SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tolérance Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres HTSUS Norme de package Vitre Tension - DC inverse (VR) (max) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type de diode Tension - Pic inverse (max) Tension - Zener (NOM) (VZ) Impédance (max) (ZZT)
BR3501 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR3501 2.6900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 EIC Semiconductor inc. - Sac Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis 4 Carrés, BR-50 Standard BR-50 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2439-BR3501 8541.10.0000 50 1,1 V @ 17,5 A 10 µA à 100 V 35 A Monophasé 100 V
1N4739ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4739abulk 0,1800
RFQ
ECAD 3 0,00000000 EIC Semiconductor inc. - Sac Actif ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial 1 W DO-41 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2439-1n4739abulk 8541.10.0000 500 1,2 V @ 200 mA 10 µA @ 7 V 9.1 V 5 ohms
1N5229BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5229BT / R 0,0400
RFQ
ECAD 10 0,00000000 EIC Semiconductor inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 5% 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2439-1N5229BT / RTR 8541.10.0000 10 000 1,1 V @ 200 mA 5 µA @ 1 V 4.3 V 22 ohms
1N752AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N752AT / R 0,0300
RFQ
ECAD 10 0,00000000 EIC Semiconductor inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 5% 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2439-1N752AT / RTR 8541.10.0000 10 000 1,2 V @ 200 mA 1 µA @ 1 V 5.6 V 11 ohms
1N5225BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5225BBULK 0,1800
RFQ
ECAD 500 0,00000000 EIC Semiconductor inc. - Sac Actif ± 5% 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2439-1N5225BBULK 8541.10.0000 500 1,1 V @ 200 mA 50 µA @ 1 V 3 V 29 ohms
BR2504 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR2504 2.9600
RFQ
ECAD 650 0,00000000 EIC Semiconductor inc. - Sac Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis 4 Carrés, BR-50 Standard BR-50 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2439-BR2504 8541.10.0000 50 1,1 V @ 12,5 A 10 µA @ 400 V 25 A Monophasé 400 V
MURA110 EIC SEMICONDUCTOR INC. Mura110 0,8500
RFQ
ECAD 4 0,00000000 EIC Semiconductor inc. - Sac Actif Support de surface DO-214AC, SMA Standard SMA (DO-214AC) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2439-mura110 8541.10.0000 500 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 100 V 875 MV @ 1 A 30 ns 2 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 2A -
BY550-1000G EIC SEMICONDUCTOR INC. BY550-1000G 0,9100
RFQ
ECAD 5 0,00000000 EIC Semiconductor inc. - Sac Actif Par le trou DO-201D, axial Standard Do-201Dad télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2439 Par 550-1000G 8541.10.0000 50 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1000 V 1.1 V @ 5 A 20 µA à 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 5A 50pf @ 4v, 1MHz
BYD13DBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. BYD13dbulk 0,2100
RFQ
ECAD 5 0,00000000 EIC Semiconductor inc. - Sac Actif Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial Avalanche DO-41 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2439 par BYD13dbulk 8541.10.0000 500 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 200 V 1 05 V @ 1 A 1 µA @ 200 V 175 ° C 1.4a -
1N5256BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5256BBULK 0,1800
RFQ
ECAD 4 0,00000000 EIC Semiconductor inc. - Sac Actif ± 5% 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2439-1N5256BBULK 8541.10.0000 500 1,1 V @ 200 mA 100 na @ 23 V 30 V 49 ohms
1N5377BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5377Bbulk 0,3800
RFQ
ECAD 1 0,00000000 EIC Semiconductor inc. - Sac Actif ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou DO-204AC, DO-15, axial 5 W Do-15 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2439-1N5377BBULK 8541.10.0000 500 1,2 V @ 1 A 500 na @ 69.2 V 91 V 75 ohms
1N5234BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5234BBULK 0,1800
RFQ
ECAD 4 0,00000000 EIC Semiconductor inc. - Sac Actif ± 5% 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2439-1N5234BBULK 8541.10.0000 500 1,1 V @ 200 mA 5 µA @ 4 V 6.2 V 7 ohms
1N4732AG EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4732AG 0,1800
RFQ
ECAD 1 0,00000000 EIC Semiconductor inc. - Sac Actif ± 5% 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial 1 W DO-41 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2439-1N4732AG 8541.10.0000 500 1,2 V @ 200 mA 10 µA @ 1 V 4.7 V 8 ohms
1N5932BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5932BT / R 0,0500
RFQ
ECAD 20 0,00000000 EIC Semiconductor inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial 1,5 w DO-41 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2439-1N5932BT / RTR 8541.10.0000 5 000 1 µA @ 15,2 V 20 V 14 ohms
MR850BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. MR850 0,2100
RFQ
ECAD 1 0,00000000 EIC Semiconductor inc. - Sac Actif Par le trou DO-201D, axial Standard Do-201Dad télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2439-MR850bulk 8541.10.0000 500 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 50 V 1,25 V @ 3 A 150 ns 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 3A 28pf @ 4v, 1mhz
1N5230BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5230Bbulk 0,1800
RFQ
ECAD 3 0,00000000 EIC Semiconductor inc. - Sac Actif ± 5% 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2439-1N5230Bbulk 8541.10.0000 500 1,1 V @ 200 mA 5 µA @ 2 V 4.7 V 19 ohms
1N5255BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5255Bbulk 0,1800
RFQ
ECAD 4 0,00000000 EIC Semiconductor inc. - Sac Actif ± 5% 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2439-1N5255BBULK 8541.10.0000 500 1,1 V @ 200 mA 100 na @ 21 V 28 V 44 ohms
1N4736BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4736bulk 0,2000
RFQ
ECAD 10 0,00000000 EIC Semiconductor inc. - Sac Actif ± 10% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial 1 W DO-41 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2439-1n4736bulk 8541.10.0000 500 1,2 V @ 200 mA 10 µA @ 4 V 6,8 V 3,5 ohms
1N5244BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5244BBULK 0,1800
RFQ
ECAD 4 0,00000000 EIC Semiconductor inc. - Sac Actif ± 5% 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2439-1N5244BBULK 8541.10.0000 500 1,1 V @ 200 mA 100 na @ 10 V 14 V 15 ohms
1N5361AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5361AT / R 0,1500
RFQ
ECAD 7 0,00000000 EIC Semiconductor inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 10% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou DO-204AC, DO-15, axial 5 W Do-15 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2439-1N5361AT / RTR 8541.10.0000 3 000 1,2 V @ 1 A 500 na @ 19,4 V 27 V 5 ohms
1N5260BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5260BBULK 0,1800
RFQ
ECAD 5 0,00000000 EIC Semiconductor inc. - Sac Actif ± 5% 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2439-1N5260BBULK 8541.10.0000 500 1,1 V @ 200 mA 100 na @ 33 V 43 V 93 ohms
BZX55C18T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. BZX55C18T / R 0,0300
RFQ
ECAD 5 0,00000000 EIC Semiconductor inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2439-BZX55C18T / RTR 8541.10.0000 500 1 V @ 100 mA 100 na @ 13 V 18 V 50 ohms
1N5232BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5232BBULK 0,1800
RFQ
ECAD 2 0,00000000 EIC Semiconductor inc. - Sac Actif ± 5% 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2439-1N5232BBULK 8541.10.0000 500 1,1 V @ 200 mA 5 µA @ 3 V 5.6 V 11 ohms
1N4751AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4751AT / R 0,0600
RFQ
ECAD 20 0,00000000 EIC Semiconductor inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial 1 W DO-41 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2439-1N4751AT / RTR 8541.10.0000 5 000 1,2 V @ 200 mA 5 µA @ 22,8 V 30 V 40 ohms
1N5393T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5393T / R 0,0400
RFQ
ECAD 15 0,00000000 EIC Semiconductor inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial Standard DO-41 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2439-1N5393T / RTR 8541.10.0000 5 000 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 200 V 1,1 V @ 1,5 A 5 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 1.5a 15pf @ 4v, 1mhz
1N5231BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5231BBULK 0,1800
RFQ
ECAD 4 0,00000000 EIC Semiconductor inc. - Sac Actif ± 5% 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2439-1N5231BBULK 8541.10.0000 500 1,1 V @ 200 mA 5 µA @ 2 V 5.1 V 17 ohms
BR1000 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1000 0,9400
RFQ
ECAD 1 0,00000000 EIC Semiconductor inc. - Sac Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4 Carrés, BR-10 Standard BR-10 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2439-BR1000 8541.10.0000 200 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 50 V 10 a Monophasé 50 V
1N5394BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5394bulk 0,1800
RFQ
ECAD 20 0,00000000 EIC Semiconductor inc. - Sac Actif Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial Standard DO-41 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2439-1n5394bulk 8541.10.0000 500 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 300 V 1,1 V @ 1,5 A 5 µA @ 300 V -65 ° C ~ 175 ° C 1.5a 15pf @ 4v, 1mhz
1N4007W EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4007W 0,0670
RFQ
ECAD 2547 0,00000000 EIC Semiconductor inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial Standard DO-41 - Rohs3 conforme 1 (illimité) 2439-1n4007wtr 8541.10.0000 3 000 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1000 V 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA à 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4v, 1mhz
1N5251BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5251BT / R 0,0400
RFQ
ECAD 20 0,00000000 EIC Semiconductor inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 5% 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 2439-1N5251BT / RTR 8541.10.0000 10 000 1,1 V @ 200 mA 100 na @ 17 V 22 V 29 ohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock