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Diodes (1803)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Courant - Max	Dissipation de Puisse (max)	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	Résistance @ si, f	Rapport de capacité	Condition de rapport de capacité	Q @ VR, F
BBY5302VH6327XTSA1	0,5000	RFQ	9	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Support de surface	SC-79, SOD-523	BBY5302		PG-SC79-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0070	3 000												3,1pf @ 3v, 1MHz	Célibataire	6 V		2.6	C1 / C3	-
BBY5502WH6327XTSA1	-	RFQ	4929	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-80	BBY55		SCD-80	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0070	3 000												6.5pf @ 10v, 1MHz	Célibataire	16 V		3	C2 / C10	-
BBY5702VH6327XTSA1	0,5600	RFQ	136	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Support de surface	SC-79, SOD-523	BBY57		PG-SC79-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0070	3 000												5.5pf @ 4v, 1MHz	Célibataire	10 V		4.5	C1 / C4	-
BBY5802VH6327XTSA1	0 4700	RFQ	227	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-79, SOD-523	BBY5802		PG-SC79-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0070	3 000												5.5pf @ 6v, 1MHz	Célibataire	10 V		3.5	C1 / C4	-
BBY5802WH6327XTSA1	-	RFQ	6070	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-80	BBY58		SCD-80	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0070	3 000												5.5pf @ 6v, 1MHz	Célibataire	10 V		3.5	C1 / C4	-
IDH10G65C5XKSA1	-	RFQ	8252	Infineon Technologies	Coolsic ™ +	Tube	Abandonné à sic		Par le trou	À 220-2	IDH10G65	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	PG à 220-2-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)				650 V		1,7 V @ 10 A	0 ns	340 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	300pf @ 1v, 1MHz
IDH08G65C5XKSA1	-	RFQ	6243	Infineon Technologies	Coolsic ™ +	Tube	Abandonné à sic		Par le trou	À 220-2	IDH08G65	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	PG à 220-2-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	500	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)				650 V		1,7 V @ 8 A	0 ns	280 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	8a	250pf @ 1v, 1MHz
IDH20G65C5XKSA1	-	RFQ	3532	Infineon Technologies	Coolsic ™ +	Tube	Abandonné à sic		Par le trou	À 220-2	IDH20	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	PG à 220-2-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)				650 V		1,7 V @ 20 A	0 ns	700 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	20A	590pf @ 1v, 1MHz
IDH03G65C5XKSA1	-	RFQ	9974	Infineon Technologies	Coolsic ™ +	Tube	Abandonné à sic		Par le trou	À 220-2	IDH03G65	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	PG à 220-2-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	500	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)				650 V		1,7 V @ 3 A	0 ns	50 µA à 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	100pf @ 1v, 1MHz
IDH09G65C5XKSA1	-	RFQ	9475	Infineon Technologies	Coolsic ™ +	Tube	Abandonné à sic		Par le trou	À 220-2	IDH09G65	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	PG à 220-2-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	500	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)				650 V		1,7 V @ 9 A	0 ns	310 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	9A	270pf @ 1v, 1MHz
BAV199E6359	-	RFQ	7975	Infineon Technologies	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif		Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BAV199	Standard	PG-Sot23-3-1	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini			10 000	Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse			Connexion de la Séririe 1 paire	80 V	200mA (DC)	1,25 V @ 150 Ma	1,5 µs	5 na @ 75 V	150 ° C
BBY53-03WE6327HTSA1	0.1400	RFQ	61	Infineon Technologies	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 125 ° C	Support de surface	SC-76, SOD-323			PG-SOD323-3D	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.10.0070	1												3,1pf @ 3v, 1MHz	Célibataire	6 V		2.6	C1 / C3	-
BAT62E6327	-	RFQ	5548	Infineon Technologies	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)		À 253-4, à 253aa			SOT-143-4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0060	3 000		20 mA	100 MW									0,6pf @ 0v, 1mhz	Schottky - anti-parallèle	40V	-
Bav70e6767	0,0200	RFQ	96	Infineon Technologies	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif		Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BAV70	Standard		télécharger				EAR99	8541.10.0070	1	Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse			1 paire la commune de cathode	80 V	200mA (DC)	1,25 V @ 150 Ma	4 ns	150 na @ 70 V	150 ° C
BAR63-04E6327	-	RFQ	9446	Infineon Technologies	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)		À 236-3, SC-59, SOT-23-3			PG-Sot23	télécharger				EAR99	8541.10.0070	1		100 mA	250 MW									0,3pf @ 5v, 1MHz	Pin - Connexion de la Séririe 1 paire	50v	-
DD350N12K-K	162.8600	RFQ	162	Infineon Technologies	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	Module		Standard	Module	télécharger				EAR99	8541.10.0080	1	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)			1 paire la commune de cathode	1200 V	350A	1,28 V @ 1000 A		30 Ma @ 1200 V	150 ° C
BAR63-06E6327HTSA1	1 0000	RFQ	4962	Infineon Technologies	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif	150 ° C (TJ)		À 236-3, SC-59, SOT-23-3			PG-Sot23-3-3	télécharger				EAR99	8541.10.0070	1		100 mA	250 MW									0,3pf @ 5v, 1MHz	Broche - 1 paire commun	50v	1OHM @ 10mA, 100MHz
IDH03SG60C	0,9600	RFQ	68	Infineon Technologies	Coolsic ™ +	En gros	Actif		Par le trou	À 220-2		Sic (Carbure de Silicium) Schottky	PG à 220-2-2	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)				600 V		2.3 V @ 3 A	0 ns	15 µA à 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	60pf @ 1v, 1MHz
IDP15E60	0,8600	RFQ	11	Infineon Technologies	Pilier	En gros	Actif		Par le trou	À 220-2		Standard	PG à 220-2	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)				600 V		2 V @ 15 A	87 ns	50 µA à 600 V	-40 ° C ~ 175 ° C	29.2a	-
BAS40	0,0700	RFQ	10	Infineon Technologies	-	En gros	Actif		Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS40	Schottky	SOT23-3 (à 236)	télécharger				EAR99	8541.10.0070	1	Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse				40 V		1 V @ 40 Ma	5 ns	200 na @ 30 V	-50 ° C ~ 150 ° C	200m	5pf @ 0v, 1mhz
BA592E6327	0,0700	RFQ	25	Infineon Technologies	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)		SC-76, SOD-323			PG-SOD323-2-1	télécharger				EAR99	8541.10.0070	1		100 mA										1,1pf @ 3v, 1MHz	Norme - Célibataire	35V	500 MOHM @ 10MA, 100MHz
IDW60C65D1	-	RFQ	8705	Infineon Technologies	-	En gros	Actif		Par le trou	À 247-3		Standard	PG à247-3	télécharger					0000.00.0000	1	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)			1 paire la commune de cathode	650 V	60a (DC)	1,7 V @ 30 A	66 ns	40 µA à 650 V	-40 ° C ~ 175 ° C
BAT68E6327	1 0000	RFQ	8414	Infineon Technologies	Bat68	En gros	Actif	150 ° C (TJ)		À 236-3, SC-59, SOT-23-3			PG-Sot23-3-1	télécharger				EAR99	8541.10.0070	1		130 mA	150 MW									1pf @ 0v, 1mhz	Schottky - Célibataire	8v	10OHM @ 5MA, 10KHz
BAS40-04E6327	-	RFQ	4220	Infineon Technologies	-	En gros	Actif		Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS40	Schottky	PG-Sot23-3-11	télécharger				EAR99	8541.10.0070	2 100	Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse			Connexion de la Séririe 1 paire	40 V	120mA (DC)	1 V @ 40 Ma		1 µA @ 30 V	150 ° C
BBY55-03WE6327	0.1300	RFQ	5	Infineon Technologies	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	SC-76, SOD-323			PG-SOD323-2	télécharger				EAR99	8541.10.0070	1												6.5pf @ 10v, 1MHz	Célibataire	16 V		2.5	C2 / C10	-
BAT15-099E6327	0,2100	RFQ	24	Infineon Technologies	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)		À 253-4, à 253aa			PG-Sot143-4	télécharger				EAR99	8541.10.0070	1		110 mA	100 MW									0,5pf @ 0v, 1MHz	Schottky - 2 Independent	4V	5,5 ohm @ 50mA, 1 MHz
Idd06sg60cxtma2	4.0800	RFQ	10	Infineon Technologies	Coolsic ™ +	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Idd06sg60	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	PG à 252-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	2 500	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)				600 V		2,3 V @ 6 A	0 ns	50 µA à 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	6A	130pf @ 1v, 1MHz
Idd08sg60cxtma2	5.4400	RFQ	2	Infineon Technologies	Coolsic ™ +	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Idd08sg60	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	PG à 252-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	2 500	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)				600 V		2.1 V @ 8 A	0 ns	70 µA à 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	8a	240pf @ 1v, 1MHz
Idd10sg60cxtma2	6.7900	RFQ	490	Infineon Technologies	Coolsic ™ +	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Idd10sg60	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	PG à 252-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	2 500	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)				600 V		2.1 V @ 10 A	0 ns	90 µA à 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	290pf @ 1v, 1MHz
IDH08SG60CXKSA2	5.7600	RFQ	3263	Infineon Technologies	Coolsic ™ +	Tube	Actif		Par le trou	À 220-2	IDH08SG60	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	PG à 220-2-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)				600 V		2.1 V @ 8 A	0 ns	70 µA à 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	8a	240pf @ 1v, 1MHz

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Entrepôt en stock

Diodes (1803)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²