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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Courant - Max | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Résistance @ si, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SIDC09D60E6X1SA1 | - | ![]() | 4701 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | Support de surface | Mourir | Sidc09d60 | Standard | Scion sur le papier d'Aluminium | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 20 A | 150 ns | 27 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | |||||||||
![]() | SIDC09D60E6YX1SA1 | - | ![]() | 5098 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | Support de surface | Mourir | Sidc09d60 | Standard | Scion sur le papier d'Aluminium | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 20 A | 150 ns | 27 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | |||||||||
![]() | Sidc14d60c6y | - | ![]() | 3952 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Abandonné à sic | Support de surface | Mourir | Sidc14d60 | Standard | Scion sur le papier d'Aluminium | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP000095897 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,9 V @ 50 A | 27 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 50A | - | |||||||||
![]() | SIDC23D120F6X1SA1 | - | ![]() | 2124 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Abandonné à sic | Support de surface | Mourir | Sidc23d | Standard | Scion sur le papier d'Aluminium | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 2.1 V @ 25 A | 27 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 25A | - | ||||||||||
![]() | SIDC30D120H6X1SA4 | - | ![]() | 8048 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Abandonné à sic | Support de surface | Mourir | Sidc30d | Standard | Scion sur le papier d'Aluminium | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 1,6 V @ 50 A | 27 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 50A | - | ||||||||||
![]() | SIDC32D170HX1SA3 | - | ![]() | 9535 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Abandonné à sic | Support de surface | Mourir | Sidc32d | Standard | Scion sur le papier d'Aluminium | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1700 V | 1,8 V @ 50 A | 27 µA à 1700 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 50A | - | ||||||||||
![]() | SIDC42D120F6X1SA3 | - | ![]() | 8529 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Abandonné à sic | Support de surface | Mourir | Sidc42d | Standard | Scion sur le papier d'Aluminium | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 2.1 V @ 50 A | 27 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 50A | - | ||||||||||
![]() | SIDC59D170HX1SA2 | - | ![]() | 5938 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Abandonné à sic | Support de surface | Mourir | Sidc59d | Standard | Scion sur le papier d'Aluminium | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1700 V | 1,8 V @ 100 A | 27 µA à 1700 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 100A | - | ||||||||||
![]() | SIDC73D170E6X1SA2 | - | ![]() | 1531 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Abandonné à sic | Support de surface | Mourir | Sidc73d | Standard | Scion sur le papier d'Aluminium | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1700 V | 2,15 V @ 100 A | 27 µA à 1700 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 100A | - | ||||||||||
![]() | SIDC81D120H6X1SA2 | - | ![]() | 1856 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Abandonné à sic | Support de surface | Mourir | Sidc78d | Standard | Scion sur le papier d'Aluminium | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 1,6 V @ 150 A | 27 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 150a | - | ||||||||||
![]() | Sidc81d60e6x1sa3 | - | ![]() | 1454 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | Support de surface | Mourir | Sidc78d | Standard | Scion sur le papier d'Aluminium | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,25 V @ 200 A | 27 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 200A | - | ||||||||||
![]() | IDW30C65D1XKSA1 | 3.2900 | ![]() | 1425 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Rapid 1 | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | IDW30C65 | Standard | PG à247-3-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 650 V | 15A | 1,7 V @ 15 A | 71 ns | 40 µA à 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||
![]() | Hfa08tb60pbf | - | ![]() | 9438 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Hexfred® | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-2 | HFA08 | Standard | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 8 A | 55 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | |||||||||
IDW20G120C5BFKSA1 | 14.7700 | ![]() | 2748 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | IDW20G120 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG à247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 31A | 1,65 V @ 10 A | 83 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
![]() | BAT1504RE6152HTSA1 | 0,5500 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT1504 | PG-Sot23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 110 mA | 0,25pf @ 0v, 1mhz | Schottky - Connexion de la Séririe 1 paire | 4V | 18OHM @ 5MA, 1MHz | |||||||||||||
![]() | IDB06S60CATMA2 | - | ![]() | 6834 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Idb06 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG à263-3-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 6 A | 0 ns | 80 µA @ 600 V | - | 6A | 280pf @ 1v, 1MHz | |||||||||
![]() | D251N18BB01XPSA1 | - | ![]() | 3837 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | Soutien | BG-DSW27-1 | D251n | Standard | BG-DSW27-1 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP000090534 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1800 V | 30 ma @ 1800 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 255a | - | ||||||||||
![]() | Iddd06g65c6xtma1 | 1.7992 | ![]() | 5899 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Module à 10 powersop | Iddd06 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG-HDSOP-10-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP001679786 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 700 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 0 ns | 20 µA @ 420 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 18a | 302pf @ 1v, 1mhz | |||||||||
![]() | IDDD16G65C6XTMA1 | 7.2400 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Module à 10 powersop | Iddd16 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG-HDSOP-10-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 700 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 0 ns | 53 µA @ 420 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 43a | 783pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||
![]() | IDDD20G65C6XTMA1 | 9.0500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Module à 10 powersop | Iddd20 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG-HDSOP-10-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 700 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 0 ns | 67 µA @ 420 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 51a | 970pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||
![]() | 17DN02S01EVOPRXPSA1 | - | ![]() | 5515 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | - | - | 17dn02 | - | - | - | Non applicable | Atteindre non affecté | SP000541820 | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | |||||||||||||
![]() | EDD630N16P60HPSA1 | - | ![]() | 1929 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | Soutenir de châssis | Module | EDD630 | Standard | BG-PB60ECO-1 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP001689146 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | Connexion de la Séririe 1 paire | 1600 V | 630A | - | |||||||||||
![]() | IDP2308T1XUMA1 | 2.3085 | ![]() | 7941 | 0,00000000 | Infineon Technologies | * | Ruban Adhésif (tr) | Actif | IDP2308 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 2 500 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | D170S25BS1XPSA1 | - | ![]() | 4514 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | Soutien | Goujon | D170S25 | Standard | BG-DSW271-1 | - | Atteindre non affecté | SP000090297 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 2500 V | 2,3 V @ 800 A | 4 µs | 5 ma @ 2500 V | 140 ° C (max) | 255a | - | ||||||||||
![]() | D690S26TS01XPSA1 | - | ![]() | 8959 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | DO-200AB, B-PUK | D690S26 | Standard | BG-D5726K-1 | - | Non applicable | Atteindre non affecté | SP001046358 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 2600 V | 2,7 V @ 3000 A | 9 µs | 25 mA @ 2600 V | 150 ° C (max) | 690a | - | |||||||||
![]() | IDWD15G120C5XKSA1 | 10.8400 | ![]() | 240 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Tube | Actif | Par le trou | À 247-2 | Idwd15 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG à247-2 | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | SP001687164 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,65 V @ 15 A | 0 ns | 124 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 49a | 1050pf @ 1v, 1MHz | ||||||||
![]() | IDWD30G120C5XKSA1 | 20.7500 | ![]() | 494 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Tube | Actif | Par le trou | À 247-2 | Idwd30 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG à247-2 | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,65 V @ 30 A | 0 ns | 248 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 87a | 1980pf @ 1v, 1mhz | |||||||||
![]() | DD500S33HE3BOSA1 | - | ![]() | 3913 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Actif | Soutenir de châssis | Module | DD500S33 | Standard | AG-IHVB130-3 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 3300 V | 500A (DC) | 3,85 V @ 500 A | 500 A @ 1800 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | DD1200S33K2CB3S2NDSA1 | - | ![]() | 8477 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | Soutenir de châssis | Module | Standard | A-IHV130-3 | télécharger | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 3300 V | 1200A (DC) | 3,5 V @ 1200 A | 1700 A @ 1800 V | -40 ° C ~ 125 ° C | |||||||||||||
![]() | DD800S33K2CB3S2NDSA1 | - | ![]() | 5768 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | Soutenir de châssis | Module | DD800S33 | Standard | A-IHV130-3 | télécharger | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 3300 V | 800A (DC) | 3,5 V @ 800 A | 1100 A @ 1800 V | -40 ° C ~ 125 ° C |
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