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Diodes (1803)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IDH04G65C5XKSA1 | - |  | 7539 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-2 | IDH04G65 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG à 220-2-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 4 A | 0 ns | 140 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 4A | 130pf @ 1v, 1MHz | |
| IDH08SG60CXKSA2 | 5.7600 | | 3263 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | IDH08SG60 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG à 220-2-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 600 V | 2.1 V @ 8 A | 0 ns | 70 µA à 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8a | 240pf @ 1v, 1MHz | |
 | SIDC30D120H6X1SA4 | - | | 8048 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Abandonné à sic | Support de surface | Mourir | Sidc30d | Standard | Scion sur le papier d'Aluminium | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 1,6 V @ 50 A | 27 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 50A | - |
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