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Diodes (453)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)
1N5229bbulk	0,1800	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5229BBULK		8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V						4.3 V	22 ohms
FR207Bulk	0,2800	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		Standard		Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-FR207bulk		8541.10.0000	1 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1000 V	1,3 V @ 2 A	500 ns	10 µA à 1000 V	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	15pf @ 4v, 1mhz
FR101T / R	0,0400	RFQ	35	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-FR101T / RTR		8541.10.0000	5 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	50 V	1,3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4v, 1MHz
1N4756AT / R	0,0600	RFQ	30	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4756AT / RTR		8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA à 35,8 V						47 V	80 ohms
1N5380Bbulk	0,3800	RFQ	6	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial			5 W	Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5380BBULK		8541.10.0000	500			1,2 V @ 1 A		500 na @ 91,2 V						120 V	170 ohms
HER302T / R	0 1700	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-201D, axial		Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-Her302T / RTR		8541.10.0000	1250	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	100 V	1.1 V @ 3 A	50 ns	10 µA à 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4v, 1MHz
1N4748A	0,0600	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-41	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4748atr		8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 16,7 V						22 V	23 ohms
W04	0,2100	RFQ	8	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 circulaires, WOB		Standard		Patauger	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-W04TR		8541.10.0000	500			1 V @ 1 A		10 µA @ 400 V		1,5 A		Monophasé	400 V
BYD13kbulk	0,2100	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		Avalanche		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439 BYD13kbulk		8541.10.0000	500	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	800 V	1 05 V @ 1 A		1 µA @ 800 V	175 ° C	1.4a	-
RBV2504	1,7000	RFQ	1	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25		Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV2504		8541.10.0000	100			1,1 V @ 12,5 A		10 µA @ 400 V		25 A		Monophasé	400 V
RBV2502D	1.7400	RFQ	100	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RBV-25		Standard		RBV-25	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-RBV2502D		8541.10.0000	100			1.1 V @ 25 A		10 µA @ 200 V		25 A		Monophasé	200 V
1N4741AT / R	0,0600	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4741AT / RTR		8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 8,4 V						11 V	8 ohms
1N4937T / R	0,0400	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	1N4937	Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4937T / RTR		8541.10.0000	5 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	600 V	1,2 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4v, 1mhz
1N4749A	0,1800	RFQ	15	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4749A		8541.10.0000	1 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 18,2 V						24 V	25 ohms
1N5244BT / R	0,0400	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5244BT / RTR		8541.10.0000	10 000			1,1 V @ 200 mA		100 na @ 10 V						14 V	15 ohms
1N751abulk	0,2100	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n751abulk		8541.10.0000	500			1,2 V @ 200 mA		1 µA @ 1 V						5.1 V	17 ohms
Her306bulk	0,2800	RFQ	2	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-201D, axial		Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-Her306bulk		8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	600 V	1,7 V @ 3 A	75 ns	10 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4v, 1MHz
Bull FR106	0,2100	RFQ	37	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-FR106bulk		8541.10.0000	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	800 V	1,3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4v, 1MHz
1N4734AT / R	0,0650	RFQ	15	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N4734AT / RTR		8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		10 µA @ 2 V						5.6 V	5 ohms
1N5245BT / R	0,0400	RFQ	20	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5245BT / RTR		8541.10.0000	10 000			1,1 V @ 200 mA		100 na @ 11 V						15 V	16 ohms
1N5242BT / R	0,0400	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5242BT / RTR		8541.10.0000	10 000			1,1 V @ 200 mA		1 µA @ 9,1 V						12 V	30 ohms
BYD13 gbulk	0,2100	RFQ	5	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		Avalanche		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439 par 13 gbulk		8541.10.0000	500	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	400 V	1 05 V @ 1 A		1 µA @ 400 V	175 ° C	1.4a	-
Z1180-T / R	0,0800	RFQ	30	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 10%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2439-Z1180-T / RTR		8541.10.0000	10 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA à 136,8 V						180 V	1200 ohms
1N4748AT / R	0,0600	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n4748at / rtr		8541.10.0000	5 000			1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 16,7 V						22 V	23 ohms
1N5339b	0,2600	RFQ	30	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial			5 W	Do-15	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1n5339btr	EAR99	8541.10.0050	3 000			1,2 V @ 1 A		1 µA @ 2 V						5.6 V	1 ohms
Esja04-03a	0,6500	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif			Par le trou	Axial		Standard		M1A	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-esja04-03a		8541.10.0000	300	Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse	3000 V	12 V @ 10 mA	80 ns	2 µA à 3000 V	120 ° C (max)	1 mA	-
1N5239BT / R	0,0400	RFQ	10	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5239BT / RTR		8541.10.0000	10 000			1,1 V @ 200 mA		3 µA @ 7 V						9.1 V	10 ohms
1N5243BBULK	0,1800	RFQ	4	EIC Semiconductor inc.	-	Sac	Actif	± 5%	175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5243BBULK		8541.10.0000	500			1,1 V @ 200 mA		500 na @ 9,9 V						13 V	13 ohms
DR206T / R	0,0600	RFQ	9	EIC Semiconductor inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		Standard		Do-15	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-DR206T / RTR		8541.10.0000	3 000	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)	600 V	1 V @ 2 A		5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	75pf @ 4v, 1mhz
1N5360B	0,1150	RFQ	3	EIC Semiconductor inc.	-	Boîte	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial			5 W	Do-15	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2439-1N5360B		8541.10.0000	500			1,2 V @ 1 A		500 na @ 19 V						25 V	4 ohms

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
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