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Diodes (453)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)
1N4732T / R	0,0900	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 10%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2439-1N4732T / RTR		8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V						4.7 V	8 ohms
1N5363BBULK	0,4100	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		5 W	Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2439-1N5363BBULK		8541.10.0000	500			1,2 V @ 1 A		500 na @ 22,8 V						30 V	8 ohms
1N5233BT / R	0,0400	RFQ	20	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2439-1N5233BT / RTR		8541.10.0000	10 000			1,1 V @ 200 mA		5 µA à 3,5 V						6 V	7 ohms
1N5339b	0,2600	RFQ	30	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		5 W	Do-15	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2439-1n5339btr	EAR99	8541.10.0050	3 000			1,2 V @ 1 A		1 µA @ 2 V						5.6 V	1 ohms
1N5401T / R	0,0800	RFQ	45	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2439-1N5401T / RTR		8541.10.0000	1250	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	100 V	950 MV @ 3 A		5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	28pf @ 4v, 1mhz
1N5237Bbulk	0,1800	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2439-1N5237BBULK		8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		3 µA @ 6,5 V						8.2 V	8 ohms
1N4733abulk	0,1800	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2439-1n4733abulk		8541.10.0000	500			1,2 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V						5.1 V	7 ohms
BA159bulk	0,2100	RFQ	17	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2439-BA159bulk		8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1000 V	1,3 V @ 1 A	250 ns	5 µA à 1000 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4v, 1mhz
1N4007W	0,0670	RFQ	2547	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2439-1n4007wtr		8541.10.0000	3 000	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	1000 V	1.1 V @ 1 A	2 µs	5 µA à 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4v, 1mhz
1N4738A	0,0500	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Boîte	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1 W	DO-41	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2439-1N4738A		8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		10 µA @ 6 V						8.2 V	4,5 ohms
10HCB	0,0400	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2439-10hcbtr		8541.10.0000	5 000
1N5338B	0,2600	RFQ	12	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		5 W	Do-15	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2439-1N5338BTR	EAR99	8541.10.0050	3 000			1,2 V @ 1 A		1 µA @ 1 V						5.1 V	1,5 ohms
Kbl400	1 0000	RFQ	900	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, kbl	Standard		Kbl	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2439-KBL400		8541.10.0000	100			1.1 V @ 4 A		10 µA @ 50 V		4 A		Monophasé	50 V
FR304Bulk	0,2100	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2439-FR304bulk		8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	400 V	1,3 V @ 3 A	150 ns	10 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
3EZ330D5T / R	0,2100	RFQ	9	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		3 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2439-3EZ330D5T / RTR		8541.10.0000	5 000			2 V @ 200 mA		1 µA @ 251 V						330 V	2200 ohms
Her104bulk	0 2400	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2439-Her104bulk		8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	300 V	1.1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4v, 1MHz
1N757abulk	0,2100	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2439-1n757abulk		8541.10.0000	500			1,2 V @ 200 mA		100 na @ 1 V						9.1 V	10 ohms
HER304BULK	0,2500	RFQ	8	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2439-Her304bulk		8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	300 V	1.1 V @ 3 A	50 ns	10 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4v, 1MHz
1N759abulk	0,2100	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2439-1n759abulk		8541.10.0000	500			1,2 V @ 200 mA		100 na @ 1 V						12 V	30 ohms
BY33T / R	0,0400	RFQ	140	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2439 Par 133T / RTR		8541.10.0000	5 000	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	1300 V	1.1 V @ 1 A	1,5 µs	5 µA @ 1300 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4v, 1mhz
BR1000	0,9400	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, BR-10	Standard		BR-10	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2439-BR1000		8541.10.0000	200			1.1 V @ 5 A		10 µA @ 50 V		10 a		Monophasé	50 V
1N914T / R	0,0300	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	Standard		Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2439-1N914T / RTR		8541.10.0000	10 000	Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse	75 V	1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-65 ° C ~ 175 ° C	75mA	4pf @ 0v, 1mhz
1N746abulk	0,2100	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2439-1n746abulk		8541.10.0000	500			1,2 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V						3,3 V	28 ohms
FR306bulk	0,2100	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2439-FR306bulk		8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	800 V	1,3 V @ 3 A	500 ns	10 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
BYD13dbulk	0,2100	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	Avalanche		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2439 par BYD13dbulk		8541.10.0000	500	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	200 V	1 05 V @ 1 A		1 µA @ 200 V	175 ° C	1.4a	-
BR608	0,8900	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, BR-6	Standard		BR-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2439-BR608		8541.10.0000	200			1 V @ 3 A		10 µA @ 800 V		6 A		Monophasé	800 V
BR1506	2.4100	RFQ	200	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, BR-50	Standard		BR-50	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2439-BR1506		8541.10.0000	50			1,1 V @ 7,5 A		10 µA @ 600 V		15 A		Monophasé	600 V
2EZ15D5BULK	0,2100	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		2 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2439-2EZ15D5BULK		8541.10.0000	500			1,2 V @ 200 mA		500 na @ 11,4 V						15 V	7 ohms
KBL406M	1.1800	RFQ	800	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, kbl	Standard		Kbl	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2439-kbl406m		8541.10.0000	100			1.1 V @ 4 A		10 µA @ 600 V		4 A		Monophasé	600 V
1N5915BBULK	0,2500	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		1,5 w	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2439-1N5915BBULK		8541.10.0000	500					25 µA @ 1 V						3,9 V	7,5 ohms

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
2800+
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