12,5 A		10 µA @ 400 V		25 A		Monophasé	400 V
RBV1006	1.4600	RFQ	500	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25	Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV1006	8541.10.0000	100			1 V @ 5 A		10 µA @ 600 V		10 a		Monophasé	600 V
BR606	0 7600	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, BR-6	Standard		BR-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR606	8541.10.0000	200			1 V @ 3 A		10 µA @ 600 V		6 A		Monophasé	600 V
BR3506	3.1300	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, BR-50	Standard		BR-50	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-BR3506	8541.10.0000	50			1,1 V @ 17,5 A		10 µA @ 600 V		35 A		Monophasé	600 V

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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