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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Courant - Max | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Résistance @ si, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAT68E6359HTMA1 | 0,0700 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Bat68 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | PG-Sot23-3-1 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | 130 mA | 150 MW | 1pf @ 0v, 1mhz | Schottky - Célibataire | 8v | 10OHM @ 5MA, 10KHz | |||||||||||||
![]() | Baw56we6327 | - | ![]() | 4805 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BAW56 | Standard | SOT-323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 1 paire Commune d'anode | 80 V | 200mA (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150 ° C (max) | |||||||||
![]() | BAT5406WH6327XTSA1 | 0,5000 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BAT5406 | Schottky | PG-Sot323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 1 paire Commune d'anode | 30 V | 200mA (DC) | 800 mV à 100 mA | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 150 ° C (max) | |||||||||
![]() | D3001N68TXPSA1 | 2 0000 | ![]() | 9674 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Actif | Soutenir de châssis | Do00ae | D3001N68 | Standard | - | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 6800 V | 1,7 V @ 4000 A | 100 mA @ 6800 V | -40 ° C ~ 160 ° C | 3910A | - | ||||||||||
![]() | BAL99E6327 | 0,0400 | ![]() | 249 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Standard | PG-Sot23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 8 959 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 80 V | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 1 µA @ 70 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 250mA | 1,5pf @ 0v, 1MHz | ||||||||||
![]() | D650S14TXPSA1 | - | ![]() | 6314 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | DO-200AB, B-PUK | D650S14 | Standard | - | télécharger | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1400 V | 2,25 V @ 1400 A | 5,3 µs | 20 mA @ 1400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 620a | - | ||||||||||
![]() | SIDC06D60E6X1SA4 | - | ![]() | 6100 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | Support de surface | Mourir | Sidc06d60 | Standard | Mourir | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,25 V @ 10 A | 27 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||
![]() | SIDC04D60F6X1SA4 | - | ![]() | 1378 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | Support de surface | Mourir | Sidc04 | Standard | Mourir | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,6 V @ 9 A | 27 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 9A | - | ||||||||||
![]() | IDP06E60XKSA1 | 0,9800 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Standard | PG à 220-2-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 2 V @ 6 A | 70 ns | 50 µA à 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 14.7A | - | ||||||||||
![]() | SIDC04D60F6X7SA1 | - | ![]() | 4081 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | Support de surface | Mourir | Sidc04d60 | Standard | Mourir | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,6 V @ 9 A | 27 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 9A | - | ||||||||||
![]() | SIDC03D60F6X1SA1 | - | ![]() | 5797 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | Support de surface | Mourir | Sidc03 | Standard | Mourir | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,6 V @ 6 A | 27 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | ||||||||||
![]() | Bav99we6327btsa1 | - | ![]() | 9352 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | SC-70, SOT-323 | Bav99 | Standard | PG-Sot323 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | Connexion de la Séririe 1 paire | 80 V | 200mA (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150 ° C (max) | ||||||||||
![]() | SIDC08D60C8X7SA1 | - | ![]() | 5224 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | Support de surface | Mourir | Sidc08 | Standard | Mourir | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,95 V @ 30 A | 27 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | ||||||||||
![]() | BAS7004E6433HTMA1 | 0,4200 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS7004 | Schottky | PG-Sot23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | Connexion de la Séririe 1 paire | 70 V | 70mA (DC) | 1 V @ 15 mA | 100 PS | 100 na @ 50 V | 150 ° C (max) | |||||||||
![]() | D850N32TXPSA1 | - | ![]() | 2289 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | De serrer | DO-200AB, B-PUK | D850N | Standard | - | télécharger | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 3200 V | 1,28 V @ 850 A | 50 mA @ 3200 V | -40 ° C ~ 160 ° C | 850A | - | |||||||||||
![]() | D121N16BXPSA1 | - | ![]() | 2746 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | Soutien | DO-205AA, DO-8, Stud | D121n | Standard | - | télécharger | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1600 V | 20 mA @ 1600 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 230A | - | ||||||||||||
![]() | Px8746hdng018xtma1 | - | ![]() | 5743 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | PX8746HD | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | DD89N12KHPSA2 | 104.2340 | ![]() | 7275 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Actif | Soutenir de châssis | Module | Standard | Module | - | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.30.0080 | 15 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | Connexion de la Séririe 1 paire | 1200 V | 89a | 1,5 V @ 300 A | 20 mA @ 1,2 kV | 150 ° C | |||||||||||||
![]() | BAS70-07WE6327 | - | ![]() | 9116 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | Support de surface | SC-82A, SOT-343 | BAS70 | Schottky | PG-Sot343-4-1 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0070 | 4 750 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 2 indépendant | 70 V | 70mA (DC) | 1 V @ 15 mA | 100 PS | 100 na @ 50 V | 150 ° C | |||||||||
![]() | Dd540n22ktimhpsa1 | 385.0000 | ![]() | 4506 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Actif | Soutenir de châssis | Module | DD540N22 | Standard | BG-PB60AT-1 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | Connexion de la Séririe 1 paire | 2200 V | 540a | 1,48 V @ 1,7 KA | 40 mA @ 2200 V | 150 ° C (max) | |||||||||||
![]() | IDH08G65C5XKSA1 | - | ![]() | 6243 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-2 | IDH08G65 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG à 220-2-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 8 A | 0 ns | 280 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8a | 250pf @ 1v, 1MHz | |||||||||
![]() | Iddd10g65c6xtma1 | 5.1200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Module à 10 powersop | Iddd10 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG-HDSOP-10-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 700 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 0 ns | 33 µA @ 420 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 29A | 495pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||
![]() | IDH10SG60CXKSA2 | 7.1200 | ![]() | 360 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | IDH10SG60 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG à 220-2-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 600 V | 2.1 V @ 10 A | 0 ns | 90 µA à 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 290pf @ 1v, 1MHz | |||||||||
IDW20G120C5BFKSA1 | 14.7700 | ![]() | 2748 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | IDW20G120 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG à247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 31A | 1,65 V @ 10 A | 83 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
![]() | DD89N12KHPSA1 | 114.8300 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Actif | Soutenir de châssis | Module | DD89N12 | Standard | Module | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 89a | 1,5 V @ 300 A | 20 mA @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
IDW30G120C5BFKSA1 | 20.2600 | ![]() | 43 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | IDW30G120 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG à247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 44A (DC) | 1,65 V @ 15 A | 124 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
![]() | IDD12SG60CXTMA1 | - | ![]() | 9536 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Idd12sg60 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG à 252-3 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 500 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 600 V | 2.1 V @ 12 A | 0 ns | 100 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 12A | 310pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||
![]() | IDH05G120C5XKSA1 | 5.6000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | IDH05G120 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG à 220-2-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 5 A | 0 ns | 33 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 5A | 301pf @ 1v, 1MHz | |||||||||
![]() | Bar9002else6327xtsa1 | 0 4700 | ![]() | 75 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | 0201 (0603 MÉTrique) | Bar9002 | PG-TSSLP-2-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 15 000 | 100 mA | 250 MW | 0,35pf @ 1v, 1MHz | Broche - simple | 80V | 800mohm @ 10mA, 100MHz | ||||||||||||
![]() | BAT1502LSE6433XTMA1 | 0,6000 | ![]() | 69 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | 0201 (0603 MÉTrique) | BAT1502 | PG-TSSLP-2-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 70 000 | 110 mA | 100 MW | 0,23pf @ 0v, 1mhz | Schottky - Célibataire | 4V | 10Ohm @ 50mA, 1MHz |
Volume de RFQ moyen quotidien
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