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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Rapport de capacité | Condition de rapport de capacité | Q @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | D8320N04TVFXPSA1 | 811.9500 | ![]() | 2582 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Actif | Soutenir de châssis | Do-200ad | D8320N04 | Standard | - | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 795 MV @ 4000 A | 100 mA @ 400 V | -25 ° C ~ 150 ° C | 8320A | - | |||||||||||
![]() | D3001N65T | - | ![]() | 9070 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Do00ae | D3001N65 | Standard | - | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | SP000091255 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 6500 V | 1,7 V @ 4000 A | 100 mA @ 6500 V | -40 ° C ~ 160 ° C | 3910A | - | ||||||||||
![]() | Bas16we6327 | 0,0200 | ![]() | 175 | 0,00000000 | Infineon Technologies | BAS16 | En gros | Actif | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BAS16 | Standard | PG-Sot323-3-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 80 V | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 1 µA @ 75 V | 150 ° C | 250mA | 2pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||
![]() | DD260N18KKHPSA1 | - | ![]() | 2067 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Module | Standard | Module | télécharger | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | Connexion de la Séririe 1 paire | 1800 V | 260A | 1,32 V @ 800 A | 30 ma @ 1800 V | 150 ° C | |||||||||||||
![]() | D6001N50TS05XPSA1 | - | ![]() | 9528 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Do00ae | D6001N50 | Standard | BG-D15026K-1 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP000541776 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 5000 V | 1,3 V @ 6000 A | 400 mA @ 5000 V | -40 ° C ~ 160 ° C | 8010A | - | |||||||||||
![]() | IDC40D120T6MX1SA4 | - | ![]() | 1449 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | Support de surface | Mourir | IDC40D120 | Standard | Scion sur le papier d'Aluminium | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP000301865 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 2.05 V @ 75 A | 14 µA à 1200 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 75a | - | ||||||||||
![]() | IDW10G120C5BFKSA1 | 9.5800 | ![]() | 7118 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | IDW10G120 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG à247-3-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 17A | 1,65 V @ 5 A | 40 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
![]() | IRD3CH24DD6 | - | ![]() | 8979 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | IRD3CH24 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | SIDC23D120H8X1SA1 | - | ![]() | 3541 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | Support de surface | Mourir | Sidc23d | Standard | Scion sur le papier d'Aluminium | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP000526884 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 1,97 V @ 35 A | 27 µA à 1200 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 35a | - | ||||||||||
![]() | BB 639 E7906 | - | ![]() | 8570 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-76, SOD-323 | BB 639 | PG-SOD323-2 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 2,9pf @ 28v, 1MHz | Célibataire | 30 V | 14.7 | C1 / C28 | - | |||||||||||||
![]() | BAV 99W H6433 | - | ![]() | 2353 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BAV 99 | Standard | PG-Sot323 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | Connexion de la Séririe 1 paire | 80 V | 200mA (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150 ° C (max) | |||||||||||
![]() | IDH06G65C6XKSA1 | 3.1500 | ![]() | 373 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | IDH06G65 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG à 220-2 | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,35 V @ 6 A | 0 ns | 20 µA @ 420 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 16A | 302pf @ 1v, 1mhz | ||||||||||
![]() | Bav70we6327btsa1 | - | ![]() | 4089 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BAV70 | Standard | PG-Sot323 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 1 paire la commune de cathode | 80 V | 200mA (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150 ° C (max) | |||||||||||
![]() | IDP30E120XKSA1 | 3.2800 | ![]() | 330 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | IDP30E120 | Standard | PG à 220-2-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 2.15 V @ 30 A | 243 ns | 100 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 50A | - | ||||||||||
![]() | D2200N24TVFXPSA1 | 527.3975 | ![]() | 2464 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Actif | Soutenir de châssis | DO-200AC, K-PUK | D2200N24 | Standard | - | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 2400 V | 1,2 V @ 2000 A | 150 mA @ 2400 V | -40 ° C ~ 160 ° C | 2200A | - | |||||||||||
![]() | D251k20bxpsa1 | - | ![]() | 1971 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | Soutien | DO-205AA, DO-8, Stud | D251k | Standard | - | télécharger | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 2000 V | 30 Ma @ 2000 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 255a | - | |||||||||||||
![]() | BAT6406E6327HTSA1 | 0,5200 | ![]() | 27 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, BAT64 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT6406 | Schottky | PG-Sot23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 1 paire Commune d'anode | 40 V | 250mA | 750 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µA @ 30 V | 150 ° C (max) | ||||||||||
![]() | DD600N12KHPSA2 | 351.3800 | ![]() | 8468 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | Soutenir de châssis | Module | DD600N12 | Standard | Module | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | Connexion de la Séririe 1 paire | 1200 V | 600A | 1,32 V @ 1800 A | 40 mA @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | D1230N16TXPSA1 | 138.1625 | ![]() | 1632 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | De serrer | DO-200AA, A-PUK | D1230N16 | Standard | - | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1600 V | 1.063 V @ 800 A | 50 ma @ 1600 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 1230a | - | |||||||||||
![]() | Bby5305wh6327xtsa1 | - | ![]() | 7661 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BBY53 | PG-Sot323 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 3,1pf @ 3v, 1MHz | 1 paire la commune de cathode | 6 V | 2.6 | C1 / C3 | - | |||||||||||||
![]() | Bby5305we6327htsa1 | - | ![]() | 4110 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BBY53 | PG-Sot323 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 3,1pf @ 3v, 1MHz | 1 paire la commune de cathode | 6 V | 2.6 | C1 / C3 | - | |||||||||||||
![]() | IDDD12G65C6XTMA1 | 6.0800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Module à 10 powersop | Iddd12 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG-HDSOP-10-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 700 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 0 ns | 40 µA @ 420 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 34a | 594pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||
![]() | BAS40E6433HTMA1 | 0,5200 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS40 | Schottky | PG-Sot23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 40 V | 1 V @ 40 Ma | 100 PS | 1 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 120mA | 5pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||
![]() | BAS70-06WH6327 | - | ![]() | 5700 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BAS70 | Schottky | PG-Sot323-3 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 1 paire Commune d'anode | 70 V | 70mA (DC) | 1 V @ 15 mA | 100 PS | 100 na @ 50 V | 150 ° C | ||||||||||
![]() | D350SH45TXPSA1 | 930.8775 | ![]() | 7730 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Actif | De serrer | DO-200AC, K-PUK | D350SH45 | Standard | BG-D7526K0-1-1 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 4500 V | - | 700A | - | |||||||||||||
![]() | BAS7006WE6327HTSA1 | - | ![]() | 4996 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BAS7006 | Schottky | PG-Sot323 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 1 paire Commune d'anode | 70 V | 70mA (DC) | 1 V @ 15 mA | 100 PS | 100 na @ 50 V | 150 ° C (max) | |||||||||||
![]() | IRD3CH53DB6 | - | ![]() | 3427 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | Support de surface | Mourir | IRD3CH53 | Standard | Mourir | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP001533446 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 2,7 V @ 100 A | 270 ns | 2 µA à 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 100A | - | ||||||||||
![]() | IDH12G65C5XKSA2 | 6.5300 | ![]() | 618 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | IDH12G65 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG à 220-2-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 12 A | 0 ns | 190 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 12A | 360pf @ 1v, 1mhz | ||||||||||
![]() | IDH04G65C5XKSA2 | 2.5600 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | IDH04G65 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG à 220-2-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 4 A | 0 ns | 70 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 4A | 130pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||
![]() | DD800S17H4B2BOSA2 | 848.2600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Actif | Soutenir de châssis | Module | DD800S17 | Standard | AG-IHMB130-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 1700 V | - | 2.1 V @ 800 A | 900 A @ 900 V | -40 ° C ~ 150 ° C |
Volume de RFQ moyen quotidien
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