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Diodes (1803)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Courant - Max | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Résistance @ si, f | Rapport de capacité | Condition de rapport de capacité | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BBY 66-02V E6327 | - |  | 8940 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | BBY 66 | PG-SC79-2 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 13,5pf à 4,5 V, 1 MHz | Célibataire | 12 V | 5.41 | C1 / C4.5 | - | ||||||||||||||||
 | IDH08S120AKSA1 | - | | 5436 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-2 | IDH08S | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG à 220-2-2 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 7,5 A | 0 ns | 180 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 7.5a | 380pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||||||
| IDH10S120AKSA1 | - | | 1483 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-2 | IDH10S120 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG à 220-2-2 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 10 A | 0 ns | 240 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 500pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||||||
 | BAS3005S02LRHE6327XTSA1 | 0,1533 | | 3402 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-882 | BAS3005 | Schottky | PG-TSLP-2-17 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 15 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 500 mV à 500 mA | 300 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 15pf @ 5v, 1mhz | ||||||||||||||
 | BB565H7912XTSA1 | - | | 3202 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-80 | BB565 | SCD-80 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 000 | 2,2pf @ 28v, 1MHz | Célibataire | 30 V | 11 | C1 / C28 | - | ||||||||||||||||
| BB689H7912XTSA1 | - | | 5838 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-80 | BB689 | SCD-80 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 000 | 2,9pf @ 28v, 1MHz | Célibataire | 30 V | 23.2 | C1 / C28 | - | ||||||||||||||||
 | IDW20C65D2XKSA1 | 2.5500 | | 12 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Rapid 2 | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | IDW20C65 | Standard | PG à247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP001174446 | EAR99 | 8541.10.0080 | 240 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 650 V | 10A | 2.2 V @ 10 A | 30 ns | 40 µA à 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
 | HFA15PB60PBF | - | | 7462 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Hexfred® | Tube | Obsolète | Par le trou | À 247-2 | HFA15 | Standard | À 247AC Modifié | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 15 A | 60 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | - | |||||||||||||
| Bby5102vh6327xtsa1 | - | | 5789 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | BBY51 | PG-SC79-2-1 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 3,7pf @ 4v, 1 MHz | Célibataire | 7 V | 2.2 | C1 / C4 | - | ||||||||||||||||
| BBY5602VH6327XTSA1 | 0,4300 | | 6919 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | BBY5602 | PG-SC79-2-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 12.1pf @ 4v, 1MHz | Célibataire | 10 V | 3.3 | C1 / C3 | - | |||||||||||||||
 | IDK04G65C5XTMA1 | - | | 1952 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IDK04G65 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG à 263-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,8 V @ 4 A | 0 ns | 670 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 4A | 130pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||
 | IDL12G65C5XUMA1 | - | | 5713 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | 4 Powertsfn | Idl12g65 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG-VSON-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP000941316 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 12 A | 0 ns | 190 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 12A | 360pf @ 1v, 1mhz | ||||||||||||
 | IDM05G120C5XTMA1 | 4.7100 | | 1 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IDM05G120 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG à 252-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 500 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 5 A | 0 ns | 33 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 5A | 301pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||
| IDP20E65D2XKSA1 | 1.7500 | | 8931 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | IDP20E65 | Standard | PG à 220-2-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP001170100 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 650 V | 2.2 V @ 20 A | 32 ns | 40 µA à 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 40a | - | ||||||||||||
 | Idv20e65d1xksa1 | 1.4600 | | 478 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Idv20e65 | Standard | PG à220-2 EXCELLAGE | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 20 A | 42 ns | 40 µA à 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 28a | - | |||||||||||||
| Idv30e65d2xksa1 | 2.5600 | | 490 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Idv30e65 | Standard | PG à220-2 EXCELLAGE | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 650 V | 2.2 V @ 30 A | 42 ns | 40 µA à 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | |||||||||||||
| IDW32G65C5BXKSA1 | - | | 4053 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | PG à247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 240 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 650 V | 16A (DC) | 1,7 V @ 16 A | 200 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||
 | BAT2402ELSE6327XTSA1 | 0,6505 | | 2806 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | 150 ° C (TJ) | 0201 (0603 MÉTrique) | BAT2402 | PG-TSSLP-2-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP001213220 | EAR99 | 8541.10.0070 | 15 000 | 110 mA | 100 MW | 0,23pf @ 0v, 1mhz | Schottky - Célibataire | 4V | 10Ohm @ 50mA, 1MHz | |||||||||||||||
| BAT6202VH6327XTSA1 | 0,4700 | | 10 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-79, SOD-523 | BAT6202 | Schottky | PG-SC79-2-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 40 V | 1 V @ 2 mA | 10 µA @ 40 V | 150 ° C (max) | 20 mA | 0,6pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||||
 | Bav70ue6359htma1 | - | | 8254 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | Support de surface | SC-74, SOT-457 | BAV70 | Standard | PG-SC74-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 1 paire la commune de cathode | 80 V | 100mA (DC) | 1,2 V @ 100 mA | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||
 | 62-0209pbf | - | | 8445 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | 62-02 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP001562842 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
| 62-0216pbf | - | | 8471 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | 62-02 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP001574878 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
| 62-0239pbf | - | | 8788 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | 62-02 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP001553524 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
| 62-0245pbf | - | | 2200 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | 62-02 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP001550590 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
| IDC08S60CEX7SA1 | - | | 3999 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ + | En gros | Obsolète | Support de surface | Mourir | IDC08S60 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | Mourir | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP001304290 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 8 A | 0 ns | 100 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8a | 310pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||
| IDC10D120T6MX1SA1 | - | | 9646 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | Support de surface | Mourir | Idc10d120 | Standard | Scion sur le papier d'Aluminium | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP000301858 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 2.05 V @ 15 A | 3,5 µA à 1200 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | |||||||||||||
| IDC15D120T6MX1SA2 | - | | 6296 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | Support de surface | Mourir | IDC15D120 | Standard | Scion sur le papier d'Aluminium | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP000301859 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 2.05 V @ 25 A | 5,2 µA à 1200 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 25A | - | |||||||||||||
| IDC28D120T6MX1SA2 | - | | 2270 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | Support de surface | Mourir | Idc28d120 | Standard | Scion sur le papier d'Aluminium | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP000301861 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 2.05 V @ 50 A | 10 µA à 1200 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 50A | - | |||||||||||||
| SIDC23D120H8X1SA1 | - | | 3541 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Actif | Support de surface | Mourir | Sidc23d | Standard | Scion sur le papier d'Aluminium | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP000526884 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 1,97 V @ 35 A | 27 µA à 1200 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 35a | - | |||||||||||||
| SIDC42D120H8X1SA3 | - | | 5467 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Abandonné à sic | Support de surface | Mourir | Sidc42d | Standard | Scion sur le papier d'Aluminium | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP000491790 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 1,97 V @ 50 A | 27 µA à 1200 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 75a | - |
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